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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d dram

          存儲器產(chǎn)品供應(yīng)持續(xù)吃緊 下半年價格依然看漲

          •   隨著應(yīng)用不斷擴(kuò)大,及系統(tǒng)產(chǎn)品內(nèi)建容量持續(xù)擴(kuò)增,今年來半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶與內(nèi)存等多項產(chǎn)品市況熱絡(luò),在供應(yīng)持續(xù)吃緊下,各項產(chǎn)品下半年價格依然看漲。   南亞科總經(jīng)理李培瑛說,第2季DRAM市場狀況穩(wěn)定,下半年需求將比上半年好,對第3季并不悲觀。 聯(lián)合報系數(shù)據(jù)照   需求增加,供應(yīng)端產(chǎn)能卻未同步增加,導(dǎo)致半導(dǎo)體硅晶圓、磊晶、動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)、儲存型閃存(NAND Flash)及編碼型閃存(NOR Flash)今年來出現(xiàn)罕見同時供應(yīng)吃緊的情況。   隨著時序逐漸步入傳統(tǒng)旺季,加上短時間新產(chǎn)能
          • 關(guān)鍵字: 存儲器  DRAM  

          第三季度服務(wù)器DRAM合約價續(xù)揚,預(yù)估季增3%~8%

          •   集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)最新研究顯示,由于內(nèi)存供應(yīng)吃緊態(tài)勢尚未改變,今年第一季合約價上揚近四成,第二季合約價更進(jìn)一步上揚約一成水位;放眼第三季,出貨至一線廠的32GB服務(wù)器模組價格將來到260美元大關(guān),二線廠更會高于此價格水位,使得整體第三季價格將會持續(xù)季增3%~8%的幅度。   DRAMeXchange分析師劉家豪指出,受到服務(wù)器內(nèi)存的傳輸帶寬支持從2133MHz與2400MHz更進(jìn)一步提升到2666MHz,且主流容量甚至向上提升至32GB的挹注,下半年單機(jī)容量上的提升與
          • 關(guān)鍵字: 服務(wù)器  DRAM  

          如何玩轉(zhuǎn)DDR?要先從這五大關(guān)鍵技術(shù)下手

          • 差分時鐘是DDR的一個重要且必要的設(shè)計,但大家對CK#(CKN)的作用認(rèn)識很少,很多人理解為第二個觸發(fā)時鐘,其實它的真實作用是起到觸發(fā)時鐘校準(zhǔn)的作用。
          • 關(guān)鍵字: DDR  差分時鐘  DRAM  DDR2  

          存儲“芯”動態(tài):美光擴(kuò)產(chǎn)廣島DRAM廠 三星擬擴(kuò)充西安NAND Flash產(chǎn)能

          •   多數(shù)手機(jī)以不同存儲規(guī)格來區(qū)別高配版、標(biāo)準(zhǔn)版,而不同版本之間的差價可達(dá)到幾百元,這讓我們看到了作為四大通用芯片之一的存儲器的重要性。        半導(dǎo)體存儲器是一個高度壟斷的市場,其三大主流產(chǎn)品 DRAM,NAND Flash,NOR Flash 更是如此,尤其是前兩者,全球市場基本被前三大公司占據(jù),且近年來壟斷程度逐步加劇。以DRAM和NAND兩種主要存儲芯片為例,2016年第一季度,DRAM市場93%份額由韓國三星、海力士和美國美光科技三家占據(jù),而NAND Flash市場幾乎全
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

          微軟與Rambus合作研發(fā)超低溫DRAM存儲系統(tǒng)

          •   量子計算機(jī)如今已經(jīng)成為科技巨頭們爭奪的新高地,IBM、谷歌都涉獵其中。   現(xiàn)在,微軟也要在量子計算領(lǐng)域發(fā)揮能量了。   半導(dǎo)體技術(shù)公司Rambus最新宣布已經(jīng)與微軟達(dá)成合作,雙方將研發(fā)一種能夠在零下180攝氏度環(huán)境下穩(wěn)定運行的DRAM系統(tǒng),為未來的量子計算機(jī)服務(wù)。   Rambus研究所副總裁GaryBronner介紹稱,與微軟的合作旨在零下180攝氏度環(huán)境下提升DRAM系統(tǒng)的容量和運算效率,并且降低功耗。   同時,高速串行/并行鏈路也能夠在低溫和超導(dǎo)環(huán)境中有效運行,從而確保整個存儲系統(tǒng)在
          • 關(guān)鍵字: 微軟  DRAM  

