3d hal 文章 進(jìn)入3d hal技術(shù)社區(qū)
300層之后,3D NAND的技術(shù)路線圖
- 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
- 關(guān)鍵字: 3D NAND
TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新ASIL C級(jí)雜散場(chǎng)穩(wěn)健型3D HAL傳感器
- ●? ?HAL 3930-4100(單芯片)和 HAR 3930-4100(雙芯片)是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器,具備穩(wěn)健的雜散場(chǎng)補(bǔ)償能力,并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級(jí),可以集成到汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中,最高可達(dá) ASIL D 級(jí)●? ?目標(biāo)汽車應(yīng)用場(chǎng)景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測(cè)、變速器位置檢測(cè)、換檔器位置檢測(cè)、底盤位置檢測(cè)、油門和制動(dòng)踏板位置檢測(cè)**TDK株式會(huì)社利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的新型
- 關(guān)鍵字: TDK ASIL C 3D HAL傳感器
TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器
- ●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?!? ?卓越的角度測(cè)量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)水平,以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景提供支持。TDK 株式會(huì)社近日宣布,其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員,現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測(cè)的
- 關(guān)鍵字: TDK 3D HAL 位置傳感器
3D ToF相機(jī)于物流倉儲(chǔ)自動(dòng)化的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)
- 3D ToF智能相機(jī)能藉助飛時(shí)測(cè)距(Time of Flight;ToF)技術(shù),在物流倉儲(chǔ)現(xiàn)場(chǎng)精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料,確保人員、貨物與無人搬運(yùn)車移動(dòng)順暢,加速物流倉儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā),隔離政策改變?nèi)藗兊南M(fèi)模式與型態(tài),導(dǎo)致電商與物流倉儲(chǔ)業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長(zhǎng);于此同時(shí),人員移動(dòng)的管制,也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題,加速物流倉儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程,進(jìn)而大量導(dǎo)入無人搬運(yùn)車AGV(Automated Guided Vehicle)/AMR(Autonomous Mobile
- 關(guān)鍵字: 3D ToF 相機(jī) 物流倉儲(chǔ) 自動(dòng)化 臺(tái)達(dá)
3D NAND還是卷到了300層
- 近日,三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu),并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存,并計(jì)劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價(jià)和容量還
- 關(guān)鍵字: V-NAND 閃存 3D NAND
3D DRAM時(shí)代即將到來,泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)
- 動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮,隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發(fā)展,以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。(NAND指“NOT AND”,意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。)l 這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展,因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破,而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案
- MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案,該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU,主頻達(dá)到 150MHz,擁有 512KB 片上 Flash ,256KB RAM ,有多個(gè) Timer,多路 PWM,多種通信接口,支持 16 位的 ADC,資源豐富。 該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示,480*320 分辨率,支持 SD 卡、 U 盤傳輸打印資料給打印機(jī),支持 5 軸電機(jī)控制,支
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案
- 中國(guó)上海,2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦的 2023中國(guó)(上海)機(jī)器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案,Teledyne DALSA、e2v 和 FL
- 關(guān)鍵字: Teledyne Vision China 3D AI成像
3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備,雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件,這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC,通過金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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平面→立體,3D DRAM重定存儲(chǔ)器游戲規(guī)則?
- 近日,外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱,三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法,據(jù)稱這將改變存儲(chǔ)器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么?它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)?壹摩爾定律放緩,DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天,跨國(guó)公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM),而在不久的將來,這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國(guó)。DRA
- 關(guān)鍵字: 3D DRAM 存儲(chǔ)器
外媒:存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道,三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化,并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國(guó)首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示,3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長(zhǎng)動(dòng)力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況,業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然,而不是一種方向。與現(xiàn)有
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ) 3D DRAM
3d hal介紹
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