<meter id="pryje"><nav id="pryje"><delect id="pryje"></delect></nav></meter>
          <label id="pryje"></label>

          首頁(yè)  資訊  商機(jī)   下載  拆解   高校  招聘   雜志  會(huì)展  EETV  百科   問(wèn)答  電路圖  工程師手冊(cè)   Datasheet  100例   活動(dòng)中心  E周刊閱讀   樣片申請(qǐng)
          EEPW首頁(yè) >> 主題列表 >> 3d dram

          SEMI:未來(lái)臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可維持成長(zhǎng)態(tài)勢(shì)

          •   國(guó)際半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)(SEMI)表示,過(guò)去五年,臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市占率不斷增加,不僅在晶圓代工和封裝測(cè)試市場(chǎng)的占有率有所提升,同時(shí)在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中先進(jìn)技術(shù)的市場(chǎng)領(lǐng)域亦見(jiàn)成長(zhǎng)。不僅如此,臺(tái)灣半導(dǎo)體廠商在尖端技術(shù)上的持續(xù)投資,也將為后續(xù)幾年進(jìn)一步的發(fā)展而鋪路。   盡管世界半導(dǎo)體貿(mào)易統(tǒng)計(jì)組織(WSTS)預(yù)測(cè),2015和2016年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)將各別小幅成長(zhǎng)3.4%,但臺(tái)灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)卻能以高于全球兩倍的速度成長(zhǎng),其中在晶圓代工、DRAM和后段封裝測(cè)試廠商的貢獻(xiàn)下,將為臺(tái)灣半導(dǎo)體供應(yīng)鏈帶來(lái)更強(qiáng)勁的漲幅。尤其是
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  DRAM  

          三星最快7月啟動(dòng)DRAM 17產(chǎn)線 對(duì)手或跟進(jìn)擴(kuò)產(chǎn)

          •   三星電子(Samsung Electronics)最快將于7月啟動(dòng)在韓國(guó)京畿道華城的17產(chǎn)線。在初期稼動(dòng),17產(chǎn)線預(yù)定僅啟動(dòng)整體生產(chǎn)能力(CAPA)的10~30%。雖然不會(huì)立即對(duì)目前DRAM市場(chǎng)產(chǎn)生巨大影響,但不排除競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士(SK Hynix)、美光(Micron)跟進(jìn)加速擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)爭(zhēng)的可能性。   據(jù)Digital Times報(bào)導(dǎo),三星預(yù)計(jì)在第3季投產(chǎn)17產(chǎn)線DRAM。預(yù)定投入20納米DRAM制成的17產(chǎn)線,目前設(shè)備已經(jīng)全數(shù)搬入,并進(jìn)入試驗(yàn)稼動(dòng)中,最快將于7月或8月正式投產(chǎn)。   熟稔三星
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM   

          拼年底量產(chǎn)3D NAND、傳SK海力士大買(mǎi)設(shè)備

          •   記憶體大廠整軍經(jīng)武,準(zhǔn)備展開(kāi)新一波大戰(zhàn)!據(jù)傳三星電子和SK 海力士 (SK Hynix )將大買(mǎi)設(shè)備,積極投資3D NAND Flash;另外DRAM也將轉(zhuǎn)進(jìn)新制程,拉高戰(zhàn)力。   韓媒etnews 6日?qǐng)?bào)導(dǎo),記憶體大廠爭(zhēng)相量產(chǎn)3D NAND Flash,新制程和傳統(tǒng)NAND Flash相比,差別在于從平面改為立體,能層層堆疊,提高效能。據(jù)了解,由2D轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND Flash,顯影制程不變,但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加50~60%、30~40%,需要采購(gòu)不少新設(shè)備。據(jù)了解,三星最早量產(chǎn)3D
          • 關(guān)鍵字: SK 海力士  DRAM  

