3d dram 文章進(jìn)入3d dram技術(shù)社區(qū)

三星美光1xnm DRAM 接連出狀況，市場(chǎng)供貨吃緊仍沒改善

　　自 2016 年中開始，DRAM 內(nèi)存供貨不足，造成市場(chǎng)價(jià)格全面上漲的情況，如今又要多加一個(gè)變量。那就是 DRAM 內(nèi)存的市場(chǎng)龍頭三星，在 2017 年 2 月中旬陸續(xù)召回部分序號(hào)的 18 奈米制程的內(nèi)存模塊，并且再重新出貨給客戶之后，仍然發(fā)生有瑕疵的狀況。而且，此事件已影響了名列前茅的 PC 大廠在 DPPM (每百萬(wàn)臺(tái)的不良率) 有大幅提升的狀況。再加上，不僅是三星出現(xiàn)這樣的情況，連美光 (Micron) 的 17 奈米制程 PC DRAM 內(nèi)存模塊都有類似的情形發(fā)生，如此也為 2017 年
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紫光國(guó)芯第四代DRAM存儲(chǔ)器成功通過科技成果評(píng)價(jià)

　　2017年3月22日，受工業(yè)和信息化部電子科學(xué)技術(shù)情報(bào)研究所委托，北京中企慧聯(lián)科技發(fā)展中心在北京主持召開由紫光國(guó)芯股份有限公司/西安紫光國(guó)芯半導(dǎo)體有限公司自主研發(fā)的“高性能第四代DRAM存儲(chǔ)器”科技成果評(píng)價(jià)會(huì)。　　北京中企慧聯(lián)評(píng)價(jià)機(jī)構(gòu)嚴(yán)格按照《科技成果評(píng)價(jià)試點(diǎn)暫行辦法》的有關(guān)規(guī)定和要求，秉承客觀、公正、獨(dú)立的原則，聘請(qǐng)同行專家對(duì)該項(xiàng)科技成果進(jìn)行了評(píng)價(jià)。評(píng)價(jià)委員會(huì)聽取了項(xiàng)目完成單位的技術(shù)總結(jié)報(bào)告，對(duì)評(píng)價(jià)資料進(jìn)行了審查，經(jīng)嚴(yán)格質(zhì)詢和充分討論形成了評(píng)價(jià)意見。　　 &nb
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韓國(guó)與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對(duì)專利紛爭(zhēng)

　　大陸存儲(chǔ)器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地引起全球關(guān)注，韓國(guó)業(yè)界對(duì)此評(píng)估稱，韓國(guó)與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團(tuán)隊(duì)中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)引述SK海力士?jī)?nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無(wú)固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時(shí)還
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韓國(guó)與大陸技術(shù)差距僅剩3~5年？SK海力士提前應(yīng)對(duì)專利紛爭(zhēng)

　　大陸存儲(chǔ)器正在迅猛發(fā)展，去年紫光主導(dǎo)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)在武漢投資240億美元建設(shè)國(guó)家存儲(chǔ)芯片基地引起全球關(guān)注，韓國(guó)業(yè)界對(duì)此評(píng)估稱，韓國(guó)與大陸廠商間的技術(shù)差距僅剩3~5年。有消息指出，為避免再度上演類似過去與Rambus、東芝等半導(dǎo)體同業(yè)間的專利大戰(zhàn)，SK海力士近期特意與專利分析團(tuán)隊(duì)中新成立大陸工作小組，以研究學(xué)習(xí)大陸商業(yè)法、專利法等相關(guān)法律。　　據(jù)韓媒亞洲經(jīng)濟(jì)引述SK海力士?jī)?nèi)部消息稱，SK海力士的大陸專利分析小組將采取無(wú)固定編制、相關(guān)成員可自由參與研究學(xué)習(xí)大陸專利法等相關(guān)法律的模式。因大陸半導(dǎo)體技術(shù)暫時(shí)還
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三星 3D NAND 快閃存儲(chǔ)器新廠上半年投產(chǎn)

　　三星電子周二宣布，位在首爾南方的新芯片廠施工進(jìn)度順利，將如期于 2017 上半年投產(chǎn)。　　三星新芯片廠于 2015 年動(dòng)土，共投入 15.6 萬(wàn)億韓元(約 144 億美元)建廠，為三星史上最大單一產(chǎn)線投資項(xiàng)目。據(jù)三星表示，新廠第一階段施工目前已完成九成。　　新芯片廠主要用于生產(chǎn)高容量 3D 立體 NAND 快閃存儲(chǔ)器?？扉W存儲(chǔ)器可取代傳統(tǒng)硬盤，并廣泛應(yīng)用于數(shù)碼相機(jī)、智能手機(jī)與其他 USB 界面儲(chǔ)存設(shè)備。　　市調(diào)機(jī)構(gòu) DRAMeXchange 日前指出，三星穩(wěn)坐去年第四季 NAND 快閃存儲(chǔ)
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Micron宣布在臺(tái)成立DRAM卓越制造中心

