3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求，消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開工率維持 80~90%

IT之家 6 月 19 日消息，韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱，韓國(guó)兩大存儲(chǔ)巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱，這一情況同主要企業(yè)已實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)正?；?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對(duì)比：除鎧俠外，三星電子和 SK 海力士也已于本季度實(shí)現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運(yùn)行。報(bào)道指出，目前通用 DRAM （IT之家注：即常規(guī) DDR、LPDDR）需求整體萎靡，市場(chǎng)仍呈現(xiàn)供大于求的局面，是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機(jī)和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
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合約價(jià)勁漲護(hù)身 DRAM不怕淡季 Q1營(yíng)收季增

2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)，受到主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大，帶動(dòng)營(yíng)收較前一季度成長(zhǎng)5.1％，達(dá)183.5億美元，推動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收呈季增趨勢(shì)。TrendForce指出，第一季三大原廠出貨皆季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫存水平墊高，采購量明顯衰退。三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價(jià)上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，漲價(jià)意圖強(qiáng)烈。其中，中系手機(jī)銷售暢旺，帶動(dòng)mobile DRAM的價(jià)格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而consumer DRAM的原廠庫存仍待去化，拖累價(jià)格漲幅居所有應(yīng)用之
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合約價(jià)上漲抵消淡季效應(yīng)，推升DRAM第一季營(yíng)收季增5.1%

根據(jù)全球市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示，2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價(jià)走揚(yáng)、且漲幅較2023年第四季擴(kuò)大，帶動(dòng)營(yíng)收較前一季度成長(zhǎng)5.1%，達(dá)183.5億美元，推動(dòng)多數(shù)業(yè)者營(yíng)收延續(xù)季增趨勢(shì)。出貨表現(xiàn)上，第一季三大原廠皆出現(xiàn)季減，反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng)，加上下游業(yè)者的庫存水平已墊高，采購量明顯減弱。平均銷售單價(jià)方面，三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價(jià)上漲氛圍，再加上庫存仍處于健康水位，故漲價(jià)意愿強(qiáng)烈。其中，中系手機(jī)銷售暢旺，帶動(dòng)Mobile DRAM的價(jià)格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用，而Co
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南亞科技：首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)

IT之家 5 月 30 日消息，綜合臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》《經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)》報(bào)道，南亞科技在昨日的年度股東常會(huì)上表示，其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進(jìn)入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進(jìn)行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn)，涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn)，明年進(jìn)一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點(diǎn)規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
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美光計(jì)劃投資約300億元在日本新建DRAM廠

據(jù)日媒報(bào)道，美光科技計(jì)劃投入6000億-8000億日?qǐng)A（約合人民幣277-369億元）在日本廣島縣興建新廠，用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動(dòng)工，并安裝極紫外光刻（EUV）設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營(yíng)運(yùn)。報(bào)道稱，此前，日本政府已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日?qǐng)A補(bǔ)貼，支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年，日本經(jīng)濟(jì)產(chǎn)業(yè)省曾表示，將利用這筆經(jīng)費(fèi)協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片，這些芯片將是推動(dòng)生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動(dòng)駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
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HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年可望供不應(yīng)求

三星、SK海力士及美光等國(guó)際內(nèi)存巨擘，皆積極投入高帶寬內(nèi)存（HBM）制程，法人表示，在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下，下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求，預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究，DRAM原廠提高先進(jìn)制程投片，產(chǎn)能提升將集中今年下半年，預(yù)期1alpha nm（含）以上投片，至年底將占DRAM總投片比重約40％。由于HBM獲利表現(xiàn)佳，加上需求續(xù)增，生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來看，2024年HBM3e將是市場(chǎng)主流，集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商，與美光均采1be
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邁向 3D 內(nèi)存：三星電子計(jì)劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)

IT之家 5 月 21 日消息，綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報(bào)道，三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會(huì)上表示該企業(yè)計(jì)劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上：一種是 4F2 VCT（IT之家注：Vertical Channel Transistor，垂直通道晶體管） DRAM；另一種是 VS-CAT（Vertical Stacke
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三星和SK海力士計(jì)劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3

近兩年，DRAM市場(chǎng)已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲(chǔ)器市場(chǎng)經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場(chǎng)需求量進(jìn)一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場(chǎng)消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動(dòng)DDR3內(nèi)存的價(jià)格上漲，預(yù)計(jì)漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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SK 海力士、三星電子：整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存

IT之家 5 月 14 日消息，據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道，兩大存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示，整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM，HBM 內(nèi)存坐擁更高單價(jià)，不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因，對(duì)晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長(zhǎng)的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下，三星電子代表預(yù)計(jì)，不僅 HBM 內(nèi)存，通用 DRAM（如標(biāo)準(zhǔn) DDR5）的價(jià)格年內(nèi)也不會(huì)
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SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
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第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%；NAND Flash約15~20%

據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%；NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%，全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小，約10%。403地震發(fā)生前，TrendForce集邦咨詢?cè)阮A(yù)估，第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%；NAND Flash為13~18%，相較第一季漲幅明顯收斂，當(dāng)時(shí)從合約價(jià)先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價(jià)格就可看出，現(xiàn)貨價(jià)已出現(xiàn)連續(xù)走弱，上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因，主要是除了AI以外的終端需求不振，尤其筆電、智能手機(jī)
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2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%，占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成

根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM（Conventional DRAM）高出數(shù)倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%，至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。2024年HBM
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5G加速聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

聯(lián)電昨（2）日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案，此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù)，在不損耗射頻（RF）效能下，可將芯片尺寸縮小逾45％，聯(lián)電表示，此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR，為加速5G世代鋪路，且該制程已獲得多項(xiàng)國(guó)際專利，準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。聯(lián)電表示，RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對(duì)頻段數(shù)量需求的不斷增長(zhǎng)，聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案，利用晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù)，并解決了芯片堆棧時(shí)常見的射頻干擾問題，將裝置中
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聯(lián)電：3D IC解決方案已獲得客戶采用，預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

近日，晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會(huì)，公布2024年第一季財(cái)報(bào)，合并營(yíng)收546.3億元新臺(tái)幣，較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%，較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長(zhǎng)0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%，歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示，由于電腦領(lǐng)域需求回升，第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(zhǎng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%，成本控管及營(yíng)運(yùn)效率提升，仍維持相對(duì)穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下，特殊制程占總營(yíng)收
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SK海力士計(jì)劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地

自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應(yīng)對(duì)AI半導(dǎo)體需求的急劇增長(zhǎng)，計(jì)劃擴(kuò)大AI基礎(chǔ)設(shè)施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會(huì)批準(zhǔn)該計(jì)劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬億韓元用于建設(shè)新工廠。該工廠計(jì)劃于4月底開始建設(shè)，目標(biāo)是在2025年11月完工，并進(jìn)行早期批量生產(chǎn)。隨著設(shè)備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長(zhǎng)期總投資將超過20萬億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
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