          DRAM市占率維持上升趨勢(shì) 三星、SK海力士春風(fēng)得意

          •   受惠DRAM事業(yè)蓬勃發(fā)展,三星1Q半導(dǎo)體事業(yè)營(yíng)收與營(yíng)利成長(zhǎng)率都勝過(guò)英特爾。三星官網(wǎng)2015年第1季半導(dǎo)體前五大業(yè)者中,只有三星電子(Samsung Electronics)與SK海力士(SK Hynix)的市占率維持上升趨勢(shì),受惠于DRAM事業(yè)蓬勃發(fā)展,兩企業(yè)可謂春風(fēng)得意。   不只PC、筆記型電腦(NB),連電視、冰箱、洗衣機(jī)都搭載DRAM的物聯(lián)網(wǎng)(IoT)時(shí)代正在來(lái)臨,使DRAM產(chǎn)業(yè)成為最大的受惠者。而在十多年競(jìng)爭(zhēng)中存活下來(lái)的DRAM三大業(yè)者三星電子、SK海力士與美光(Micron),正在享受寡
          • 關(guān)鍵字: 三星  DRAM  

          全球內(nèi)存條市場(chǎng):中國(guó)記憶科技高居第二

          • 全球內(nèi)存條市場(chǎng)十大廠商,中國(guó)竟排名二名。
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM  

          兩岸再攜手建12英寸晶圓代工廠 合肥 力晶誰(shuí)沾了誰(shuí)的光?

          • 如果一切順利,力晶很有可能超越目前正在考慮西進(jìn)大陸的臺(tái)積電,成為繼臺(tái)聯(lián)電登陸廈門(mén)后,中國(guó)大陸迎來(lái)的第二座臺(tái)灣12英寸晶圓廠。
          • 關(guān)鍵字: 晶圓  DRAM  

          2014年全球DRAM模組廠營(yíng)收排名

          •   根據(jù)Trendforce旗下記憶儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange最新發(fā)布的全球記憶體模組廠排名調(diào)查,2014年全球模組市場(chǎng)總銷售金額約為88億美元,與2013年的73億美元相比,大幅成長(zhǎng)約21%左右,主要受惠于標(biāo)準(zhǔn)型記憶體價(jià)格的平穩(wěn)走勢(shì)與合約市場(chǎng)的比重提升。   前五大記憶體模組廠仍占據(jù)整體銷售金額的81%,前十名幾乎囊括全球模組市場(chǎng)中92%的營(yíng)業(yè)額,其中金士頓(Kingston)仍穩(wěn)坐模組廠龍頭之位,營(yíng)收較前年成長(zhǎng)約44%;記憶科技(Ramaxel)與威剛(ADATA)則分居二、三名,都有著不錯(cuò)
          • 關(guān)鍵字: 金士頓  DRAM  

          美光2015年三季度利潤(rùn)大幅減少,受個(gè)人電腦市場(chǎng)低迷影響

          •   美光科技日前發(fā)布了截至2015年6月4日的第三季度財(cái)報(bào),銷售額同比減少3%,為38.53億美元,營(yíng)業(yè)利潤(rùn)同比減少25%,為6.31億美元;凈利潤(rùn)同比減少39%,為4.91億美元(英文發(fā)布資料)。該公司表示,業(yè)績(jī)惡化是因?yàn)槭艿搅藗€(gè)人電腦市場(chǎng)需求停滯等的影響。經(jīng)營(yíng)個(gè)人電腦相關(guān)產(chǎn)品的計(jì)算機(jī)網(wǎng)絡(luò)業(yè)務(wù)部門(mén)的業(yè)績(jī)本季度大幅惡化。   與上季度(2014年12月~2015年2月)相比,總銷售額減少8%,毛利潤(rùn)率也降低了約3個(gè)百分點(diǎn),約為31%。減收減益的主要原因是DRAM的平均銷售單價(jià)環(huán)比降低10%。不過(guò),削減制
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

          美光本季財(cái)測(cè)差 PC不妙

          •   電腦晶片制造商美光科技公司(Micron)上季獲利下滑39%,并警告本季的營(yíng)收可能低于市場(chǎng)預(yù)期,因?yàn)閭€(gè)人電腦(PC)晶片的價(jià)格可能繼續(xù)下跌。   美光生產(chǎn)PC用的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取記憶體(DRAM)晶片,以及行動(dòng)裝置用來(lái)儲(chǔ)存音樂(lè)、相片等資料的NAND記憶晶片。DRAM約占美光總營(yíng)收的60%。   美光25日公布,截至6月4日的年度第3季營(yíng)收為38.5億美元,較去年同期減少3.2%,是兩年多來(lái)首次下滑,也不如分析師預(yù)期的39億美元。   上季獲利為4.91億美元,或每股42美分,低于一年前的8.06億美
          • 關(guān)鍵字: 美光  DRAM  

