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3d dram
3d dram 文章 進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)
紫光國(guó)微:公司DRAM芯片與三星有很大差距,DDR4仍是主流產(chǎn)品
- 今年7月,三星宣布了8Gb LPDDR5內(nèi)存顆粒的正式量產(chǎn)。對(duì)此,有投資者在互動(dòng)平臺(tái)上提問(wèn),這是否會(huì)對(duì)紫光國(guó)微的DDR4前景造成影響?
- 關(guān)鍵字: 紫光國(guó)微,DRAM
晶圓廠、DRAM和3D NAND投資驅(qū)動(dòng),中國(guó)晶圓代工產(chǎn)能將于2020年達(dá)到全球20%份額
- 近日國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)SEMI公布了最新的中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng)報(bào)告,報(bào)告顯示,中國(guó)前端晶圓廠產(chǎn)能今年將增長(zhǎng)至全球半導(dǎo)體晶圓廠產(chǎn)能的16%,到2020年,這一份額將增加到20%。受跨國(guó)公司和國(guó)內(nèi)公司存儲(chǔ)和代工項(xiàng)目的推動(dòng),中國(guó)將在2020年的晶圓廠投資將以超過(guò)200億美元的支出,超越世界其他地區(qū),占據(jù)首位?! ?014年中國(guó)成立大基金以來(lái),促進(jìn)了中國(guó)集成電路供應(yīng)鏈的迅速增長(zhǎng),目前已成為全球半導(dǎo)體進(jìn)口最大的國(guó)家市場(chǎng)。SEMI指出,目前中國(guó)正在進(jìn)行或計(jì)劃開(kāi)展25個(gè)新的晶圓廠建設(shè)項(xiàng)目,代工廠、DRAM和3D
- 關(guān)鍵字: 晶圓 DRAM 3D NAND
今年全球半導(dǎo)體支出將首次突破1000億美元,內(nèi)存投資繼續(xù)瘋狂
- IC Insights預(yù)測(cè),今年半導(dǎo)體資本支出總額將增至1020億美元,這是該行業(yè)年均支出總額首次超過(guò)1000億美元。今年1020億美元的支出水平比2017年的933億美元增長(zhǎng)了9%,比2016年增長(zhǎng)了38%。預(yù)計(jì)存儲(chǔ)器IC占2018年半導(dǎo)體支出的53%,其中,閃存占資本支出的份額最大,而DRAM資本支出今年將以最高的速度繼續(xù)增長(zhǎng)?! ∪鐖D所示,超過(guò)一半的行業(yè)資本支出預(yù)計(jì)用于內(nèi)存尤其是DRAM和閃存生產(chǎn),包括對(duì)現(xiàn)有晶圓廠產(chǎn)線和全新制作設(shè)施的升級(jí)??偟膩?lái)說(shuō),預(yù)計(jì)今年內(nèi)存將占到半導(dǎo)體資本支出的53%,達(dá)到
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM
全球前15大半導(dǎo)體廠商排名:7家年增20%以上,中國(guó)大陸無(wú)一上榜
- 8月20日,研究機(jī)構(gòu)ICInsights發(fā)布了2018年上半年全球半導(dǎo)體供應(yīng)商Top15榜單,三星位居第一位,英特爾位居第二位。不過(guò)遺憾的是,中國(guó)大陸暫時(shí)沒(méi)有公司進(jìn)入這個(gè)榜單的前15名?! 「鶕?jù)發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,三星、英特爾、SK海力士、臺(tái)積電、鎂光排名榜單的前五位,相較于去年同期,這幾家公司都有比較明顯的增長(zhǎng),特別是三星、SK海力士以及鎂光,分列六至十五位的分別是博通、高通、東芝\東芝內(nèi)存、德州儀器、英偉達(dá)、西數(shù)\閃迪、英飛凌、恩智浦、意法半導(dǎo)體和聯(lián)發(fā)科。這里,英偉達(dá)數(shù)據(jù)最為搶眼,相較于去年同期,英偉
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
