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          SK 海力士、三星電子:整體 DRAM 生產(chǎn)線已超兩成用于 HBM 內(nèi)存

          • IT之家 5 月 14 日消息,據(jù)韓媒 Hankyung 報(bào)道,兩大存儲(chǔ)巨頭 SK 海力士、三星電子在出席本月早前舉行的投資者活動(dòng)時(shí)表示,整體 DRAM 生產(chǎn)線中已有兩成用于 HBM 內(nèi)存的生產(chǎn)。相較于通用 DRAM,HBM 內(nèi)存坐擁更高單價(jià),不過由于 TSV 工藝良率不佳等原因,對(duì)晶圓的消耗量是傳統(tǒng)內(nèi)存的兩倍乃至三倍。內(nèi)存企業(yè)唯有提升產(chǎn)線占比才能滿足不斷成長(zhǎng)的 HBM 需求。正是在這種“產(chǎn)能占用”的背景下,三星電子代表預(yù)計(jì),不僅 HBM 內(nèi)存,通用 DRAM(如標(biāo)準(zhǔn) DDR5)的價(jià)格年內(nèi)也不會(huì)
          • 關(guān)鍵字: 海力士  三星  DRAM  

          SK海力士試圖用低溫蝕刻技術(shù)生產(chǎn)400多層的3D NAND

          • 在-70°C 下工作的蝕刻工具有獨(dú)特的性能。
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  3D NAND  

          第二季DRAM合約價(jià)漲幅上修至13~18%;NAND Flash約15~20%

          • 據(jù)TrendForce集邦咨詢最新預(yù)估,第二季DRAM合約價(jià)季漲幅將上修至13~18%;NAND Flash合約價(jià)季漲幅同步上修至約15~20%,全線產(chǎn)品僅eMMC/UFS價(jià)格漲幅較小,約10%。403地震發(fā)生前,TrendForce集邦咨詢?cè)阮A(yù)估,第二季DRAM合約價(jià)季漲幅約3~8%;NAND Flash為13~18%,相較第一季漲幅明顯收斂,當(dāng)時(shí)從合約價(jià)先行指標(biāo)的現(xiàn)貨價(jià)格就可看出,現(xiàn)貨價(jià)已出現(xiàn)連續(xù)走弱,上漲動(dòng)能低落、交易量降低等情況。究其原因,主要是除了AI以外的終端需求不振,尤其筆電、智能手機(jī)
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NAND Flash  TrendForce  

          2025年HBM價(jià)格調(diào)漲約5~10%,占DRAM總產(chǎn)值預(yù)估將逾三成

          • 根據(jù)TrendForce集邦咨詢資深研究副總吳雅婷表示,受惠于HBM銷售單價(jià)較傳統(tǒng)型DRAM(Conventional DRAM)高出數(shù)倍,相較DDR5價(jià)差大約五倍,加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機(jī)搭載容量擴(kuò)大,推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面,2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%,至2025年占比預(yù)估將超過10%。產(chǎn)值方面,2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預(yù)估可逾20%,至2025年占比有機(jī)會(huì)逾三成。2024年HBM
          • 關(guān)鍵字: HBM  DRAM  TrendForce  

          5G加速 聯(lián)電首推RFSOI 3D IC解決方案

          • 聯(lián)電昨(2)日所推出業(yè)界首項(xiàng)RFSOI 3D IC解決方案,此55奈米R(shí)FSOI制程平臺(tái)上所使用的硅堆棧技術(shù),在不損耗射頻(RF)效能下,可將芯片尺寸縮小逾45%,聯(lián)電表示,此技術(shù)將應(yīng)用于手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)和AR/VR,為加速5G世代鋪路,且該制程已獲得多項(xiàng)國(guó)際專利,準(zhǔn)備投入量產(chǎn)。 聯(lián)電表示,RFSOI是用于低噪聲放大器、開關(guān)和天線調(diào)諧器等射頻芯片的晶圓制程。隨著新一代智能手機(jī)對(duì)頻段數(shù)量需求的不斷增長(zhǎng),聯(lián)電的RFSOI 3D IC解決方案,利用晶圓對(duì)晶圓的鍵合技術(shù),并解決了芯片堆棧時(shí)常見的射頻干擾問題,將裝置中
          • 關(guān)鍵字: 5G  聯(lián)電  RFSOI  3D IC  

          聯(lián)電:3D IC解決方案已獲得客戶采用,預(yù)計(jì)今年量產(chǎn)