          第一季PC DRAM合約價格上漲約三成

          •   集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心(DRAMeXchange)表示,2017年第一季度的DRAM產(chǎn)業(yè)營收表現(xiàn)再度創(chuàng)下新高。從價格方面來看,由于去年第四季嚴(yán)重供不應(yīng)求,多數(shù)PC-OEM廠商選擇提早在去年12月洽談第一季的合約價以確保供貨穩(wěn)定,使得第一季合約價再度上漲超過三成,亦帶動其他內(nèi)存類別同步上揚,如服務(wù)器內(nèi)存在第一季的價格上揚也相當(dāng)可觀,移動式內(nèi)存價格也有近一成的漲幅。   DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,第一季DRAM總體營收較上季大幅成長約13.4%。從市場面來觀察,原廠產(chǎn)能增加的效應(yīng)最快在
          • 關(guān)鍵字: DRAM  

          麥格理分析師:DRAM和Flash價格會持續(xù)漲到年底

          •   據(jù)外媒報道,存儲芯片市場上周出現(xiàn)降溫雜音,麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。   他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價格仍會續(xù)漲,有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價。   據(jù)巴隆周刊(Barron's)報導(dǎo),Daniel Kim發(fā)布報告說:「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲芯片市場今年下半年會比預(yù)期更強(qiáng)。 」他看好存儲芯片價格會持續(xù)漲到今年底。   整體來說,Daniel Kim認(rèn)為芯片價格上漲,即暴露看空論點的瑕疵。   他指出,建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
          • 關(guān)鍵字: DRAM  Flash  

          傳日本硅晶圓廠下砍大陸訂單 優(yōu)先供貨臺/美/日半導(dǎo)體大廠

          •   全球硅晶圓缺貨嚴(yán)重,已成為半導(dǎo)體廠營運成長瓶頸,后續(xù)恐將演變成國家級的戰(zhàn)火,半導(dǎo)體業(yè)者透露,日本硅晶圓大廠Sumco決定出手下砍大陸NOR Flash廠武漢新芯的硅晶圓訂單,優(yōu)先供貨給臺積電、英特爾(Intel)、美光(Micron)等大廠,不僅加重NOR Flash短缺情況,日系供應(yīng)商供貨明顯偏向臺、美、日廠,恐讓大陸半導(dǎo)體發(fā)展陷入硅晶圓不足困境。   硅晶圓已成為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的關(guān)鍵物資,過去10年來硅晶圓產(chǎn)能都是處于供過于求狀態(tài),如今硅晶圓卻面臨缺貨,且已缺到影響半導(dǎo)體廠生產(chǎn)線運作,尤其是12吋規(guī)
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  DRAM  

          一文看懂3D Xpoint! 它估將在未來引爆內(nèi)存市場革命

          • 隨著挑戰(zhàn) 3D Xpoint 的非易失性存儲技術(shù)逐漸出現(xiàn),傳統(tǒng)的 NAND Flash 依然有很長的路要走,直到 2025 年,這個技術(shù)都是安然無憂的。 因此,NAND Flash 暫時不會被 3D Xpoint 技術(shù)取代。
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  

          高盛:DRAM漲勢將趨冷明年轉(zhuǎn)跌

          •   據(jù)外電報道,高盛判斷,DRAM價格漲勢可能在未來幾季降溫, 2018年價格也許會轉(zhuǎn)跌,決定調(diào)降內(nèi)存大廠美光評等。   巴倫周刊8日報導(dǎo),高盛的Mark Delaney報告表示,過去四個季度以來,DRAM毛利不斷提高。 過往經(jīng)驗顯示,DRAM榮景通常持續(xù)四到九季,此一趨勢代表DRAM多頭循環(huán)已經(jīng)來到中后段。 業(yè)界整合使得本次價格高點,比以往更高。   Delaney強(qiáng)調(diào),和DRAM業(yè)界人士談話發(fā)現(xiàn),DRAM現(xiàn)貨價的成長動能放緩,價格似乎觸頂或略為下滑。 NAND情況較不嚴(yán)重;產(chǎn)業(yè)人士表示,NAND價
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          后PC時代 移動型DRAM成市場主力

