3d dram 文章 進入3d dram技術(shù)社區(qū)
鎧俠公布藍(lán)圖:2027年實現(xiàn)1000層3D NAND堆疊
- 近日,據(jù)媒體報道,日本存儲芯片廠商鎧俠公布了3D NAND閃存發(fā)展藍(lán)圖,目標(biāo)2027年實現(xiàn)1000層堆疊。鎧俠表示,自2014年以來,3D NAND閃存的層數(shù)經(jīng)歷了顯著的增長,從初期的24層迅速攀升至2022年的238層,短短8年間實現(xiàn)了驚人的10倍增長。鎧俠正是基于這種每年平均1.33倍的增長速度,預(yù)測到2027年達(dá)到1000層堆疊的目標(biāo)是完全可行的。而這一規(guī)劃較此前公布的時間早了近3年,據(jù)日本媒體今年4月報道,鎧俠CTO宮島英史在71屆日本應(yīng)用物理學(xué)會春季學(xué)術(shù)演講會上表示,公司計劃于2030至2031
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服務(wù)器支撐下半年需求,預(yù)估DRAM價格第三季漲幅達(dá)8-13%
- 根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示,由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇,加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進一步拉高,使供應(yīng)商將延續(xù)漲價態(tài)度,第三季DRAM均價將持續(xù)上揚。DRAM價格漲幅達(dá)8~13%,其中Conventional DRAM漲幅為5-10%,較第二季漲幅略有收縮。TrendForce集邦咨詢指出,第二季買方補庫存意愿漸趨保守,供應(yīng)商及買方端的庫存水平未有顯著變化。觀察第三季,智能手機及CSPs仍具補庫存的空間,且將進入生產(chǎn)旺季,因此預(yù)計智能手機
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SK海力士5層堆疊3D DRAM新突破:良品率已達(dá)56.1%
- 6月25日消息,據(jù)媒體報道,SK海力士在近期于美國夏威夷舉行的VLSI 2024峰會上,重磅發(fā)布了關(guān)于3D DRAM技術(shù)的最新研究成果,展示了其在該領(lǐng)域的深厚實力與持續(xù)創(chuàng)新。據(jù)最新消息,SK海力士在3D DRAM技術(shù)的研發(fā)上取得了顯著進展,并首次詳細(xì)公布了其開發(fā)的具體成果和特性。公司正全力加速這一前沿技術(shù)的開發(fā),并已取得重大突破。SK海力士透露,目前其5層堆疊的3D DRAM良品率已高達(dá)56.1%,這一數(shù)據(jù)意味著在單個測試晶圓上,能夠成功制造出約1000個3D DRAM單元,其中超過一半(即561個)為良
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云端CSPs將擴大邊緣AI發(fā)展,帶動2025年NB DRAM 平均搭載容量增幅至少達(dá)7%
- 全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢觀察,2024年大型云端CSPs,如Microsoft、Google、Meta、AWS等廠商,將仍為采購高階主打訓(xùn)練用AI server的主力客群,以作為LLM及AI建模基礎(chǔ)。待2024年CSPs逐步完成建置一定數(shù)量AI訓(xùn)練用server基礎(chǔ)設(shè)施后,2025年將更積極從云端往邊緣AI拓展,包含發(fā)展較為小型LLM模型,以及建置邊緣AI server,促其企業(yè)客戶在制造、金融、醫(yī)療、商務(wù)等各領(lǐng)域應(yīng)用落地。此外,因AI PC或NB在計算機設(shè)備基本架構(gòu)組成與
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西門子推出Calibre 3DThermal軟件,持續(xù)布局3D IC市場
- ●? ?Calibre 3DThermal?可為?3D IC?提供完整的芯片和封裝內(nèi)部熱分析,幫助應(yīng)對從芯片設(shè)計和?3D?組裝的早期探索到項目?Signoff?過程中的設(shè)計與驗證挑戰(zhàn)●? ?新軟件集成了西門子先進的設(shè)計工具,能夠在整個設(shè)計流程中捕捉和分析熱數(shù)據(jù)西門子數(shù)字化工業(yè)軟件近日宣布推出?Calibre??3DThermal?軟件,可針對?3D?
