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南亞科:明年DRAM市場穩(wěn)健,Q1供貨仍吃緊
- 今年DRAM市場強(qiáng)勁成長,南亞科技(2408)預(yù)期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊,DRAM平均銷售單價(jià)走勢穩(wěn)健;展望2018,預(yù)期明年整體DRAM市場供需均衡且健康,市場將持續(xù)維持穩(wěn)健。 隨著人工智能、物聯(lián)網(wǎng)、智能汽車、高速運(yùn)算等應(yīng)用,促進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展,DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件,帶動(dòng)今年內(nèi)存市場強(qiáng)勁成長逾50%。 展望2018年,南亞科預(yù)期DRAM資本支出主要用于先進(jìn)制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能,DRAM位年成長率在20%~25%,預(yù)估2018年需求將較2017
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研調(diào):預(yù)計(jì)2017年DRAM市場銷售額增長74%至720億美元
- 縱觀2017年,隨著數(shù)據(jù)中心、服務(wù)器、智能手機(jī)和其他移動(dòng)產(chǎn)品對DRAM需求不斷提升,DRAM產(chǎn)能供不應(yīng)求,平均售價(jià)也在持續(xù)上漲。如圖1所示,IC Insights預(yù)計(jì)2017年第四季度DRAM銷售額將增至211億美元的歷史最好成績,與2016年第四季度的128億美元相比增長65%。 圖1 2015Q1-2017Q4的DRAM季度營收 IC Insights預(yù)計(jì)2017年全年DRAM的銷售額將達(dá)720億美元,年增長率達(dá)74%。這是自1993年(1994年的年增長率為78%)以來的歷史最好
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成本節(jié)省高達(dá)50%:Stratasys在中國市場推出全新經(jīng)濟(jì)型材料
- 3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys中國(以下簡稱Stratasys)宣布,專門為本地市場推出的兩款高性比新材料VeroDraft? 和FullCure 700?正式發(fā)布,即刻上市?! tratasys此次推出的兩款材料為本地市場帶來了高價(jià)值的新選擇,大大降低了專業(yè)3D打印應(yīng)用的門檻。這兩種材料均經(jīng)過優(yōu)化,可用于一般用途的原型制作。VeroDraft是一種剛性不透明光敏聚合物,可為形狀、匹配度與功能測試提供卓越的可視化效果和光滑表面。F
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2021年全球IC市場規(guī)模4345億美元 汽車與物聯(lián)網(wǎng)IC應(yīng)用成長最快
- 調(diào)研機(jī)構(gòu)IC Insights最新報(bào)告預(yù)估,全球整體IC市場規(guī)模將由2016年的2,977億美元,成長為2021年的4,345億美元。合計(jì)2016~2021年規(guī)模年復(fù)合成長率(CAGR)為7.9%。 在12類IC終端應(yīng)用主要產(chǎn)品中,僅游戲機(jī)與平板電腦產(chǎn)品用IC市場規(guī)模會(huì)出現(xiàn)下滑,其余如汽車、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)連結(jié)、手機(jī)等IC應(yīng)用市場規(guī)模都會(huì)呈現(xiàn)成長。其中以車用與物聯(lián)網(wǎng)連結(jié)用IC市場規(guī)模成長最快,成長幅度較整體IC高出70%。 預(yù)估2017年全球車用IC市場規(guī)模,將繼2016年成長11%(達(dá)2
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長
- DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求,三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后,SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%,全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng),是歷來漲勢最久的一次。 業(yè)界解讀,三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決,等于向全球宣告,韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心,消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格,防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 手機(jī)中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認(rèn)為,有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽,有點(diǎn)太看得起自己,雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段,要與三星、海力士抗衡,至少還需要
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馮丹:憶阻器RRAM最有希望取代DRAM
- 日前,一年一度的中國存儲(chǔ)峰會(huì)在北京如期舉行,“數(shù)據(jù)中流擊水,浪遏飛舟”是今年大會(huì)主題,論道存儲(chǔ)未來,讓數(shù)據(jù)釋放價(jià)值,業(yè)界嘉賓圍繞中國及全球存儲(chǔ)市場的現(xiàn)狀與發(fā)展趨勢進(jìn)行了深入解讀,干貨滿滿。下午第三分論壇,中國計(jì)算機(jī)協(xié)會(huì)信息存儲(chǔ)專委會(huì)主任馮丹作為開場嘉賓,就算存融合的憶阻器發(fā)展趨勢及RRAM(阻變存儲(chǔ)器)性能優(yōu)化方法展開主題演講。馮丹表示,當(dāng)前憶阻器呈現(xiàn)出大容量、計(jì)算與存儲(chǔ)深度融合的發(fā)展趨勢,而RRAM容量很大,速度快、能耗低,RRAM也認(rèn)為是下一代代替DRAM(動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器)
