3d dram 文章 進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)
印度半導(dǎo)體離中國還很遠(yuǎn)
- 29年前,美國愛達(dá)荷州,三個年輕人在一間牙醫(yī)診所的倉庫里,無意中開始了一個名叫DRAM的芯片設(shè)計(jì)生意。發(fā)展到今天,便是年銷售額高達(dá)52.6億美金的半導(dǎo)體企業(yè)——美光公司。 3月21日,美光正式啟動了其在中國投資的第一家制造工廠。這座位于西安高新技術(shù)開發(fā)區(qū)的封裝測試廠,總投資2.5億美金。 美光公司總裁兼首席執(zhí)行官史蒂夫•阿普爾頓(Steve R. Appleton)在該項(xiàng)目啟動典禮間隙,接受了本報記者專訪。這位年輕的CEO是個典型的冒險家,擁有多架私人表演式飛機(jī),喜歡在空中做俯沖動作。
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美光科技公司在中國啟動新制造工廠
- 2007年3月21日, 中國西安 - 美光科技公司今天正式宣布在西安啟動一家新的制造工廠。這家工廠是美光公司在中國的第一家制造工廠，它將主要負(fù)責(zé)生產(chǎn)DRAM、NAND閃存和CMOS圖像傳感器在內(nèi)的半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝測試?！ 榇耍拦夤九e行了西安工廠的落成儀式，參加儀式的有政府官員和行業(yè)代表。這家工廠預(yù)計(jì)將于2008年底全部建成，總投資將達(dá)到2.5億美元，所需員工超過2000名。該工廠是美光公司在亞洲的第二家封裝測試工廠，其第一家封裝測試工廠于1998年在新
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DRAM 8英寸線趨減 IC制造須理性突圍
- DRAM 8英寸線將逐漸退出 隨著半導(dǎo)體工藝制程技術(shù)的進(jìn)步，90納米及以下制程產(chǎn)品的比重增大以及12英寸硅片的優(yōu)越性逐漸擴(kuò)大，首先在競爭最激烈的存儲器制造中呈現(xiàn)。 臺灣力晶半導(dǎo)體的黃崇仁表示，2006年是轉(zhuǎn)折點(diǎn)，DRAM中的8英寸芯片性價比已不具有優(yōu)勢，一批較早的8英寸芯片廠，已無法采用0.11微米工藝來制造512Mb的DDR2存儲器。 臺灣拓璞產(chǎn)業(yè)研究所最近發(fā)表的看法認(rèn)為，五大集團(tuán)三星、美光、海力士、英飛凌及爾必達(dá)主導(dǎo)了全球的DRAM業(yè)，全球DRAM(動態(tài)隨機(jī)存儲器)應(yīng)用中，有
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DRAM 8英寸生產(chǎn)線趨減 IC制造須理性突圍
- 推動全球半導(dǎo)體工業(yè)進(jìn)步的兩個輪子，一個是縮小特征尺寸，另一個是增大硅片直徑，通?？偸且圆粩嗟乜s小特征尺寸為先。如今，全球正進(jìn)入12英寸，65納米芯片生產(chǎn)線的興建高潮，業(yè)界正在為何時進(jìn)入18英寸硅片生產(chǎn)展開可行性討論。在此前提下，業(yè)界關(guān)心全球8英寸芯片生產(chǎn)線的現(xiàn)狀，以及何時將退出歷史舞臺。縱觀全球半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展的歷史過程，進(jìn)入8英寸硅片時代約于1997年。通常每種硅片的生存周期在20年左右，所以8英寸硅片目前仍處于平穩(wěn)發(fā)展時段，顯然90納米及65納米產(chǎn)品已開始上升。 &
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美國國家半導(dǎo)體Boomer立體聲D類音頻子系統(tǒng)
- 這款無濾波器的高集成度 2.2W 放大器內(nèi)置靈活的 I2C 兼容控制功能 美國國家半導(dǎo)體公司 (National Semiconductor Corporation) (美國紐約證券交易所上市代號：NSM) 宣布該公司最新推出的 Boomer? 音頻子系統(tǒng)除了內(nèi)置 2.2W 的立體聲 D 類 (Class
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3D封裝的發(fā)展動態(tài)與前景
- 1 為何要開發(fā)3D封裝 迄今為止，在IC芯片領(lǐng)域，SoC（系統(tǒng)級芯片）是最高級的芯片；在IC封裝領(lǐng)域，SiP（系統(tǒng)級封裝）是最高級的封裝。 SiP涵蓋SoC，SoC簡化SiP。SiP有多種定義和解釋，其中一說是多芯片堆疊的3D封裝內(nèi)系統(tǒng)集成（System-in-3D Package），在芯片的正方向上堆疊兩片以上互連的裸芯片的封裝，SIP是強(qiáng)調(diào)封裝內(nèi)包含了某種系統(tǒng)的功能。3D封裝僅強(qiáng)調(diào)在芯片正方向上的多芯片堆疊，如今3D封裝已從芯片堆疊發(fā)展占封裝堆疊，擴(kuò)大了3D封