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HBM供應(yīng)吃緊催生DRAM漲價 美光股價飆漲
- 內(nèi)存大廠美光預(yù)計6月26日公布季報,自美光的高帶寬內(nèi)存(HBM)開始供貨給輝達(dá)后,已化身為AI明星股,年初至今,美光股價大漲近七成,市值大增636.26億美元,至1,545.22億美元。 市場分析師預(yù)期,美光經(jīng)營層將大談需求改善、行業(yè)供應(yīng)緊張、價格進一步上揚,以及他們供應(yīng)給輝達(dá)和其他AI芯片廠商的HBM,下一世代的發(fā)展,提出對后市正向的看法。由于AI應(yīng)用的需求,人們對DRAM、HBM的興趣與日俱增,且內(nèi)存市場通常存在「FOMO」(Fear of missing out)現(xiàn)象,意思是「害怕錯失機會」,在美光
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美光后里廠火災(zāi) 公司聲明營運未受任何影響
- 中國臺灣美光內(nèi)存后里廠20日下午5點34分發(fā)生火警,火勢快速撲滅,無人傷亡,美光昨深夜發(fā)出聲明指出,臺中廠火警廠區(qū)營運未受任何影響。 臺中市消防局昨日傍晚5時34分獲報,中國臺灣美光位在后里區(qū)三豐路的廠房發(fā)生火災(zāi),消防局抵達(dá)時廠區(qū)人員已將火勢撲滅,無人受傷,原因有待厘清。根據(jù)經(jīng)濟日報報導(dǎo),美光針對臺中廠火警一事發(fā)出聲明,經(jīng)查證所有員工與承包商安全無虞,且廠區(qū)營運未受任何影響。美光是國際三大DRAM廠商,市占約19.2%,與前兩大三星及SK海力士合計市占達(dá)96%。美光高達(dá)65%的DRAM產(chǎn)品在中國臺灣生產(chǎn),
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通用 DRAM 內(nèi)存仍供大于求,消息稱三星、SK 海力士相關(guān)產(chǎn)線開工率維持 80~90%
- IT之家 6 月 19 日消息,韓媒 ETNews 援引業(yè)內(nèi)人士的話稱,韓國兩大存儲巨頭三星電子和 SK 海力士目前的通用 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)能利用率維持在 80~90% 水平。韓媒宣稱,這一情況同主要企業(yè)已實現(xiàn)生產(chǎn)正?;?NAND 閃存產(chǎn)業(yè)形成鮮明對比:除鎧俠外,三星電子和 SK 海力士也已于本季度實現(xiàn) NAND 產(chǎn)線滿負(fù)荷運行。報道指出,目前通用 DRAM (IT之家注:即常規(guī) DDR、LPDDR)需求整體萎靡,市場仍呈現(xiàn)供大于求的局面,是下游傳統(tǒng)服務(wù)器、智能手機和 PC 產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇緩慢導(dǎo)致的
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合約價勁漲護身 DRAM不怕淡季 Q1營收季增
- 2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè),受到主流產(chǎn)品合約價走揚、且漲幅較2023年第四季擴大,帶動營收較前一季度成長5.1%,達(dá)183.5億美元,推動多數(shù)業(yè)者營收呈季增趨勢。TrendForce指出,第一季三大原廠出貨皆季減,反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng),加上下游業(yè)者的庫存水平墊高,采購量明顯衰退。三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價上漲氛圍,再加上庫存仍處于健康水位,漲價意圖強烈。其中,中系手機銷售暢旺,帶動mobile DRAM的價格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用,而consumer DRAM的原廠庫存仍待去化,拖累價格漲幅居所有應(yīng)用之
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合約價上漲抵消淡季效應(yīng),推升DRAM第一季營收季增5.1%
- 根據(jù)全球市場研究機構(gòu)TrendForce集邦咨詢調(diào)查顯示,2024年第一季DRAM產(chǎn)業(yè)主流產(chǎn)品合約價走揚、且漲幅較2023年第四季擴大,帶動營收較前一季度成長5.1%,達(dá)183.5億美元,推動多數(shù)業(yè)者營收延續(xù)季增趨勢。出貨表現(xiàn)上,第一季三大原廠皆出現(xiàn)季減,反映產(chǎn)業(yè)淡季效應(yīng),加上下游業(yè)者的庫存水平已墊高,采購量明顯減弱。平均銷售單價方面,三大原廠延續(xù)著2023年第四季合約價上漲氛圍,再加上庫存仍處于健康水位,故漲價意愿強烈。其中,中系手機銷售暢旺,帶動Mobile DRAM的價格漲幅領(lǐng)先所有應(yīng)用,而Co