          •   三星挾帶存儲器產(chǎn)業(yè)龍頭優(yōu)勢,本季營收可望超越英特爾而榮登半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)王座,證明了后PC時代的到來,隨著移動產(chǎn)業(yè)、物聯(lián)網(wǎng)及智能汽車產(chǎn)業(yè)興起,讓原先并未擴(kuò)產(chǎn)的存儲器產(chǎn)業(yè)成為炙手可熱的領(lǐng)域,也使得三星更加壯大。   三星本次挾帶自家DRAM及NANDFlash報價急速攀升的氣勢,半導(dǎo)體制造事業(yè)可望躍居產(chǎn)業(yè)龍頭,原因正是DRAM及NANDFlash都受惠于智能手機(jī)搭載需求倍增,在制程轉(zhuǎn)換及產(chǎn)能已數(shù)年未擴(kuò)充等因素作用下,帶動存儲器報價上漲。   從DRAM角度來看,存儲器原廠中,有能力大量產(chǎn)出晶圓的僅有三星、
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  DRAM  

          三星投26億擴(kuò)展Line 17工廠10nm級DRAM內(nèi)存產(chǎn)能

          •   三星上月底發(fā)布了2017年Q1季度財報,營收只增加1.5%的情況下凈利潤大增46%,其中貢獻(xiàn)最多的就是閃存芯片部門,也就是DRAM內(nèi)存和NAND閃存。時至今日,DRAM、NAND閃存缺貨、漲價的情況都沒有緩解,現(xiàn)在還是供不應(yīng)求,好在三星、SK Hynix、美光等公司也加大了投資力度提升產(chǎn)能,其中三星也要斥資26.4億美元擴(kuò)產(chǎn)Line 17工廠,下半年加速10nm級DRAM內(nèi)存生產(chǎn)。   三星前不久才宣布了全球最大的半導(dǎo)體工廠平澤工廠竣工,那個是針對NAND閃存的,主力產(chǎn)品將是64層堆棧的3D NAN
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          新興內(nèi)存百家爭鳴 商品化腳步穩(wěn)健向前

          •   內(nèi)存是半導(dǎo)體的主力產(chǎn)品之一,目前主要由動態(tài)隨機(jī)存取內(nèi)存(DRAM)及具備非揮發(fā)特性的NAND閃存(Flash)為最重要的兩項產(chǎn)品。 不過,由于DRAM必須持續(xù)上電才能保存數(shù)據(jù),NAND Flash又有讀寫速度較DRAM慢,且讀寫次數(shù)相對有限的先天限制,因此內(nèi)存業(yè)者一直試圖發(fā)展出新的內(nèi)存架構(gòu),希望能兼具DRAM的速度、耐用度和NAND的非揮發(fā)特性。   根據(jù)研究機(jī)構(gòu)Tech Insights估計,包含STT-MRAM、FRAM、CBRAM、3D Xpoint等新世代內(nèi)存,都已陸續(xù)進(jìn)入小量生產(chǎn)階段。 不
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  

          2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐

          •   2016年全球前十大半導(dǎo)體業(yè)者排名出爐。據(jù)IHSMarkit所搜集的數(shù)據(jù)顯示,2016年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的營收成長2%,而前十大半導(dǎo)體業(yè)者的營收則成長2.3%,優(yōu)于產(chǎn)業(yè)平均水平。以個別產(chǎn)品類型來看,DRAM與NANDFlash是2016年營收成長動能最強(qiáng)的產(chǎn)品,成長幅度超過30%;車用半導(dǎo)體的市場規(guī)模也比2015年成長9.7%。   IHS預(yù)期,由于市場需求強(qiáng)勁,2017年內(nèi)存市場的營收規(guī)??赏賱?chuàng)新高,車用半導(dǎo)體市場的規(guī)模則有機(jī)會成長超過10%。整體來說,2017年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的表現(xiàn)將出現(xiàn)穩(wěn)健成長。
          • 關(guān)鍵字: DRAM  NANDFlash  
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          3d dram介紹

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