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          IC單位出貨量強(qiáng)勁 面臨廠商無利潤繁榮局面

          •   最近公布的數(shù)據(jù)顯示,2007年IC單位出貨量將增長10%,略高于市場調(diào)研公司ICInsights最初預(yù)計的8%。自2002年以來,IC單位出貨量一直保持兩位數(shù)的年增長率。DRAM(49%)、NAND閃存(38%)、接口(60%)、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換(58%)、和汽車相關(guān)的模擬IC(32%)出貨量強(qiáng)勁增長,正在推動總體產(chǎn)業(yè)需求,并使IC出貨量保持在高位。   1980年以來,IC產(chǎn)業(yè)單位出貨量有兩次實現(xiàn)連續(xù)三年保持兩位數(shù)增長率,分別是1982-1984和1986-1988年。在這兩次之后,IC的單位出貨量增長速
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  IC  DRAM  NAND  模擬IC  

          2007年全球集成電路出貨量將增長10%

          •   市場研究公司ICInsights將2007年全球集成電路(IC)出貨量成長率從原來的8%提升到了10%。   這家研究公司把2007年全球集成電路出貨量的增長歸功于一些集成電路產(chǎn)品出貨量的強(qiáng)勁增長,如DRAM內(nèi)存出貨量增長49%,NAND閃存出貨量增長38%,界面集成電路出貨量增長60%,數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換集成電路出貨量增長58%,汽車模擬集成電路出貨量增長32%。   ICInsights稱,如果2007年全球集成電路出貨量成長率達(dá)到10%或者更高,這將是連續(xù)第六年的兩位增長,這是前所未有的大牛市。  
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  集成電路  IC  DRAM  消費(fèi)電子  

          從過去到未來

          • 如果你認(rèn)為過去的歸過去,未來的歸未來,那么你就錯了,因為沒有過去就不會有現(xiàn)在,沒有現(xiàn)在當(dāng)然就不會有未來。然而過去、現(xiàn)在、未來之間是如何相互依存的呢?從某方面來說這是神秘難以解答的一件事,但簡單來講就是靠記憶的作用,過去雖然不存在了,卻可以回想,未來雖然還沒有決定,現(xiàn)在卻可以一步步去計劃、設(shè)想與實踐
          • 關(guān)鍵字: NVM  SRAM  DRAM  

          DRAM十月價格持續(xù)下跌;ETT現(xiàn)貨價急漲12%

          •   上周(10/15-10/22)現(xiàn)貨市場eTT顆粒呈現(xiàn)近幾周少見的急漲局面,DDR2512MbeTT價格收在1.17美元,漲幅約11.9%;相較之下,品牌顆粒仍呈現(xiàn)平穩(wěn)走勢,上漲至1.37美元,幅度為1.4%。根據(jù)集邦科技(DRAMeXchange)分析指出,上周DDR2eTT的強(qiáng)勁漲勢,是因為eTT主要的供貨商進(jìn)行70nm轉(zhuǎn)進(jìn),供給量減少,部份買主逢低買進(jìn)拉抬買氣,進(jìn)而帶動價格上揚(yáng),因此這波價格上揚(yáng)主要是短期市場操作結(jié)果,而非市場終端需求帶動;此外,這波投機(jī)性買盤主要集中在DDR2eTT的顆粒,并沒有
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  集邦  DRAM  ETT  MCU和嵌入式微處理器  

          DRAM現(xiàn)貨市場持續(xù)走弱 合約市場交易冷清

          •   現(xiàn)貨市場DDR2價格方面持續(xù)走弱;而DDR則因供應(yīng)不足價格緩步盤堅。DDR2512MbeTT跌至1美元左右的新低價之后,暫時止跌并微幅反彈,在1.02至1.05美元震蕩,以1.03美元做收,跌幅為5.5%;DDR2512Mb667MHz則滑落至1.35美元,下跌2.9%。在DDR1市場方面,由于現(xiàn)貨市場供給數(shù)量仍舊不足,上周也曾出現(xiàn)缺貨狀況,價格持續(xù)小幅上揚(yáng),DDR512Mb400MHz以2.66美元做收,上漲5.6%。   十月份合約市場相當(dāng)清淡,OEM拿貨意愿低落,部分廠商甚至認(rèn)為,倘若預(yù)期十一
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  DDR2  DRAM  NAND  MCU和嵌入式微處理器  

