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SK海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設(shè)為 Alius，已準備進入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。 半導(dǎo)體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報
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SK 海力士計劃明年第二季量產(chǎn)10 納米DRAM
- 繼三星之后，SK 海力士計劃明年開始量產(chǎn) 10 納米 DRAM，在 1x DRAM 開發(fā)完成后，SK 海力士將繼續(xù)研發(fā) 1y DRAM，并為發(fā)展 1z DRAM 鋪路。 來自產(chǎn)業(yè)界的消息指出，SK 海力士 1x DRAM 開發(fā)代號設(shè)為 Alius，已準備進入量產(chǎn)前置作業(yè)。SK 海力士目前已經(jīng)完成晶圓制樣，正要在進行可靠度認證。 半導(dǎo)體認證通常需將過工程試樣(Engineering sample)與客戶端式樣(Customer sample)兩道程序，在通過客戶測試后，產(chǎn)品開發(fā)才算完成。據(jù)報
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美光重心押注臺灣 3D DRAM封測廠和華亞科擴建案投資達千億
- 美光全數(shù)收購華亞科股權(quán)，華亞科并于6日下市，美光定于12日舉行華亞科加入美光典儀，并將宣布在中國臺灣地區(qū)擴大投資案，包括3D DRAM封測廠和華亞科擴建案，估計總投資金額上看千億元新臺幣。 美光已網(wǎng)羅前艾克爾總經(jīng)理梁明成出任負責美光存儲器后段封測廠投資案，12日華亞科加入美光的慶祝典禮，美光執(zhí)行長鄧肯(Mark Durcan)將親自主持，預(yù)料將同步宣布相關(guān)人事及擴大在臺投資布局。 這也是美光繼在大陸西安廠之后，在海外最大手筆的封測投資計劃，美光也借由邀請包括臺灣桃園市長鄭文燦及經(jīng)濟部長等相
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美光計劃擴大3D DRAM封測廠和華亞科擴建案
- 繼以一千三百億元新臺幣收購華亞科股權(quán)后，美光決定擴大在臺投資，計劃在中科興建美光在海外首座3D架構(gòu)的存儲器封測廠，并網(wǎng)羅前艾克爾(Amkor)總經(jīng)理梁明成出任這項業(yè)務(wù)臺灣區(qū)總經(jīng)理，新投資計劃預(yù)定十二日宣布。 梁明成四日證實已于十月底離開艾克爾，但因美光還未正式對布發(fā)布人事，他低調(diào)表示還在休息，詳細職務(wù)等美光宣布。 據(jù)了解，美光收購華亞科股權(quán)案已進入尾聲，華亞科已于十一月卅日停止交易，美光預(yù)定十二日舉辦華亞科加入美光的慶祝典禮，美光執(zhí)行長鄧肯(Mark Duncan)將再度親自抵臺主持，預(yù)料
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三星內(nèi)存霸占手機：市場份額創(chuàng)紀錄
- 市調(diào)機構(gòu)DRAMeXchange的最新數(shù)據(jù)顯示，2016年第三季度的全球移動DRAM內(nèi)存市場上，三星電子的份額已經(jīng)達到創(chuàng)紀錄的64.5%，比此前季度提高了3.0個百分點。 當季，三星移動內(nèi)存業(yè)務(wù)收入達29.6億美元(約合人民幣205億元)，環(huán)比大漲22.4%。 作為三星的頭號對手，SK海力士的份額從25.1%下降到了22.8%，基本上只有三星1/3的規(guī)模，不過兩家合計已經(jīng)占到了87.3%。 美光位列第三，但形勢也不太好，跌落到10.6%。臺灣南亞有所上升，但也不過1.3%。 上
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第三季移動DRAM內(nèi)存產(chǎn)值季增16.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于全球智能手機進入傳統(tǒng)備貨旺季，加上各DRAM產(chǎn)品價格同步上揚，第三季行動式內(nèi)存總產(chǎn)值達45.88億美元，季成長約16.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季有蘋果iPhone 7與三星Note 7旗艦機型發(fā)布，讓全球行動式內(nèi)存出貨大增，縱使Note 7受爆炸影響于第四季宣布停產(chǎn)，先前的備料動作已為第三季行動式內(nèi)存的營收做出貢獻。 以三大DRAM廠行動式內(nèi)存營收市占來
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兆易創(chuàng)新即將與ISSI整并 成國產(chǎn)DRAM新?lián)敚?/a>