          • 近日,晶圓代工大廠聯(lián)電舉行法說會(huì),公布2024年第一季財(cái)報(bào),合并營(yíng)收546.3億元新臺(tái)幣,較2023年第四季549.6億元新臺(tái)幣減少0.6%,較2023年第一季542.1億元新臺(tái)幣成長(zhǎng)0.8%。第一季毛利率達(dá)30.9%,歸屬母公司凈利104.6億元新臺(tái)幣。聯(lián)電共同總經(jīng)理王石表示,由于電腦領(lǐng)域需求回升,第一季晶圓出貨量較2023年第四季成長(zhǎng)4.5%。盡管產(chǎn)能利用率微幅下降至65%,成本控管及營(yíng)運(yùn)效率提升,仍維持相對(duì)穩(wěn)健獲利。電源管理芯片、RFSOI芯片和人工智能AI服務(wù)器矽中介層需求推動(dòng)下,特殊制程占總營(yíng)收
          • 關(guān)鍵字: 聯(lián)電  3D IC  

          SK海力士計(jì)劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地

          • 自SK海力士官網(wǎng)獲悉,4月24日,SK海力士宣布,為應(yīng)對(duì)AI半導(dǎo)體需求的急劇增長(zhǎng),計(jì)劃擴(kuò)大AI基礎(chǔ)設(shè)施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示,若理事會(huì)批準(zhǔn)該計(jì)劃,三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地,并投資5.3萬億韓元用于建設(shè)新工廠。該工廠計(jì)劃于4月底開始建設(shè),目標(biāo)是在2025年11月完工,并進(jìn)行早期批量生產(chǎn)。隨著設(shè)備投資的逐步增加,新生產(chǎn)基地的長(zhǎng)期總投資將超過20萬億韓元。(圖源:SK海力士官網(wǎng))SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱,M15X將成
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  AI  DRAM  

          如何減少光學(xué)器件的數(shù)據(jù)延遲

          • 光子學(xué)和電子學(xué)這兩個(gè)曾經(jīng)分離的領(lǐng)域似乎正在趨于融合。
          • 關(guān)鍵字: 3D-IC  

          Zivid最新SDK 2.12:捕獲透明物體,最先進(jìn)的點(diǎn)云

          • Zivid最新SDK2.12正式發(fā)布,是對(duì)我們3D視覺相機(jī)的一次絕佳更新。本次發(fā)布中,我們?nèi)碌腛mni Engine有了更驚人的性能提高。Omni v2提供了更長(zhǎng)的工作距離,速度更快,點(diǎn)云質(zhì)量更好,特別是在透明物體上。升級(jí)要點(diǎn)· Omni Engine v.2我們用于捕捉透明度的最先進(jìn)的3D技術(shù)已經(jīng)獲得了重大升級(jí)。Omni v2顯著減少了與成像透明物體相關(guān)的點(diǎn)云偽影和錯(cuò)誤并且可以比以前快約35%地生成這些高質(zhì)量的點(diǎn)云。當(dāng)在高端GPU上運(yùn)行時(shí),我們推薦的預(yù)設(shè)和配置的捕獲時(shí)間從490毫秒減少到約315毫秒。
          • 關(guān)鍵字: Zivid  3D  機(jī)器人  

          存儲(chǔ)大廠技術(shù)之爭(zhēng)愈演愈烈

          • AI、大數(shù)據(jù)等應(yīng)用催生海量存儲(chǔ)數(shù)據(jù)需求,也對(duì)存儲(chǔ)技術(shù)提出了更高要求,這一背景下,存儲(chǔ)大廠技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)愈演愈烈。閃存方面,大廠聚焦層數(shù)突破。近期,韓媒報(bào)道,三星電子預(yù)計(jì)將于本月晚些時(shí)候量產(chǎn)第九代V-NAND閃存,該公司已于2022年量產(chǎn)了236層第八代V-NAND閃存,即將量產(chǎn)的第九代V-NAND閃存將繼續(xù)使用雙閃存堆棧的結(jié)構(gòu),層數(shù)將達(dá)到290層。另?yè)?jù)業(yè)界預(yù)測(cè),三星未來第十代V-NAND層數(shù)有望達(dá)到430層,屆時(shí)三星將換用三堆棧結(jié)構(gòu)。而更遙遠(yuǎn)的未來,三星、鎧俠兩家廠商透露將發(fā)力1000層閃存。三星計(jì)劃2030年
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  TrendForce  

          美光:預(yù)計(jì)臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)本季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成中等個(gè)位數(shù)百分比影響

          • IT之家 4 月 12 日消息,美光于 10 日向美國(guó)證券交易委員會(huì) SEC 遞交 8-K 重大事項(xiàng)公告,預(yù)計(jì)本月初的臺(tái)灣地區(qū)地震對(duì)其二季度 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)造成“中等個(gè)位數(shù)百分比”的影響。美光在臺(tái)灣地區(qū)設(shè)有桃園和臺(tái)中兩座生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)。根據(jù) TrendForce 集邦咨詢此前報(bào)告,地震導(dǎo)致當(dāng)時(shí)桃園產(chǎn)線上超六成的晶圓報(bào)廢。美光在公告中表示美光全體員工安然無恙,設(shè)施、基建和生產(chǎn)工具未遭受永久性損害,長(zhǎng)期 DRAM 內(nèi)存供應(yīng)能力也沒有遇到影響。直至公告發(fā)稿時(shí),美光尚未在震后全面恢復(fù) DRAM 生產(chǎn),但得
          • 關(guān)鍵字: DRAM  閃存  美光  