          1美元失守!臺DRAM廠難逃虧損百億

          •       全球DRAM現(xiàn)貨價16日正式跌破1美元重要心理關(guān)卡,以目前現(xiàn)貨報價及DRAM廠每月產(chǎn)能狀況推估,臺DRAM廠力晶、茂德及南科3雄每月合計將蒙受約1億美元損失,且未來虧損數(shù)字恐持續(xù)擴(kuò)大,若2007年底前DRAM現(xiàn)貨價無法翻揚(yáng),初步估計臺DRAM3雄從現(xiàn)在起到2007年底前總共將虧掉新臺幣100億元以上,其中,以力晶處境最為不利。           
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  DRAM  1美元  MCU和嵌入式微處理器  

          本田投資500萬美元于3D傳感器技術(shù)

          • 日本汽車制造商本田把3維傳感器技術(shù)用于提高汽車安全性。本田汽車宣布對Canesta公司的電子感知技術(shù)投資500萬美元。本田在過去三年中一直對Canesta進(jìn)行投資,近日表示它將采用該技術(shù)來開發(fā)避撞系統(tǒng)這樣的汽車安全應(yīng)用。     Canesta的圖像傳感器可以被隱藏在車身、汽車裝飾品或汽車儀表盤中。“它提供一種成本比較低的芯片級3D攝像方案,可以一種安裝來提供多種應(yīng)用,”本田戰(zhàn)略風(fēng)險投資的領(lǐng)導(dǎo)人ToshinoriArita在一次發(fā)言中說。
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  本田  3D  傳感器  傳感器  

          今年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開支將達(dá)437億美元

          • 據(jù)市場研究公司Gartner最新發(fā)表的研究報告稱,全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開支增長速度正在減緩,這種低迷的狀況預(yù)計將持續(xù)到2008年第一季度。2007年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開支總額將達(dá)到437億美元,比2006年增長4.1%。2008年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開始預(yù)計將比2007年增長0.3%。  Gartner分析師稱,2007年全球半導(dǎo)體大型設(shè)備開支的增長將影響到2008年的增長。2008年半導(dǎo)體大型設(shè)備的開支將勉強(qiáng)實現(xiàn)正增長,晶圓加工設(shè)備的開支將出現(xiàn)小幅度的負(fù)增長。后端設(shè)備市場的前景仍是正增長。 Gar
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  半導(dǎo)體  晶圓加工  DRAM  

          索尼與奇夢達(dá)組建合資公司 開發(fā)DRAM儲存芯片

          • 地時間本周二,日本索尼和德國芯片制造商奇夢達(dá)宣布,它們計劃建立一個芯片設(shè)計合資機(jī)構(gòu),開發(fā)消費(fèi)電子和游戲機(jī)使用的DRAM儲存芯片。  兩公司在一份聯(lián)合聲明中稱,新的合資機(jī)構(gòu)稱為 Qreatic Design,計劃在今年年前在東京成立,在由雙方30名專家組成的芯片設(shè)計合資公司中,兩公司將各自擁有50%的股份。合資公司主要開發(fā)高性能、低能量消耗、嵌入式的、明確用于消費(fèi)電子產(chǎn)品的DRAM芯片。  奇夢達(dá)是全球最大的DRAM儲存芯片制造商之一,盡管索尼內(nèi)部擁有它自己的芯片設(shè)計
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  索尼  奇夢達(dá)  DRAM  存儲器  

          集邦:9月下旬DRAM合約價格預(yù)計下滑10%

          • DRAM現(xiàn)貨市場需求不佳,整體報價呈現(xiàn)下跌的情形。DDR2512Mb667MHz下跌幅度達(dá)7.8%,價格下跌至1.54美元。其余顆粒報價皆呈現(xiàn)微幅下跌,DDR2eTT下跌至1.31美元。 8月以來由于市場需求不振以及買賣雙方抱持觀望的態(tài)度,使得價格持續(xù)緩跌。然而當(dāng)DDR2eTT價格跌破5月低點(diǎn)后,部分分銷商及模塊廠開始備貨,使得現(xiàn)貨價格出現(xiàn)反彈,間接帶動了些許買氣。而合約市場方面,由于現(xiàn)貨價格快速下跌,加上PCOEM廠商已經(jīng)備足旺季所需的庫存水位,因此部份OEM廠商于9月上旬所談妥的合約數(shù)量有砍單的動作。
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  DRAM  DDR  DDR2  MCU和嵌入式微處理器  

          DRAM價格跌至新低 分析師稱還可能進(jìn)一步下滑

          • 據(jù)國外媒體報道,所有想為自己電腦增加更多內(nèi)存的人都贏得了來自DRAM行業(yè)的禮物--激烈競爭使得內(nèi)存價格猛跌,行業(yè)分析師預(yù)測,DRAM價格還將進(jìn)一步下降。  使用最廣泛的512MB DDR2 667MHz芯片的合約價格已比兩周前下跌了12.5%,周二時跌至1.75美元,創(chuàng)下了DRAMeXchange今年記錄的新低。DRAMeXchange公司運(yùn)營一家對內(nèi)存芯片進(jìn)行網(wǎng)上交易的網(wǎng)站。  這條重大新聞將對用戶產(chǎn)生三個重大影響:第一,DRAM價格下跌將增加惠普和戴爾這類電腦制
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  DRAM  DDR  DDR2  存儲器  