　　Micron 宣布于本月14日成功標(biāo)得達(dá)鴻先進(jìn)科技的拍賣資產(chǎn)，并將以此建立Micron在臺(tái)之后段生產(chǎn)基地。Micron現(xiàn)已取得這新生產(chǎn)基地之所有權(quán)。　　經(jīng)由此收購(gòu)案， Micron取得與其臺(tái)中廠相鄰的無(wú)塵室和設(shè)備，并將使Micron 的晶圓制造與后段封測(cè)得以集中于同一據(jù)點(diǎn)，并專注于建立集中式的后段封測(cè)營(yíng)運(yùn)。　　全球制造副總裁Wayne Allan指出：“此舉為Micron在臺(tái)建立DRAM卓越制造中心的重要一步。將晶圓制造和后段封測(cè)結(jié)合在同一地點(diǎn)，構(gòu)建一個(gè)完整連貫的高效制造支援組織，
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DRAM與NAND差別這么大，存儲(chǔ)之爭(zhēng)都爭(zhēng)啥？

　　什么是DRAM?　　DRAM(Dynamic Random Access Memory)，即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，最為常見的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù)，DRAM使用電容存儲(chǔ)，所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次，如果存儲(chǔ)單元沒有被刷新，存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))　　工作原理　　動(dòng)態(tài)RAM的工作原理動(dòng)態(tài)RAM也是由許多基本存儲(chǔ)元按照行和列地址引腳復(fù)用來組成的。　　
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DRAM邁入3D時(shí)代！

平面DRAM最重要也最艱難的挑戰(zhàn)，是儲(chǔ)存電容的高深寬比，為了要延長(zhǎng)DRAM這種內(nèi)存的壽命，在短時(shí)間內(nèi)必須要采用3D DRAM解決方案。
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內(nèi)存霸主三星擴(kuò)產(chǎn) 恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇

　　全球內(nèi)存龍頭三星電子傳出將進(jìn)行DRAM擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃，業(yè)界認(rèn)為，由于建廠時(shí)間還要兩年，難解今年缺貨窘境，不過受心理層面影響，恐讓下半年DRAM漲勢(shì)止歇。　　三星決定斥資87億美元，擴(kuò)充南韓華城廠DRAM產(chǎn)能。三星表示，新產(chǎn)線約需兩年時(shí)間建造，將視研發(fā)進(jìn)度和制程轉(zhuǎn)換良率，決定生產(chǎn)18nm或更先進(jìn)制程的DRAM。　　對(duì)于今年DRAM供需，稍早包括南亞科總經(jīng)理李培瑛、創(chuàng)見董事長(zhǎng)束崇萬(wàn)，及威剛董事長(zhǎng)長(zhǎng)陳立白都表示，今年DRAM因主要供應(yīng)大廠將產(chǎn)能挪移生產(chǎn)儲(chǔ)存型閃存(NAND Flash)，且只做DRAM
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楊士寧：為何長(zhǎng)江存儲(chǔ)決定跨入存儲(chǔ)領(lǐng)域？

　　長(zhǎng)江存儲(chǔ)執(zhí)行長(zhǎng)楊士寧點(diǎn)出，為何長(zhǎng)江決定跨入存儲(chǔ)領(lǐng)域?他表示，半導(dǎo)體組件可分為四大塊領(lǐng)域：首要運(yùn)算CPU、存儲(chǔ)、通訊及第四部分涵蓋了物聯(lián)網(wǎng)(IoT)感測(cè)器、模擬IC等較為分散的領(lǐng)域。然CPU領(lǐng)域行業(yè)生態(tài)較為復(fù)雜、通訊芯片領(lǐng)域也已經(jīng)形成fabless+foundry穩(wěn)固態(tài)勢(shì)，大舉跨入存儲(chǔ)這一領(lǐng)域仍是大有可為的。楊士寧精準(zhǔn)點(diǎn)出了大陸發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)的戰(zhàn)略思考。分析指出，大陸當(dāng)下大力發(fā)展存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)是正確的。　　楊士寧分析，從半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)分類來看，目前DRAM和NAND閃存儲(chǔ)存的總產(chǎn)值占全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的95%
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打造臺(tái)灣DRAM中心美光27億買下達(dá)鴻廠房

