3d dram 文章 進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)
虧損將導(dǎo)致廠商控制三季度DRAM內(nèi)存供貨量
- 7月6消息，據(jù)臺灣地區(qū)DRAM內(nèi)存廠商稱，由于全球大多數(shù)DRAM內(nèi)存廠商推遲建設(shè)新的工廠或者推遲實施其它擴(kuò)大生產(chǎn)能力的計劃，今年第三季度全球DRAM內(nèi)存行業(yè)出貨量的增長率將受到限制。 DRAM內(nèi)存價格下降引起的虧損使許多DRAM內(nèi)存廠商暫停建設(shè)新的12英寸晶圓工廠，同時減少新的晶圓產(chǎn)量。臺灣地區(qū)的主要DRAM內(nèi)存廠商包括南亞科技、力晶半導(dǎo)體、茂德科技和華亞科技。這些公司在2008年都要把內(nèi)存出貨量的增長率控制在50%至60%。據(jù)介紹，華亞科技2007年內(nèi)存出貨量的增長率是112%。力晶半導(dǎo)體20
- 關(guān)鍵字： DRAM 內(nèi)存 晶圓
Spansion開發(fā)Spansion EcoRAM全新存儲產(chǎn)品
- Spansion宣布開發(fā)稱作Spansion EcoRAM的全新存儲產(chǎn)品計劃，旨在通過取代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中極其耗能的DRAM，來解決日益加劇的互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心能耗危機(jī)。配合同時宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術(shù)，Spansion EcoRAM有助于使互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的能耗大幅下降75%，而且在同樣的能耗條件下，存儲容量為傳統(tǒng)純DRAM型服務(wù)器的四倍。 數(shù)據(jù)中心能源危機(jī) 能效專家及斯坦福大學(xué)顧問教授Jonathan Koomey博士最近的報告指出，數(shù)據(jù)中
- 關(guān)鍵字： 存儲 Spansion 數(shù)據(jù)中心 DRAM
Spansion助力互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器降低能耗達(dá)75%
- 全球最大的純閃存解決方案供應(yīng)商Spansion（NASDAQ：SPSN）今天宣布開發(fā)稱作Spansion® EcoRAM™的全新存儲產(chǎn)品計劃，旨在通過取代數(shù)據(jù)中心服務(wù)器中極其耗能的DRAM，來解決日益加劇的互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心能耗危機(jī)。配合同時宣布的Virident Systems公司新型GreenGateway技術(shù)，Spansion EcoRAM有助于使互聯(lián)網(wǎng)數(shù)據(jù)中心服務(wù)器的能耗大幅下降75%，而且在同樣的能耗條件下，存儲容量為傳統(tǒng)純DRAM型服務(wù)器的四倍。 數(shù)據(jù)中心能源危機(jī)
- 關(guān)鍵字： Spansion 閃存 中心服務(wù)器 能耗 EcoRAM DRAM
ST推出一款全新3D方位傳感器
- MEMS產(chǎn)品的世界領(lǐng)先廠商意法半導(dǎo)體（紐約證券交易所代碼：STM）推出一款全新3D方位傳感器，是ST計劃開發(fā)的新系列傳感器產(chǎn)品的首款產(chǎn)品。通過在一個簡單易用的表面貼裝封裝內(nèi)整合多項傳統(tǒng)傳感器功能，ST計劃開發(fā)一系列重要的多功能MEMS傳感器。全新FC30芯片集成3D方位和鼠標(biāo)單擊/雙擊檢測功能，使設(shè)計人員能夠在產(chǎn)品設(shè)計內(nèi)集成鼠標(biāo)按鍵控制功能。 “FC30是一系列全新多功能傳感器的首款產(chǎn)品，以完整的轉(zhuǎn)鑰解決方案，讓客戶在系統(tǒng)微控制器上簡化系統(tǒng)復(fù)雜性，降低處理開銷。”意法半導(dǎo)
- 關(guān)鍵字： ST 3D 傳感器 MEMS
三星8000萬顆瑕疵DRAM被退回 可能流向市場
- 6月20日消息，據(jù)中國臺灣媒體報道，繼Hynix 66納米DRAM制造工藝出現(xiàn)問題后，三星的68納米DRAM日前也曝出問題，導(dǎo)致8000萬顆1GB DDR2被客戶退回。 今年4月，因Hynix 66納米工藝良率不高，導(dǎo)致大批1GB DDR2晶圓報廢。日前，三星也曝出同樣的問題。有消息稱，三星有8000萬顆瑕疵1GB DDR2被OEM廠商退回。 對此，下游客戶表示出了一絲擔(dān)心，三星將如何處理這批瑕疵產(chǎn)品呢？如果以較低價格傾銷到現(xiàn)貨市場，那勢必將對該市場價格產(chǎn)生劇烈影響。目前，三星并未給出具體