          DRAM報(bào)價(jià)慘!美光獲利掉近四成、盤(pán)后暴跌

          •   美國(guó)記憶體大廠美光科技(Micron Technology Inc.)最新財(cái)報(bào)(2015會(huì)計(jì)年度第三季)出爐,受PC景氣蕭條影響,美光當(dāng)季獲利暴瘦近四成,且本季展望也不如預(yù)期。   DRAM與NAND記憶體是美光主要產(chǎn)品,也多用在PC上。美光執(zhí)行長(zhǎng)Mark Durcan在財(cái)報(bào)上明講,景氣逆風(fēng)主要來(lái)自PC上半年需求疲弱。   翻開(kāi)財(cái)報(bào)檢視,美光當(dāng)季DRAM銷售量平平,但平均售價(jià)跌了一成,拖累當(dāng)季整體營(yíng)收年減3%至38.5億美元,低于分析師預(yù)估的39億美元。   凈利僅4.91億美元,較去年同期衰退
          • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

          ISSI 并購(gòu)戰(zhàn)狂打三個(gè)月,中國(guó)進(jìn)軍 DRAM 頻遭搶親

          •   2015 年 3 月 12 日,以武岳峰為首的中國(guó)資本企業(yè)發(fā)表聲明,將以每股 19.25 美元收購(gòu)美國(guó) DRAM 廠商 ISSI,宣告中國(guó)的半導(dǎo)體布局觸角延伸到 DRAM 產(chǎn)業(yè),但邁開(kāi)的這一步卻始終無(wú)法走向下個(gè)階段,時(shí)經(jīng)三個(gè)月雙方仍在并購(gòu)談判中原地踏步,很大一部分原因在于殺出賽普拉斯(Cypress)這家程咬金。   你來(lái)我往的出價(jià)競(jìng)賽   檢視這三個(gè)月雙方的并購(gòu)發(fā)展,這場(chǎng) ISSI 爭(zhēng)奪大戰(zhàn)打得如火如荼,5 月 13 日另家美國(guó)半導(dǎo)體廠商賽普拉斯(Cypress)出手,宣布將以每股優(yōu)于武岳峰資本
          • 關(guān)鍵字: ISSI  DRAM   

          20納米制程難轉(zhuǎn)換 DRAM次級(jí)品流竄市場(chǎng)

          •   DRAM芯片轉(zhuǎn)進(jìn)20納米制程難度高,市場(chǎng)供需失衡蔓延到各個(gè)應(yīng)用領(lǐng)域。三星官網(wǎng)全球DRAM產(chǎn)業(yè)進(jìn)入20納米制程世代后,進(jìn)入門(mén)檻非常高。一方面是設(shè)備投資變大,需求的機(jī)臺(tái)設(shè)備多很多,甚至讓DRAM廠加蓋無(wú)塵室來(lái)放擺放機(jī)臺(tái)設(shè)備,否則導(dǎo)致產(chǎn)出數(shù)量大幅減少。而20納米制程的另一個(gè)高門(mén)檻就是生產(chǎn)難度大增,DRAM市場(chǎng)價(jià)格無(wú)法反彈,這些次級(jí)品(downgrade)的貨源大幅流竄是一大兇手。   市場(chǎng)終端需求不好,蘋(píng)果(Apple)下半年推出的新一代iPhone內(nèi)建存儲(chǔ)器容量從1G升級(jí)到2G,其他新機(jī)容量甚至提升到4
          • 關(guān)鍵字: DRAM  20納米  