- 中國發(fā)展半導(dǎo)體在存儲始終無法取得突破性進展，現(xiàn)在有關(guān)廠商團隊都積極動起來，近來相關(guān)整并、建廠消息一樁接一樁。早前曾報導(dǎo)過，中國NOR Flash廠商兆易創(chuàng)新(Gigadevice)可能與武岳峰等中國基金所收購的美國DRAM廠ISSI合并，從9月中停牌迄今的兆易創(chuàng)新19日再發(fā)出持續(xù)停牌公告，并正式揭露了即將與ISSI整并的消息! 19 日上海交易所上市的兆易創(chuàng)新再發(fā)停牌公告，以正在籌劃重大事項為由，即日起將持續(xù)停牌，今年9 月中開始兆易創(chuàng)新即以重大資產(chǎn)重組為由停牌多時，此次，兆易創(chuàng)新也正式揭露了原
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TrendForce：價格漲勢不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動式內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存。在供應(yīng)逐漸吃緊下，第三季開始標準型內(nèi)存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內(nèi)存的價格上揚。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來于第四
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價格漲勢不停，第三季DRAM總營收大幅季成長15.8%
- TrendForce集邦科技旗下存儲研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)表示，受惠于全球智能手機出貨成長，及內(nèi)存搭載量不斷攀升，第二季開始DRAM原廠逐步降低標準型內(nèi)存的產(chǎn)出，轉(zhuǎn)為行動式內(nèi)存與服務(wù)器用內(nèi)存。在供應(yīng)逐漸吃緊下，第三季開始標準型內(nèi)存價格呈上漲走勢，同時帶動其他類別內(nèi)存的價格上揚。使得第三季全球DRAM總體營收較上季大幅成長約15.8%。 DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，第三季適逢蘋果iPhone 7與三星Note7二大旗艦機備貨潮，雖然Note 7后來于第四
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DRAM戰(zhàn)國時代 長江存儲、聯(lián)電、合肥長芯三大勢力將對決
- 近期大陸三股勢力正如火如荼點燃DRAM主導(dǎo)權(quán)大戰(zhàn)，長江存儲傳已評估到南京設(shè)立12寸廠，聯(lián)電大陸DRAM廠福建晉華計劃2018年量產(chǎn)，并在南科廠同步研發(fā)25、30nm制程，至于合肥市與北京兆易創(chuàng)新(GigaDevice)合作的合肥長芯，由前中芯國際執(zhí)行長王寧國操刀，大陸這三股DRAM勢力將決戰(zhàn)2018年，搶當大陸DRAM產(chǎn)業(yè)龍頭。 盡管大陸布局自制3D NAND Flash雛形漸現(xiàn)，長江存儲將與已并購飛索(Spansion)的賽普拉斯(Cypress)合作，切入32層和64層3D NAND技術(shù)，由
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SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕擞喸?017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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SK海力士：10納米級DRAM估2017年上半投產(chǎn)
- 據(jù)韓國經(jīng)濟報導(dǎo)，SK海力士(SK Hynix)以21納米制程生產(chǎn)的DRAM為目前獲利性高的主力產(chǎn)品，2016年底生產(chǎn)比重將達全部DRAM的40%;10納米級DRAM規(guī)劃在2017年上半投產(chǎn)。NAND Flash領(lǐng)域?qū)⒛繕擞喸?017年下半投產(chǎn)72層3D NAND Flash，持續(xù)擴大3D NAND的生產(chǎn)比重。 SK海力士DRAM技術(shù)本部長金進國(音譯)表示，IT產(chǎn)業(yè)對大容量、低耗電、存取速度快的DRAM需求漸增，2016年以來市場需求開始由DDR3、LPDDR3轉(zhuǎn)移到DDR4、LPDDR4，公司
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賽普拉斯率先推出采用低引腳數(shù)MCP封裝的串行存儲器解決方案，實現(xiàn)汽車、工業(yè)和物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的瞬時啟動
- 賽普拉斯半導(dǎo)體公司今日宣布其一款用于支持瞬時啟動應(yīng)用的全新小尺寸存儲器解決方案已驗證成功。賽普拉斯 HyperFlash和HyperRAM 多芯片封裝(MCP)解決方案在8mm x 6mm的空間內(nèi)集成了賽普拉斯的3V 512M HyperFlash™和64M HyperRAM™存儲器。該方案在一個低引腳數(shù)封裝內(nèi)結(jié)合了用于實現(xiàn)快速啟動和隨開隨用高速NOR閃存，和用于擴展便箋式存儲器的自刷新DRAM ，特別適合空間受限和成本優(yōu)化的嵌入式 設(shè)計。 該解決方案可用于廣泛的應(yīng)用類別，包括
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