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	3d dram
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          賽普拉斯率先推出采用低引腳數(shù)MCP封裝的串行存儲器解決方案，實現(xiàn)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應用的瞬時啟動
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　賽普拉斯半導體公司今日宣布其一款用于支持瞬時啟動應用的全新小尺寸存儲器解決方案已驗證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內(nèi)集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲器。該方案在一個低引腳數(shù)封裝內(nèi)結(jié)合了用于實現(xiàn)快速啟動和隨開隨用高速NOR閃存，和用于擴展便箋式存儲器的自刷新DRAM ，特別適合空間受限和成本優(yōu)化的嵌入式 設計。 該解決方案可用于廣泛的應用類別，包括
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          • 關鍵字：
                        賽普拉斯  DRAM                           
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          三星2Q'17起或?qū)⑷娌?0納米制程生產(chǎn)移動DRAM
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星電子(Samsung Electronics)被預估自2017年第2季開始，將全面采用20納米或以下的制程技術生產(chǎn)所有移動DRAM產(chǎn)品，意謂2017年第2季以后三星也將停止采用25納米制程技術生產(chǎn)移動DRAM芯片，由此顯示出三星在制程技術上的加速演進。
　　韓聯(lián)社等外媒報導，根據(jù)市場研究公司DRAMeXchange指出，據(jù)信在2016年第4季三星生產(chǎn)的移動DRAM芯片中，約94%已開始采用20納米或以下納米制程技術生產(chǎn)。
　　到目前三星移動DRAM芯片采20納米制程生產(chǎn)比重為82%、18納米為
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          • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          TrendForce：十月DRAM價格月漲逾20%，4GB模組均價來到17.5美元
          
                                                            
            
                    	
          • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，DRAM原廠與一線的PC-OEM(代工)大廠敲定第四季度的合約價格，4GB模組均價來到17.5美元，較上月的14.5美元上漲逾20%;現(xiàn)貨市場也依然維持強勁的上升格局，DDR3/4 4Gb價格分別來到2.46/2.48美元，較上月同期比較已上漲17%與24%，顯見市場對于后市上漲仍將持續(xù)保持樂觀的態(tài)度。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，觀察市場面，由于原廠產(chǎn)能陸續(xù)轉(zhuǎn)進行動式內(nèi)存與服務器內(nèi)存后，
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          • 關鍵字：
                        TrendForce  DRAM                          
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          韓國成立半導體希望基金鎖定存儲器研發(fā)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　南韓沖刺半導體業(yè)組成國家隊，由當?shù)厍皟纱髲S三星電子和SK海力士領軍，籌組總規(guī)模2,000億韓元的“半導體希望基金”，投資具發(fā)展?jié)摿Φ陌雽w相關企業(yè)。
　　三星、SK海力士是全球前兩大存儲器芯片商，單是DRAM領域，兩大廠市占率總和超過七成，具有絕對制價與技術領先優(yōu)勢，兩大廠領軍籌組南韓“半導體希望基金”，預料以存儲器相關業(yè)務為優(yōu)先，臺灣南亞科、華邦電等存儲器芯片廠，以及正在興起的大陸存儲器產(chǎn)業(yè)，短線將面臨更大壓力。
　　業(yè)界人士分析，此次南韓的&ld
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          • 關鍵字：
                        半導體  DRAM                          
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          傳三星 DRAM 明年邁 15 納米
          
                                                            
            
                    	
          • 　　三星電子智能手機吃悶棍，力拼內(nèi)存事業(yè)救業(yè)績!據(jù)傳三星為了穩(wěn)固龍頭地位，將在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM，對手 SK 海力士(SK Hynix)和美光(Micron)遠遠落后，技術差距約為一年半。
　　BusinessKorea 31 日報導，半導體產(chǎn)業(yè)透露，三星內(nèi)存部門今年初量產(chǎn) 18 納米制程 DRAM，準備在明年下半生產(chǎn) 15、16 納米 DRAM。同時，該公司將拉高 18 納米 DRAM 占整體 DRAM 的生產(chǎn)比重，目標明年下半提高至 30~40%。相關人士說，明年三星 10 納
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          • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          手機DRAM有漏洞，黑客可竊取手機最高權(quán)限
          