          中芯主導(dǎo) 國(guó)產(chǎn)DRAM內(nèi)存芯片廠落戶武漢

          •   國(guó)內(nèi)廠商現(xiàn)在處理器市場(chǎng)已經(jīng)獲得了一席之地,華為海思、瑞芯微、展訊、瑞迪科已經(jīng)是其中的佼佼者,不過(guò)整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)中國(guó)內(nèi)的力量還是很弱的,國(guó)內(nèi)廠商還不到自滿的時(shí)候,下一個(gè)目標(biāo)看起來(lái)就是DRAM內(nèi)存芯片了,現(xiàn)在本土的DRAM廠已經(jīng)確定落戶武漢市了,新廠將由中芯國(guó)際的高管主導(dǎo)。        與移動(dòng)處理器市場(chǎng)不同,DRAM芯片的技術(shù)及工廠主要集中在了美光、三星、SK Hynix這幾家手中,日系DRAM基本上滅了,還有的就是臺(tái)灣的一些DRAM廠商了,比如茂德、南亞等?,F(xiàn)在國(guó)內(nèi)也把注意力放在D
          • 關(guān)鍵字: DRAM  美光  

          基于GPU的技術(shù)分析及應(yīng)用實(shí)例大全,包括程序、平臺(tái)等

          •   GPU是顯示卡的“心臟”,也就相當(dāng)于CPU在電腦中的作用,它決定了該顯卡的檔次和大部分性能,同時(shí)也是2D顯示卡和3D顯示卡的區(qū)別依據(jù)。GPU使顯卡減少了對(duì)CPU的依賴,并進(jìn)行部分原本CPU的工作,尤其是在3D圖形處理時(shí)。   現(xiàn)代顯卡GPU pixel shader小程序合集   Pixel Shader是現(xiàn)代顯卡GPU的編程語(yǔ)言,可以用于對(duì)屏幕輸出圖像里的每個(gè)象素點(diǎn)進(jìn)行精確的色彩調(diào)整。大型三維游戲里面大量采用了Pixel Shader和它的伙伴,Vertex Shader
          • 關(guān)鍵字: Pixel Shader  3D  

          國(guó)家大基金扶植半導(dǎo)體上路 邏輯、存儲(chǔ)器芯片攻勢(shì)猛

          •   大陸扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始執(zhí)行上路,近7成資金將挹注在IC制造/設(shè)備領(lǐng)域。法新社大陸設(shè)立大基金扶植半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)開(kāi)始執(zhí)行上路,半導(dǎo)體業(yè)者透露,分5年總計(jì)人民幣6,000億元資金有近7成將挹注在IC制造/設(shè)備領(lǐng)域,重點(diǎn)扶植項(xiàng)目包括邏輯芯片、DRAM及NAND Flash芯片等,其中,邏輯芯片將以中芯國(guó)際為首,至于存儲(chǔ)器領(lǐng)域?qū)⑾葟腄RAM芯片切入,長(zhǎng)期目標(biāo)是大陸內(nèi)需50%半導(dǎo)體芯片全數(shù)自制。   半導(dǎo)體業(yè)者指出,大陸國(guó)家IC產(chǎn)業(yè)投資基金,每年提撥人民幣1,200億元投入自建半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,初期規(guī)劃5年、共人民幣6
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器  DRAM  
          共2436條 54/163 |‹ « 52 53 54 55 56 57 58 59 60 61 » ›|

          3d dram介紹

          您好,目前還沒(méi)有人創(chuàng)建詞條3d dram!
          歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)3d dram的理解,并與今后在此搜索3d dram的朋友們分享。    創(chuàng)建詞條

          熱門(mén)主題

          樹(shù)莓派    linux   
          關(guān)于我們 - 廣告服務(wù) - 企業(yè)會(huì)員服務(wù) - 網(wǎng)站地圖 - 聯(lián)系我們 - 征稿 - 友情鏈接 - 手機(jī)EEPW
          Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
          《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
          備案 京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052    京公網(wǎng)安備11010802012473
          看屁屁www成人影院,亚洲人妻成人图片,亚洲精品成人午夜在线,日韩在线 欧美成人 (function(){ var bp = document.createElement('script'); var curProtocol = window.location.protocol.split(':')[0]; if (curProtocol === 'https') { bp.src = 'https://zz.bdstatic.com/linksubmit/push.js'; } else { bp.src = 'http://push.zhanzhang.baidu.com/push.js'; } var s = document.getElementsByTagName("script")[0]; s.parentNode.insertBefore(bp, s); })();