集邦咨詢(xún):DRAM價(jià)格已近高點(diǎn)
- 根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)調(diào)查顯示,2018年第二季由于供給吃緊情況延續(xù),帶動(dòng)整體DRAM報(bào)價(jià)走揚(yáng),DRAM總營(yíng)收較上季成長(zhǎng)11.3%,再創(chuàng)新高。除了圖像處理內(nèi)存(graphicDRAM)仍受惠于虛擬挖礦(cryptocurrency)需求的增溫,帶動(dòng)價(jià)格有15%顯著上漲外,其余各應(yīng)用類(lèi)別的內(nèi)存季漲幅約在3%左右?! ≌雇谌緝r(jià)格走勢(shì),DRAMeXchange指出,PC-OEM廠已陸續(xù)在七月份議定合約價(jià)格。就一線大廠定價(jià)來(lái)看,均價(jià)已來(lái)到34.5美元,較前一季上漲約1.5%
- 關(guān)鍵字: DRAM 美光
第三季利基型DRAM價(jià)格持平,DDR3具成本優(yōu)勢(shì)短期仍為主流
- 根據(jù)集邦咨詢(xún)半導(dǎo)體研究中心最新調(diào)查,DRAM原廠已陸續(xù)與客戶(hù)談定7月份利基型內(nèi)存合約價(jià),價(jià)格大致和6月相同。展望第三季,預(yù)期DDR4利基型內(nèi)存報(bào)價(jià)水平將較接近主流標(biāo)準(zhǔn)型與服務(wù)器內(nèi)存,因原廠可透過(guò)封裝打線形式的改變(bonding option)做產(chǎn)品類(lèi)別更換。DDR3則呈現(xiàn)相對(duì)穩(wěn)健的供需結(jié)構(gòu),報(bào)價(jià)預(yù)期沒(méi)有明顯變動(dòng)。整體而言,第三季利基型內(nèi)存價(jià)格走勢(shì)預(yù)估將持平?! DR3具成本優(yōu)勢(shì),短期仍為利基型記內(nèi)存主流 就產(chǎn)品應(yīng)用種類(lèi)觀察,首先在利基型內(nèi)存需求大宗的電視,今年出貨量持穩(wěn),約為2.157億臺(tái)。不過(guò)
- 關(guān)鍵字: DRAM DDR3
閃存降價(jià)利好可持續(xù)至2019下半年,大容量高性能SSD普及進(jìn)行時(shí)
- 幾年前突然“大火”的存儲(chǔ)行情,給業(yè)界帶來(lái)的極大的沖擊。在 PC 市場(chǎng)衰退后本就不多的 DIY 用戶(hù),要么咬牙買(mǎi)高價(jià)內(nèi)存(DRAM)和固態(tài)硬盤(pán)(SSD)、要么咬牙推遲或干脆直接放棄了裝機(jī)升級(jí)的計(jì)劃。當(dāng)然,市場(chǎng)也不是沒(méi)有好消息。據(jù)集邦咨詢(xún)(DRAMeXchange)所述,近期閃存降價(jià)的趨勢(shì),有望持續(xù)到 2019 上半年?! RAMeXchange 報(bào)告稱(chēng),2018 年 3~4 季度,NAND 閃存的平均銷(xiāo)售價(jià)格,預(yù)計(jì)將下降 10% 。集邦認(rèn)為,市場(chǎng)需求較低的情況下所增長(zhǎng)的產(chǎn)能,是推動(dòng)這一趨勢(shì)的主要原因。
- 關(guān)鍵字: 閃存 DRAM
IC Insights預(yù)測(cè):全球IC增長(zhǎng)和全球GDP增長(zhǎng)關(guān)聯(lián)日益密切
- 在最近發(fā)布的《麥克萊恩2018年中期報(bào)告》(McClean Report 2018)中,IC Insights預(yù)測(cè),2018-2022年全球GDP和IC市場(chǎng)相關(guān)系數(shù)將達(dá)到0.95,高于2010-2017年期間的0.88。 IC Insights描述了從2010年到2017年全球GDP增長(zhǎng)與IC市場(chǎng)增長(zhǎng)之間日益密切的關(guān)聯(lián),以及到2022年的最新預(yù)測(cè)?! ∪鐖D所示,在2010-2017年的時(shí)間段內(nèi),全球GDP增長(zhǎng)與IC市場(chǎng)增長(zhǎng)的相關(guān)系數(shù)為0.88,這是一個(gè)強(qiáng)勁的數(shù)字,因?yàn)橥耆嚓P(guān)為1.0。在此期間之前的3