　　美光昨(14)日以新臺(tái)幣27.52億元標(biāo)下TPK-KY宸鴻轉(zhuǎn)投資公司達(dá)鴻臺(tái)中廠房。美光表示，標(biāo)下的臺(tái)中廠房未來將用于DRAM先進(jìn)封測(cè)技術(shù)發(fā)展，與美光中科及華亞科廠房進(jìn)行資源整合，打造中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)DRAM中心。　　達(dá)鴻位在中科后里園區(qū)廠房及設(shè)備昨由臺(tái)中法院委外法拍，最后由美光以新臺(tái)幣27.52億元得標(biāo)，廠房占地約4公頃，土地面積約20，729坪。達(dá)鴻于2015年11月5日向臺(tái)中地方法院聲請(qǐng)重整及緊急處分，并于隔年7月22日宣告破產(chǎn)，此后臺(tái)中法院隨即進(jìn)行強(qiáng)制拍賣廠房及設(shè)備的流程作業(yè)。　　達(dá)鴻為F-
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2017年整體DRAM市場(chǎng)供貨吃緊第一季價(jià)格漲10~15％

　　臺(tái)灣南亞科總經(jīng)理李培瑛表示，今年整體DRAM市場(chǎng)供貨吃緊，上半年平均銷售單價(jià)持續(xù)走揚(yáng)，預(yù)期第一季平均銷售單價(jià)季增10~15%，公司的毛利率相較上季可望有顯著的提升，第二季價(jià)格也將續(xù)揚(yáng)，下半年仍看審慎樂觀，預(yù)期價(jià)格波動(dòng)不大。　　南亞科指出，今年DRAM在供給方面，前三大廠皆以提高新制程比例增加產(chǎn)出為主，并未大幅擴(kuò)張新產(chǎn)能。預(yù)期2017年供給年成長(zhǎng)約20%。在需求方面，預(yù)期2017年DRAM需求成長(zhǎng)穩(wěn)定，成長(zhǎng)主力來自手機(jī)及服務(wù)器的搭載量增加，預(yù)估整體年增率高于22%。　　因此，今年DRAM市場(chǎng)
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DRAM漲價(jià)成為投資動(dòng)力美光聯(lián)手華亞科求自保

　　華亞科并入美光后,本月正式更名為美光臺(tái)灣分公司桃園廠,美光也計(jì)劃擴(kuò)大投資臺(tái)灣,將在臺(tái)中建立后段DRAM封測(cè)廠,相關(guān)投資將在標(biāo)購(gòu)達(dá)鴻位在后里中科園區(qū)的廠房后立即啟動(dòng)。　　美光目前主要生產(chǎn)據(jù)點(diǎn)在桃園和臺(tái)中,合并后員工超過6,000人。　　位于原華亞科的桃園廠主要以20納米制程生產(chǎn)DRAM生產(chǎn)重鎮(zhèn),單月產(chǎn)能10萬(wàn)片;臺(tái)中廠以25納米為主力,月產(chǎn)能逾8萬(wàn)片,但已進(jìn)行1x納米制程開發(fā)試產(chǎn),預(yù)定下半年正式生產(chǎn)出貨。　　美光將以臺(tái)灣為DRAM主要生產(chǎn)據(jù)點(diǎn),除制造端外,也計(jì)劃往后段和產(chǎn)品應(yīng)用和設(shè)計(jì)進(jìn)行整合
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DRAM市場(chǎng)已邁入多元化發(fā)展

　　回顧DRAM(Dynamic Random Access Memory，動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器)的歷史，市場(chǎng)經(jīng)常在供過于求與供不應(yīng)求之間擺蕩。　　當(dāng)市場(chǎng)供不應(yīng)求之際，DRAM供應(yīng)商會(huì)積極擴(kuò)廠，大幅增加產(chǎn)能，當(dāng)新產(chǎn)能加入生產(chǎn)后，市場(chǎng)會(huì)陷入供過于求的狀況，DRAM價(jià)格快速下跌，DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值不增反減。　　在歷經(jīng)多次市場(chǎng)的振蕩后，DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值在1995年創(chuàng)下當(dāng)時(shí)的歷史新高，高達(dá)435億美元。隔年DRAM市場(chǎng)大崩盤，DRAM的平均售價(jià)大幅下跌，導(dǎo)致1996年DRAM產(chǎn)業(yè)的產(chǎn)值崩跌至260億美元。
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發(fā)展3D NAND閃存的意義

“首屆IC咖啡國(guó)際智慧科技產(chǎn)業(yè)峰會(huì)”于2017年1月14日在上海召開，長(zhǎng)江存儲(chǔ)集團(tuán)公司CEO楊士寧介紹了對(duì)存儲(chǔ)器市場(chǎng)的看法，及選擇3D NAND閃存作為主打產(chǎn)品的戰(zhàn)略思考。
關(guān)鍵字：存儲(chǔ)器 3D NAND DRAM 20170203