          3D DRAM進(jìn)入量產(chǎn)倒計(jì)時(shí)

          • 在 AI 服務(wù)器中,內(nèi)存帶寬問題越來越凸出,已經(jīng)明顯阻礙了系統(tǒng)計(jì)算效率的提升。眼下,HBM 內(nèi)存很火,它相對(duì)于傳統(tǒng) DRAM,數(shù)據(jù)傳輸速度有了明顯提升,但是,隨著 AI 應(yīng)用需求的發(fā)展,HBM 的帶寬也有限制,而理論上的存算一體可以徹底解決「存儲(chǔ)墻」問題,但該技術(shù)產(chǎn)品的成熟和量產(chǎn)還遙遙無期。在這樣的情況下,3D DRAM 成為了一個(gè) HBM 之后的不錯(cuò)選擇。目前,各大內(nèi)存芯片廠商,以及全球知名半導(dǎo)體科研機(jī)構(gòu)都在進(jìn)行 3D DRAM 的研發(fā)工作,并且取得了不錯(cuò)的進(jìn)展,距離成熟產(chǎn)品量產(chǎn)不遠(yuǎn)了。據(jù)首爾半導(dǎo)體行業(yè)
          • 關(guān)鍵字: 3D DRAM  

          3D NAND,1000層競(jìng)爭(zhēng)加速!

          • 據(jù)國(guó)外媒體Xtech Nikkei報(bào)道,日本存儲(chǔ)芯片巨頭鎧俠(Kioxia)首席技術(shù)官(CTO)Hidefumi Miyajima近日在東京城市大學(xué)的應(yīng)用物理學(xué)會(huì)春季會(huì)議上宣布,該公司計(jì)劃到2031年批量生產(chǎn)超過1000層的3D NAND Flash芯片。眾所周知,在所有的電子產(chǎn)品中,NAND閃存應(yīng)用幾乎無處不在。而隨著云計(jì)算、大數(shù)據(jù)以及AI人工智能的發(fā)展,以SSD為代表的大容量存儲(chǔ)產(chǎn)品需求高漲,堆疊式閃存因此而受到市場(chǎng)的青睞。自三星2013年設(shè)計(jì)出垂直堆疊單元技術(shù)后,NAND廠商之間的競(jìng)爭(zhēng)便主要集中在芯
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  集邦咨詢  

          加注西安工廠 美光期待引領(lǐng)創(chuàng)芯長(zhǎng)安

          • 怎么證明企業(yè)對(duì)某個(gè)市場(chǎng)的未來充滿信心?頻繁來華喊口號(hào)還是推定制芯片?一邊提升銷售預(yù)期一邊減少研發(fā)團(tuán)隊(duì)?或者是縮減產(chǎn)能加大宣傳力度?商業(yè)行為還真是要靠真金白銀才能體現(xiàn)誠(chéng)意,對(duì)中國(guó)市場(chǎng)最有信心的表示當(dāng)然是加大中國(guó)市場(chǎng)的投資力度。 3月27日,美光科技舉辦了新廠房動(dòng)工奠基儀式,宣告2023年6月公布的美光西安工廠價(jià)值43億元人民幣的擴(kuò)建工程正式破土動(dòng)工,該項(xiàng)目是2020年以來國(guó)外半導(dǎo)體企業(yè)在國(guó)內(nèi)最大的工廠投資建設(shè)工程。據(jù)悉,這個(gè)項(xiàng)目除了加建新廠房,還會(huì)引入全新產(chǎn)線,制造更廣泛的產(chǎn)品解決方案,例如移動(dòng)DRAM、N
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

          三星否認(rèn)將 MR-MUF 堆疊方案引入 HBM 生產(chǎn),稱現(xiàn)有 TC-NCF 方案效果良好

          • IT之家 3 月 14 日消息,據(jù)韓媒 NEWSIS 報(bào)道,三星電子否認(rèn)了近日路透社的說法,表示并未考慮使用 MR-RUF 方式生產(chǎn) HBM 內(nèi)存。HBM 由多層 DRAM 堆疊而成,目前連接各層 DRAM 的鍵合工藝主要有兩個(gè)流派:SK 海力士使用的 MR-RUF 和三星使用的 TC-NCF。MR-RUF 即批量回流模制底部填充,通過回流焊一次性粘合,然后同時(shí)用模塑料填充間隙;而 TC-NCF 中文稱熱壓非導(dǎo)電薄膜,是一種在各 DRAM 層間填充非導(dǎo)電薄膜(NCF)的熱壓鍵合方式。隨著 HBM
          • 關(guān)鍵字: 三星  MR-RUF  DRAM  HBM  
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          3d dram介紹

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