                                                            
            
                    	
          • 　　阿姆斯特丹自由大學(Vrije Universiteit Amsterdam)的漏洞安全實驗室VUSec Lab本周揭露了一個可能影響所有智能手機的安全漏洞，此一漏洞并非存在于移動平臺或程式上，而是藏匿在手機所使用的動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)中，將允許駭客取得手機的最高權(quán)限。雖然研究人員是以Android手機進行測試，但理論上該漏洞也會影響iPhone或基于其他平臺的手機。
　　研究人員利用的是已知的Rowhammer硬體漏洞，并打造Drammer軟體來執(zhí)行攻擊，發(fā)現(xiàn)包括LG、Motorola、
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          • 關鍵字：
                        DRAM  ARM                          
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          存儲器價格回溫　2016年IC市場可望成長1%
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　市場研究機構(gòu)IC Insights的最新報告將對2016年全球半導體市場營收的成長率預測，由原先的-2%提升為1%;此外該機構(gòu)預測，2016年全球IC出貨量成長率將在4~6%之間。IC Insights調(diào)升半導體市場成長率的很大一部分原因，來自于DRAM市場的強勁表現(xiàn)。
　　IC Insights指出，自2002年以來，全球IC市場在第三季平均季成長率為8%，但去年第三季市場成長率僅成長約1%左右;2016年第三季的IC市場成長率則出現(xiàn)了略為高于過去十五年平均值的9%。此外該機構(gòu)預期，2016年第四
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          • 關鍵字：
                        存儲器  DRAM                          
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          SMIC擴產(chǎn)利好，DRAM推高2016半導體增長預測
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　據(jù)ICInsight的最新預測，2016年全球半導體業(yè)的增長率將是1%，之前的預測為下降2%。它的最新預測為2016年增長1%，及2017年增長4%，而2016年IC unit(出貨量)由之前預測增加4%，上升至6%。
　　IC Insight修正預測的原因是DRAM的價格將止跌回升。如DDR3 4Gb的價格由2014.10月的32.75美元，下降到2016.6月的12.5美元，幅度達62%。如今由于智能手機及PC對于DRAM的容量需求上升，導致市場缺貨，價格止跌回升。三星等又重新開始擴大投資，增加
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          • 關鍵字：
                        SMIC  DRAM                          
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          手機DRAM將增至8GB！三星供貨、料用于明年S8
          
                                                            
            
                    	
          • 　　行動裝置的記憶體不斷擴大!三星電子宣布，智慧機將進入8GB DRAM年代，該公司已經(jīng)開始生產(chǎn)，外界預料將用于明年初問世的Galaxy S8。
　　韓聯(lián)社報導，三星電子20日發(fā)布業(yè)界首見的8GB行動DRAM。新晶片采用10 奈米制程，由四個16Gb的LPDDR4 晶片組成。三星執(zhí)行副總Joo Sun Choi表示，8GB行動DRAM的到來，可讓次世代旗艦機的功能更上一層樓。
　　目前智慧機行動DRAM最大為6GB，記憶體加大可滿足雙鏡頭、4K螢幕、虛擬實境(VR)等的需求。三星并宣稱，新品效能與當前
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          • 關鍵字：
                        三星  DRAM                          
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          Kilopass憑借其革命性的VLT技術改變DRAM產(chǎn)業(yè)格局
          
                                                            
            