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奇夢達(dá)與南亞科技獲75納米DRAM技術(shù)驗(yàn)證
- 奇夢達(dá)公司和南亞科技公司宣布已成功獲得75納米 DRAM 溝槽式(Trench)技術(shù)之驗(yàn)證，最小之制程尺寸為70納米, 第一個75納米之產(chǎn)品將為512Mb DDR2 內(nèi)存芯片。此項(xiàng)新的技術(shù)平臺和產(chǎn)品是雙方共同在德國德累斯頓(Dresden) 和慕尼黑(Munich)的奇夢達(dá)開發(fā)中心所開發(fā)的。目前已經(jīng)在奇夢達(dá)的德累斯頓十二吋廠生產(chǎn)線開始此項(xiàng)新一代 DRAM技術(shù)之試產(chǎn)。 負(fù)責(zé)奇夢達(dá)的市場和運(yùn)作，也是管理委員會的委員之一的賽佛(Thomas&
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因PC需求激增 DRAM庫存下降至新低位
- iSuppli表示， DRAM芯片生產(chǎn)商的庫存量已下降至20個月來最低水準(zhǔn)，因開學(xué)季帶動個人電腦銷售增長?！?nbsp; 這家美國研究機(jī)構(gòu)預(yù)期本月庫存量將持續(xù)下降，并在報告中調(diào)升短期DRAM市況評等，由原先的“中性”升至“正向”?！ ?nbsp; iSuppli在9月5日發(fā)表的報告中指出，8月初時，DRAM庫存為1.92周，較7月的平均水準(zhǔn)下降18%，因新學(xué)年開始前，PC銷售大幅增加。 由于微處理器
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05年DRAM芯片銷售排名三星仍保持冠軍
- 據(jù)著名市場調(diào)研機(jī)構(gòu) Gartner 公司最新公布的調(diào)查數(shù)據(jù)顯示，2005年全球DRAM儲存芯片的銷售收入比上年下滑了5%為250億美元，2004年全球DRAM儲存芯片的銷售收入為263億美元。在全球DRAM 儲存芯片行業(yè)銷售收入比2004年下滑5%的不利環(huán)境下，中國臺灣南亞科技公司（Nanya）和日本最大的DRAM儲存芯片制造商爾必達(dá)公司（Elpida）是全球最高前六個公司中銷售收入實(shí)現(xiàn)了增長的公司。 調(diào)研公司表示，盡管這是自2001年以后DRAM儲存芯片
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ST推出內(nèi)置DRAM存儲器的微控制器
- 意法半導(dǎo)體（ST）日前公布了一款針對無線基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備開發(fā)的多用途微控制器的細(xì)節(jié)。這個代號為"GreenFIELD"、產(chǎn)品編號為STW21000的新芯片整合了ARM926EJ-S 330 MIPS RISC處理器核心、16Mbit片上eDRAM內(nèi)存、eFPGA（嵌入式現(xiàn)場可編程邏輯門陣列）模塊以及各種模擬和數(shù)字外設(shè)。GreenFIELD-STW21000是ST無線基礎(chǔ)設(shè)施產(chǎn)品部發(fā)布的第二款先進(jìn)的系統(tǒng)芯片產(chǎn)品。 GreenFI
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端接DDR DRAM的電源電路
- DDR（雙數(shù)據(jù)速率）DRAM應(yīng)用于工作站和服務(wù)器的高速存儲系統(tǒng)中。存儲器IC采用1.8V或2.5V電源電壓，并需要等于電源電壓一半的基準(zhǔn)電壓（VREF＝VDD/2）。此外，各邏輯輸出端都接一只電阻器，等于并跟蹤VREF的終端電壓VTT。在保持VTT=VREF+0.04V的同時，必須提供源流或吸收電流。圖1所示電路可為1.8V和2.5V兩種存儲器系統(tǒng)提供終端電壓，并可輸出高達(dá)6A的電流。IC1有一個降壓控制器和2個線性穩(wěn)壓控制器。IC1在輸入電壓為4.5～28V下工作。
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6月份全球DRAM出貨量增長了4% 達(dá)5.54億件
- 來自市場研究機(jī)構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù)，6月份全球DRAM出貨量(折合為256M比特DRAM內(nèi)存)增長了4%，達(dá)到了5.54億件，其中DDR內(nèi)存的比例從5月份的63%下滑到了61%，DDR2的比例為30%。 DRAMeXchange預(yù)測，隨著DDR內(nèi)存出貨量的削減，其供應(yīng)緊缺狀況貫穿整個第三季度，而DDR2內(nèi)存市場，就出貨量而言，Powerchip半導(dǎo)體公司和ProMOS 科技公司在我國臺灣廠商中處于領(lǐng)先地位。該研究機(jī)構(gòu)還預(yù)測
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