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南亞科技:首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 明年初試產(chǎn)
- IT之家 5 月 30 日消息,綜合臺媒《工商時報》《經(jīng)濟日報》報道,南亞科技在昨日的年度股東常會上表示,其首款 1C nm 制程 DRAM 內(nèi)存產(chǎn)品 16Gb DDR5 顆粒將于明年初進入試產(chǎn)階段。南亞科技目前已在進行 1B nm 制程的 DRAM 試產(chǎn),涵蓋 8/4Gb DDR4 內(nèi)存和 16Gb DDR5 內(nèi)存。南亞科技表示其首批 DDR5 內(nèi)存將在下半年少量試產(chǎn),明年進一步提升產(chǎn)量。此外南亞科技還在 1B nm 節(jié)點規(guī)劃了 16Gb DDR5 迭代版本、16Gb LPDDR5 內(nèi)存、16
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美光計劃投資約300億元在日本新建DRAM廠
- 據(jù)日媒報道,美光科技計劃投入6000億-8000億日圓(約合人民幣277-369億元)在日本廣島縣興建新廠,用于生產(chǎn)DRAM芯片。這座新廠房將于2026年初動工,并安裝極紫外光刻(EUV)設(shè)備。消息稱最快2027年底便可投入營運。報道稱,此前,日本政府已批準(zhǔn)多達(dá)1920億日圓補貼,支持美光在廣島建廠并生產(chǎn)新一代芯片。去年,日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省曾表示,將利用這筆經(jīng)費協(xié)助美光科技生產(chǎn)芯片,這些芯片將是推動生成式AI、數(shù)據(jù)中心和自動駕駛技術(shù)發(fā)展的關(guān)鍵。
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HBM火熱效應(yīng) DRAM下半年 可望供不應(yīng)求
- 三星、SK海力士及美光等國際內(nèi)存巨擘,皆積極投入高帶寬內(nèi)存(HBM)制程,法人表示,在產(chǎn)能排擠效應(yīng)下,下半年DRAM產(chǎn)品恐供不應(yīng)求,預(yù)期南亞科、威剛及十銓等業(yè)者受惠。據(jù)TrendForce研究,DRAM原廠提高先進制程投片,產(chǎn)能提升將集中今年下半年,預(yù)期1alpha nm(含)以上投片,至年底將占DRAM總投片比重約40%。由于HBM獲利表現(xiàn)佳,加上需求續(xù)增,生產(chǎn)排序最優(yōu)先。以HBM最新發(fā)展進度來看,2024年HBM3e將是市場主流,集中在2024年下半年出貨。SK海力士依舊是主要供貨商,與美光均采1be
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邁向 3D 內(nèi)存:三星電子計劃 2025 年完成 4F2 VCT DRAM 原型開發(fā)
- IT之家 5 月 21 日消息,綜合韓媒 ZDNet Korea 和 The Elec 報道,三星電子執(zhí)行副總裁 Lee Siwoo 在本月舉行的 IEEE IMW 2024 研討會上表示該企業(yè)計劃在明年推出 4F2 VCT DRAM 原型。目前 3D DRAM 領(lǐng)域商業(yè)化研究集中在兩種結(jié)構(gòu)上:一種是 4F2 VCT(IT之家注:Vertical Channel Transistor,垂直通道晶體管) DRAM;另一種是 VS-CAT(Vertical Stacke
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三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年,DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡,此外在存儲器市場經(jīng)歷低迷后,供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場需求量進一步減少,更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場消息稱,全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存,全力沖刺高帶寬內(nèi)存(HBM)與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存,很可能帶動DDR3內(nèi)存的價格上漲,預(yù)計漲幅最高可達(dá)20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3;而SK海力士則在去年
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3d dram介紹
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d dram的理解,并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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