- 關(guān)鍵字： 三星 DRAM 晶圓
半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否進(jìn)入“無利潤繁榮”時代？
- 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否進(jìn)入了“無利潤繁榮”時代？半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是否無法再獲得足夠的投資回報率來滿足空前高漲的產(chǎn)能需求？在美國加州HalfMoonBay舉行的“SEMI產(chǎn)業(yè)戰(zhàn)略座談會”（SEMIIndustryStrategySymposium）上，LamResearch總裁兼CEOStephenNewberry針對產(chǎn)業(yè)的狀態(tài)發(fā)表了觀點(diǎn)，并指出目前復(fù)雜的財務(wù)狀況用“無利潤繁榮”來描述是再合適不過的了。Newberry的講話被與會者評價為此次座談
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM NAND NOR
SanDisk與東芝合資開發(fā)3D內(nèi)存芯片
- 6月19日消息，據(jù)國外媒體報道，閃存制造商SanDisk公司近日發(fā)布了報送給美國證券交易委員會的一份報告，該報告稱，SanDisk將與東芝公司合作，共同開發(fā)和制造可重寫3D內(nèi)存。 SanDisk公司稱，兩家公司將共同致力于3D內(nèi)存芯片的開發(fā)和生產(chǎn)，并共享與開發(fā)項目有關(guān)的專利許可技術(shù)。作為合資企業(yè)一部分，東芝將向SanDisk支付許可費(fèi)用。 雙方合資最終將導(dǎo)致一種可替代NAND閃存的新型內(nèi)存技術(shù)，SanDisk是NAND型閃存的主要生產(chǎn)商之一。后者被iPod、iPhone、數(shù)碼相機(jī)和其他設(shè)備
- 關(guān)鍵字： SanDisk 東芝 3D 內(nèi)存 芯片
2008年全球半導(dǎo)體市場將出現(xiàn)從緊態(tài)勢
- 市場調(diào)研機(jī)構(gòu)Gartner公司最近發(fā)布報告，稱由于受到美國經(jīng)濟(jì)低迷和DRAM芯片市場拖累，預(yù)計2008年全球半導(dǎo)體廠商支出將下降19.8%，達(dá)475億美元。 Gartner公司負(fù)責(zé)半導(dǎo)體制造業(yè)務(wù)調(diào)查的副總裁Klaus Rinnen表示，“原來所預(yù)測的DRAM芯片的投資泡沫終于破裂了，大多數(shù)廠商選擇了從緊的投資策略。就當(dāng)前的市場行情，預(yù)計今年DRAM市場支出將減少47%，而整個存儲芯片市場費(fèi)用支出將減少29%”。 Gartner還稱，預(yù)計今年全球用于芯片設(shè)
- 關(guān)鍵字： 半導(dǎo)體 DRAM NAND 存儲芯片
手機(jī)拆機(jī)分析揭示移動存儲的未來
- NAND和mDRAM激增，NOR-less機(jī)型增多 手機(jī)內(nèi)存內(nèi)容是否正在發(fā)生根本性變化？ 在相對較短的時間內(nèi)，隨著手機(jī)從商用工具發(fā)展成隨處可見的大眾通信工具，手機(jī)所使用的內(nèi)存一直基于NOR閃存與SRAM的組合，最近是NOR閃存與pSRAM的組合。但是，這種內(nèi)存配置正在面臨使用移動DRAM(mDRAM)和/或NAND閃存組合的方案的挑戰(zhàn)。 這種轉(zhuǎn)變的背后，是因為市場需要大容量、低成本數(shù)據(jù)存儲用于保存語音/音樂、照片和視頻，NAND最適于滿足這種需求。這些功能也需要手機(jī)RAM
- 關(guān)鍵字： 手機(jī) NOR閃存 pSRAM DRAM NAND閃存 iSuppli
磁阻式隨機(jī)存儲器將挑戰(zhàn)閃存
- 磁阻式隨機(jī)存儲器（MRAM）將優(yōu)于快閃記憶體（Flash閃存）？飛思卡爾半導(dǎo)體正試圖證明這一點(diǎn)。 根據(jù)消息，飛思卡爾半導(dǎo)體（前摩托羅拉公司芯片部門）周一宣布，它已經(jīng)獲得了幾個風(fēng)險投資公司的加入。據(jù)悉他們將聯(lián)合成立一家命名為Everspin科技的獨(dú)立技術(shù)公司，側(cè)重于研發(fā)制造MRAM（磁阻式隨機(jī)存儲器），其目的是為了“擴(kuò)大MRAM及其相關(guān)產(chǎn)品的市場份額”。 MRAM與快閃記憶體不同，它使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式，在性能上MRAM具有接近SRAM的高