                    	
          • 　　半導體嵌入式非易失性存儲器(eNVM)知識產(chǎn)權(quán)(IP)產(chǎn)品領先提供商Kilopass Technology, Inc.今日宣布：推出其革命性的垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor, VLT)技術，進而顛覆全球DRAM市場。VLT存儲單元在2015年已通過驗證，目前一款新的完整存儲器測試芯片正處于早期測試階段。Kilopass一直致力于推廣這項技術，并正與DRAM制造商進行許可協(xié)商。
　　“Kilopass以一次性可編程(OTP)存儲器技術的領導者而聞名，我
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          • 關鍵字：
                        Kilopass  DRAM                          
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          VLT技術 或?qū)㈩嵏睤RAM產(chǎn)業(yè)格局
          
                                                            
            
                    	
          • 　　10月11日，Kilopass Technology宣布推出垂直分層晶閘管(Vertical Layered Thyristor)技術，簡稱VLT技術。據(jù)Kilopass首席執(zhí)行官Charlie Cheng稱，該技術集低成本、低功耗、高效率、易制造等諸多優(yōu)點于一身，有可能顛覆目前的DRAM產(chǎn)業(yè)格局。
　　最適用于云計算/服務器市場的DRAM技術
　　Charlie Cheng指出，DRAM整體市場較為穩(wěn)定，未來隨著PC、手機等方面的市場需求萎縮，新的增長點將出現(xiàn)在云計算/服務器等市場領域。然而當前
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          • 關鍵字：
                        VLT  DRAM                          
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          詳述DRAM、SDRAM及DDR SDRAM的概念
          
                                                            
            
                    	
          •  DRAM (動態(tài)隨機訪問存儲器)對設計人員特別具有吸引力，因為它提供了廣泛的性能，用于各種計算機和嵌入式系統(tǒng)的存儲系統(tǒng)設計中。本文概括闡述了DRAM  的概念，及介紹了SDRAM、DDR SDRAM、DDR2 SDRAM、DDR3 SDRAM、DD
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          • 關鍵字：
                        存儲器    DRAM    SDRAM                          
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          TrendForce：九月DRAM合約均價續(xù)漲逾7%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標準型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價維持強勁上漲走勢，均價已來到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來的新高點。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應求
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          • 關鍵字：
                        DRAM                          
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          TrendForce：九月DRAM合約均價續(xù)漲逾7%
          
                                                            
            
                    	
          • 　　TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導體觀察)表示，隨著DRAM原廠持續(xù)調(diào)整產(chǎn)出比重，標準型內(nèi)存在供貨持續(xù)吃緊下，九月合約價維持強勁上漲走勢，均價已來到14.5美元，月漲幅達7.4%，在全球筆電需求出乎意料大增的情況下，預估第四季的合約價季漲幅將直逼三成，創(chuàng)下兩年來的新高點。
　　DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，DRAM現(xiàn)貨顆粒價格漲幅更為劇烈，如DDR3/4 4Gb價格分別來到2.1/2.0美元，較上月同期已各上漲19%與15%，顯見市場供不應求
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          • 關鍵字：
                        TrendForce  DRAM                          
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          南亞科未來兩年投資500億元　提升價值凌駕市占率
          
                                                            
            
                    	
          • 　　南亞科總經(jīng)理李培瑛29日出席臺灣半導體產(chǎn)業(yè)年會(TSIA)表示，南亞科計劃兩年投資500億元，這不是小數(shù)目的投資，其目的在于提升芯片價值，而非拉升全球市占率，未來新存儲器技術ReRAM、3D XPoint都值得注意，且臺灣的DRAM產(chǎn)能仍占全球產(chǎn)能的20%。
　　再者，南亞科召開重大訊息指出，為導入20納米制程技術，從2016年2月至9月29日為止，向臺塑網(wǎng)科購置制程網(wǎng)路及伺服器等相關設備，總價款約3.43億元。整體來看，南亞科為配合20納米制程技術轉(zhuǎn)換制程，預計花430億~450億元進行相關設備擴
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          • 關鍵字：
                        南亞科  DRAM                          
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          3d dram介紹
          
      			
          
		      	
          
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