- 關(guān)鍵字: DRAM NAND
中國(guó)存儲(chǔ)三大陣營(yíng)相繼試產(chǎn),兩年后或取得全球產(chǎn)業(yè)話(huà)語(yǔ)權(quán)
- 今年下半年,隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)、福建晉華、合肥長(zhǎng)鑫國(guó)內(nèi)三大存儲(chǔ)廠商相繼進(jìn)入試產(chǎn)階段,中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)將迎來(lái)發(fā)展的關(guān)鍵階段。業(yè)界認(rèn)為,國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)發(fā)展初期雖難大舉撼動(dòng)全球版圖,但或?qū)?duì)全球存儲(chǔ)市場(chǎng)價(jià)格走勢(shì)造成影響。 而隨著中美貿(mào)易局勢(shì)的緊張,以及中國(guó)監(jiān)管機(jī)構(gòu)正式啟動(dòng)對(duì)三星、美光、SK海力士等存儲(chǔ)機(jī)構(gòu)的反壟斷調(diào)查,中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展也愈發(fā)受到關(guān)注?! ∧壳?,中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)已經(jīng)形成以投入NAND Flash市場(chǎng)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)、專(zhuān)注于移動(dòng)式內(nèi)存的合肥長(zhǎng)鑫,以及致力于利基型內(nèi)存的福建晉華三大陣營(yíng)?! 〗趥鞒龊戏书L(zhǎng)鑫投產(chǎn)8
- 關(guān)鍵字: NAND DRAM
美光科技就中國(guó)福建省專(zhuān)利訴訟案件的聲明
- 美光科技有限公司(納斯達(dá)克代碼:MU)宣布,中國(guó)福建省福州市中級(jí)人民法院于今日通知美光科技的兩家中國(guó)子公司,針對(duì)聯(lián)華電子股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“聯(lián)電”)與福建省晉華集成電路有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“晉華”)提起專(zhuān)利侵權(quán)訴訟的案件,該法院已批準(zhǔn)向美光科技兩子公司裁定初步禁令。這次聯(lián)電和晉華提起專(zhuān)利侵權(quán)訴訟,實(shí)為報(bào)復(fù)此前臺(tái)灣檢察機(jī)關(guān)針對(duì)聯(lián)電及其三名員工侵犯美光商業(yè)機(jī)密提起的刑事訴訟,以及美光科技就此針對(duì)聯(lián)電和晉華向美國(guó)加利福尼亞北區(qū)聯(lián)邦地區(qū)法院提起的民事訴訟?! ≡摮醪浇罱姑拦饪萍純芍袊?guó)子公司在中國(guó)制造、銷(xiāo)
- 關(guān)鍵字: 美光科技 DRAM NAND
重拳!美芯片巨頭在華遭禁售
- 此次對(duì)美國(guó)芯片巨頭美光(Micron)發(fā)出“訴中禁令”雖不是最終判決,但似乎暗示美光確實(shí)存在侵權(quán)行為。而這是中國(guó)發(fā)展半導(dǎo)體一路被指稱(chēng)“竊密”和“侵權(quán)”以來(lái),首次成功重拳回?fù)簟?/li>
- 關(guān)鍵字: 芯片,美光,DRAM
3d dram介紹
您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d dram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d dram的理解,并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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