- 關(guān)鍵字： MRAM 快閃記憶體 Flash DRAM Everspin
內(nèi)存產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇時日不明 投資者可能轉(zhuǎn)向模擬芯片領(lǐng)域
- 由于處境不佳的電腦內(nèi)存市場今年預(yù)計僅會溫和復(fù)蘇，考慮押注全球芯片產(chǎn)業(yè)的投資者可能打算把資金投向快速增長的模擬芯片領(lǐng)域。用于便攜產(chǎn)品的閃存價格似乎正在趨穩(wěn)，但參加路透全球技術(shù)、媒體與電信峰會的高管們表示，他們對于該產(chǎn)業(yè)何時復(fù)蘇不太確定。 分析師預(yù)計今年全球DRAM銷售額下降10%，2009年增長約20%。主要DRAM供應(yīng)商三星(Samsung)電子和海力士(Hynix)半導(dǎo)體的DRAM價格自4月以來反彈，促使業(yè)內(nèi)高管預(yù)期市場供需在今年下半年恢復(fù)平衡。 閃存價格持平 全球第二
- 關(guān)鍵字： 內(nèi)存 DRAM 模擬芯片
三星:內(nèi)存產(chǎn)業(yè)已走出波谷 價格即將反彈
- 5月27日消息，隨著供過于求的緩解，三星預(yù)計計算機(jī)內(nèi)存價格在今年晚些時候會出現(xiàn)反彈。 據(jù)國外媒體報道稱，新上任的三星電子內(nèi)存業(yè)務(wù)主管Kwon Oh Hyun今天在一次會議上表示，內(nèi)存芯片價格將不再“處于底部”。但內(nèi)存產(chǎn)業(yè)今年下半年的前景仍不明朗。 德意志銀行曾預(yù)計內(nèi)存產(chǎn)業(yè)已經(jīng)處于波谷，供應(yīng)增長的明顯減速將使得價格有望在2009年結(jié)束前出現(xiàn)反彈，Kwon的評論正好與德意志銀行的預(yù)計相符。 在內(nèi)存生產(chǎn)廠商上季度因存貨過多導(dǎo)致包括三星在內(nèi)的主要廠商出現(xiàn)虧損后，DRA
- 關(guān)鍵字： 三星 內(nèi)存 波谷 價格 DRAM
存儲器大廠意外頻發(fā)“穩(wěn)定”行業(yè)價格
- 近期記憶體業(yè)者常幽默指出，以后DRAM和NAND型快閃記憶體(Flash)產(chǎn)業(yè)可能只有2種方法可帶動價格，一是每年1次的晶圓廠跳電事件，帶來的“自然減產(chǎn)機(jī)制”，使得上游供給減少，二是記憶體廠制程凸捶，導(dǎo)致的供給大減，尤其DRAM產(chǎn)業(yè)這么依賴個人電腦(PC)的成長性，很難再出現(xiàn)需求大好的情況，只好想盡辦法讓供給減少，維持價格秩序。 意外事件＋制程出錯 穩(wěn)定價格的捷徑 2007年8月三星電子(Samsung Electronics)廠房意外電線走火，導(dǎo)致NAND Fla
- 關(guān)鍵字： 存儲器 DRAM NAND 晶圓 三星 海力士 NB DT
美光可有能買下奇夢達(dá)手中35%股權(quán) 大股東南科稱尚未定案
- 美光有可能買下奇夢達(dá)所持有的臺灣DRAM廠華亞科技的股權(quán)。對此，華亞科技大股東南科表示，針對華亞科技的股權(quán)處置，南科與奇夢達(dá)仍在協(xié)商中，尚未定案。 外電報道指出，美光決定與臺灣DRAM大廠南科結(jié)盟，兩公司計劃在臺合資成立亞美科技，預(yù)計2009年底前各自投資現(xiàn)金5.5億美元后，美光有可能進(jìn)一步買下奇夢達(dá)所持有的華亞科技35%股權(quán)。 針對美光將買下奇夢達(dá)所持華亞科技股權(quán)事宜，華亞科總經(jīng)理高啟全表示，南科與奇夢達(dá)等兩大股東正針對華亞科股權(quán)處置事宜進(jìn)行協(xié)商，至于結(jié)果由誰買下對方股權(quán)及資金來源，目前
- 關(guān)鍵字： DRAM 美光 奇夢達(dá) 南科
3d dram介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d dram的理解，并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d dram的理解，并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
3d dram相關(guān)帖子
3d dram資料下載
3d dram專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473