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DRAM下季度再漲5%,已連漲七季歷史最長
- DRAM嚴(yán)重供不應(yīng)求,三星明年首季再漲價(jià)3%至5%之后,SK海力士 下季也將漲價(jià)約5%,全球DRAM價(jià)格連續(xù)七季上揚(yáng),是歷來漲勢最久的一次。 業(yè)界解讀,三星、海力士下季漲價(jià)態(tài)度堅(jiān)決,等于向全球宣告,韓系大廠決定維持DRAM價(jià)格持穩(wěn)不墜的決心,消除外界認(rèn)為兩大韓廠打算調(diào)降售價(jià)格,防止中國DRAM競爭對手竄起的流言。 手機(jī)中國聯(lián)盟秘書長王艷輝認(rèn)為,有人說三星瘋狂擴(kuò)產(chǎn)存儲(chǔ)器是為了將中國存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)扼殺在萌芽,有點(diǎn)太看得起自己,雖然明年大陸存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)開始進(jìn)入試產(chǎn)階段,要與三星、海力士抗衡,至少還需要
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費(fèi)恩格爾:全面屏?xí)r代的3D—TOF
- 談到生物識(shí)別,有兩點(diǎn)不得不談,其中一個(gè)是算法,另一個(gè)便是傳感器。在費(fèi)恩格爾CEO黃昊看來,生物識(shí)別的關(guān)鍵在于算法,算法是提供今天生物識(shí)別行業(yè)的基礎(chǔ)。 細(xì)細(xì)看來,從光學(xué)指紋到電容指紋,從各種方案的支撐到小面陣的縮減再至屏下指紋、屏內(nèi)指紋,這是整個(gè)指紋識(shí)別技術(shù)更新的方向。2017年iPhone X發(fā)布的Face ID把生物識(shí)別在手機(jī)端的應(yīng)用提高到一個(gè)新高度,出現(xiàn)了人臉識(shí)別算法。不變的是,人臉識(shí)別在智能手機(jī)的出現(xiàn),它最重要的一個(gè)前提就是自學(xué)算法對傳統(tǒng)人臉識(shí)別算法的支撐。 指紋傳感器也被堪稱為生物
- 關(guān)鍵字: 全面屏 3D-TOF
三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺?
- 明年NAND flash究竟是漲是跌,多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告,開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn),預(yù)測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議,高喊各方錯(cuò)看,明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日報(bào)導(dǎo)(見此),IHS Markit報(bào)告預(yù)估,明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí),明年全球NAND需求提高36.7
- 關(guān)鍵字: 三星 DRAM
三星增產(chǎn)重心為DRAM、NAND明年續(xù)旺?
- 明年NAND flash究竟是漲是跌,多空激烈爭辯。摩根士丹利(大摩)唱衰NAND flash的報(bào)告,開了第一槍 。 如今IHS Markit也跟進(jìn),預(yù)測明年NAND將供過于求。 但是美系外資力排眾議,高喊各方錯(cuò)看,明年NAND供應(yīng)將持續(xù)吃緊。 韓媒BusinessKorea 5日報(bào)導(dǎo)(見此),IHS Markit報(bào)告預(yù)估,明年全球NAND flash供給將提高39.6%、至2,441億GB。 其中三星電子將帶頭增產(chǎn),預(yù)料供給將增39%至879億GB。 與此同時(shí),明年全球NAND需求提高36.7
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Stratasys加大中國市場投入
- 3D 打印和增材制造解決方案的全球領(lǐng)導(dǎo)者 Stratasys中國(以下簡稱Stratasys)在上海舉行辦公室喬遷暨打印服務(wù)中心開業(yè)儀式,以3倍于前的辦公環(huán)境配置,踏上市場開拓的新征程。上海辦公室擴(kuò)建之舉,也是為了將上海建成為Stratasys南亞總部,覆蓋除日韓之外的整個(gè)亞太市場,包括大中華區(qū)、印度、東南亞、澳大利亞、新西蘭等廣大地區(qū)。 Stratasys南亞總部暨上海打印服務(wù)中心開業(yè)儀式 Stratasys亞太及日本地區(qū)總裁Omer Krieger表示,“中國是正
- 關(guān)鍵字: Stratasys 3D 打印
Yole:供需失衡推動(dòng)存儲(chǔ)芯片價(jià)格上漲,市場年均增長9%
- 存儲(chǔ)器行業(yè)正處于強(qiáng)勁增長的階段。Yole在其《2017年存儲(chǔ)器封裝市場與技術(shù)》報(bào)告中預(yù)計(jì),2016~2022年整個(gè)存儲(chǔ)器市場的復(fù)合年增長率約為9%,到2022將達(dá)到1350億美元,DRAM和NAND市場份額合計(jì)約占95%。此外,供需失衡正推動(dòng)存儲(chǔ)器半導(dǎo)體芯片價(jià)格上漲,導(dǎo)致存儲(chǔ)器IDM廠商獲得創(chuàng)紀(jì)錄的利潤! 存儲(chǔ)器的需求來自各行各業(yè),特別是移動(dòng)和計(jì)算(主要是服務(wù)器)市場。平均而言,每部智能手機(jī)的DRAM內(nèi)存容量將增長三倍以上,預(yù)計(jì)到2022年將到6GB左右,而每部智能手機(jī)的NAND存儲(chǔ)器容量將增加
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 DRAM
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歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對3d dram的理解,并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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