          ST推出最新的DRAM內(nèi)存模塊標(biāo)準(zhǔn)專用溫度傳感器

          • 高性能模擬器件和混合信號產(chǎn)品的主導(dǎo)廠商之一的意法半導(dǎo)體(紐約證券交易所:STM)今天推出兩款高精度專用數(shù)字溫度傳感器芯片,新產(chǎn)品完全符合個人計算機(jī)雙列直插內(nèi)存模塊(DIMM)的溫度監(jiān)測標(biāo)準(zhǔn)JEDEC JC42.4的規(guī)定。 計算機(jī)等系統(tǒng)內(nèi)的雙速率DDR2和DDR3的數(shù)據(jù)傳輸速度比上一代標(biāo)準(zhǔn)更快,但是內(nèi)存過熱的風(fēng)險也隨之增加。溫度傳感器可以監(jiān)視內(nèi)存溫度,為中央處理器調(diào)整數(shù)據(jù)流量和采取防過熱措施提供依據(jù),因此溫度傳感器在系統(tǒng)設(shè)計中變得更為重要。 STTS424是一個獨(dú)立使用的數(shù)字溫度傳感器芯片,而STTS
          • 關(guān)鍵字: 測試  測量  ST  DRAM  溫度傳感器  測試測量  

          DRAM市場重現(xiàn)謹(jǐn)慎樂觀氣氛 下半年將出現(xiàn)反彈

          • 2001年DRAM市場價格崩潰以來,經(jīng)歷了市場惡化最嚴(yán)重的半年后,2007年下半年DRAM市場開始重現(xiàn)謹(jǐn)慎樂觀氣氛,預(yù)計2007年下半年銷售價格將一路走高。下半年的樂觀因素包括返校帶來的銷售高峰,以及季節(jié)性假日需求來臨,其它具體原因還包括:2007年P(guān)C出貨量預(yù)計增長12%,內(nèi)存平均容量為1.4GB,比2006年的平均800MB內(nèi)存增長75%。2007年第2季度,預(yù)計每臺電腦平均內(nèi)存容量為1.3GB,2007年第3季度預(yù)計達(dá)到1.4GB,2007年第4季度發(fā)展到1.6GB。一些DRAM供應(yīng)商相信,到200
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  DRAM  嵌入式  

          DRAM和NAND閃存價格上漲幅度開始回落

          • 閃存的合約價格在7月下半月繼續(xù)上漲,不過目前漲勢已經(jīng)逐漸減緩。DRAM廠商預(yù)計第三季度價格將輕微上漲,同時出貨量也大幅提升了。同時,NAND目前價格也呈現(xiàn)上升趨勢,這主要得益于閃存應(yīng)用范圍的不斷拓展。    DRAM報價一片漲聲   根據(jù)內(nèi)存交易機(jī)構(gòu)DRAMeXchange(集邦電子)的數(shù)據(jù),在7月上半月,512Mb DDR2芯片的合約價格上漲了20%以上,不過7月下半月的上漲幅度回落到了3%。   DRAMeXchange表示,目前一些PC OEM廠商向DRAM廠商索要報價
          • 關(guān)鍵字: NAND  DRAM  閃存  

          NAND市況是“業(yè)內(nèi)有史以來最糟糕的”

          • 根據(jù)iSuppli公司的正式消息,NAND閃存供應(yīng)商所面臨的市況是業(yè)內(nèi)有史以來最惡劣的,并且這種狀況可能進(jìn)一步惡化。如果不是到了岌岌可危的境地,供應(yīng)商們就不會抱怨NAND閃存業(yè)務(wù)的定價和收益率的悲哀狀況了。 與2006年第四季度17%的降幅相比,今年第一季度每Mb的NAND閃存的平均定價有望下降35%到40%。這種戲劇性的價格下滑意味著NAND閃存業(yè)務(wù)作為一個整體將在今年第一季度遭遇運(yùn)營損失,該市場有史以來第一次發(fā)生這樣的事情。 經(jīng)濟(jì)學(xué)101法則 需求對降價呈現(xiàn)彈性的響應(yīng),市況惡劣的主要原因在于NAND供
          • 關(guān)鍵字: NAND  閃存  存儲  DRAM  
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          3d dram介紹

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