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迎需求熱潮！三星或追投西安3D NAND廠43億美元
- 據(jù)海外媒體報道，傳三星電子于2017～2018年，將大舉追加投資西安3D NAND Flash廠，業(yè)界人士預(yù)估共將投資約5兆韓元(約43.5億美元)，以迎接存儲器市場史上最大需求熱潮。 Chosun Biz日前引述業(yè)界消息指出，三星與大陸政府正針對西安廠第二期投資進(jìn)行商議，2017年三星可望與西安市簽署第二期投資及相關(guān)合作備忘錄。三星于2012年開始在西安廠的第一期投資與現(xiàn)在的第二期投資，皆用于打造3D NAND Flash生產(chǎn)所需設(shè)備及人力費用。 三星目前只使用西安廠腹地約34萬坪中的2
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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英特爾下一代突破性3D XPoint內(nèi)存遭遇嚴(yán)重推遲
- 去年英特爾宣布了內(nèi)存技術(shù)突破。該公司推出了所謂的3D XPoint技術(shù)，它非常適合DRAM和SSD之間的市場。新的非易失性芯片據(jù)稱會從根本上改變計算，但是現(xiàn)在傳出這一技術(shù)及其產(chǎn)品將被嚴(yán)重推遲發(fā)布。 根據(jù)英特爾自己的營銷材料顯示，3D XPoint技術(shù)不僅提升非易失性存儲器速度，而且還提供了出色的存儲密度。這使得存儲設(shè)備體積顯著小于現(xiàn)有型號。英特爾當(dāng)時宣稱這一新技術(shù)不僅僅是一些概念證明，而是準(zhǔn)備在今年全面生產(chǎn)與推廣。不幸的是，現(xiàn)在看起來英特爾已經(jīng)遇到麻煩，悄然大大推遲了3D XPoint技術(shù)和產(chǎn)品
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2017年中國將推自主生產(chǎn)3D NAND閃存，32層堆棧
- 摘要：由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓廠正式動工，整個項目預(yù)
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2017年中國將推自主生產(chǎn)32層堆棧3D NAND閃存
- 由于智能手機(jī)、SSD市場需求強(qiáng)烈，閃存、內(nèi)存等存儲芯片最近都在漲價，這也給了中國公司介入存儲芯片市場的機(jī)遇。在中國發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的規(guī)劃中，存儲芯片是最優(yōu)先的，也是全國各地都爭著上馬的項目，其中國家級的存儲芯片基地在武漢，投資超過240億美元，之前是新芯科技主導(dǎo)，現(xiàn)在已經(jīng)變成了紫光公司主導(dǎo)，預(yù)計2017年正式推出自主生產(chǎn)的3D NAND閃存，而且是32層堆棧的，起點不算低。 2015年中，國家級存儲芯片基地確定落戶武漢市，由武漢新芯科技公司負(fù)責(zé)建設(shè)，今年3月份12寸晶圓
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美光3D NAND創(chuàng)新低成本制程分析
- 美光公司日前開始量產(chǎn)其32層(32L) 3D NAND快閃記憶體，包含該元件的首批商用下游產(chǎn)品之一是Crucial 750GB SATA 2.5寸固態(tài)硬碟(SSD)。如圖1所示，這款產(chǎn)品的連續(xù)讀取/寫入速度分別高達(dá)每秒530MB與每秒510MB;其功耗較一般硬碟驅(qū)動器(HDD)改善了90倍，據(jù)稱也更加耐用。 Crucial SSD的售價為200美元，這使其成為筆記型電腦應(yīng)用最具吸引力的選項，而且我們發(fā)現(xiàn)有越來越多的電腦設(shè)備開始利用SSD取代傳統(tǒng)HDD。HDD也許將逐漸被市場所淘汰，不過必須承認(rèn)的
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3D NAND Flash成產(chǎn)業(yè)發(fā)展突破口
- 存儲器作為四大通用芯片之一，發(fā)展存儲芯片產(chǎn)業(yè)的意義不言而喻。對電子產(chǎn)品而言，存儲芯片就像糧食一樣不可或缺。它與數(shù)據(jù)相伴而生，哪里有數(shù)據(jù)，哪里就會需要存儲芯片。而且隨著大數(shù)據(jù)、物聯(lián)網(wǎng)等新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，存儲產(chǎn)業(yè)與信息安全等亦息息相關(guān)。 當(dāng)前，我國筆記本、智能手機(jī)出貨量均居全球首位。華為、聯(lián)想等廠商崛起，以及阿里巴巴、騰訊、百度等互聯(lián)網(wǎng)廠商帶動數(shù)據(jù)中心爆發(fā)，使得國產(chǎn)廠商對存儲需求量巨大。 相關(guān)數(shù)據(jù)顯示，2015年大陸DRAM采購規(guī)模估計為120億美元、NAND Flash采購規(guī)模為66.7億美元
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美光移動裝置3D NAND解決方案 瞄準(zhǔn)中高階手機(jī)市場
- 美光(Micron)3D NAND固態(tài)硬碟(SSD)產(chǎn)品方才正式面市，緊接又宣布將推出首款針對移動裝置最佳化的3D NAND產(chǎn)品，這也是美光首款支援通用快閃儲存(Universal Flash Storage;UFS)標(biāo)準(zhǔn)之產(chǎn)品。 美光移動事業(yè)行銷副總Gino Skulick在接受EE Times專訪表示，美光為移動裝置所推出的首款3D NAND為32GB產(chǎn)品，鎖定中、高階智能型手機(jī)市場，此區(qū)塊市場占全球智能型手機(jī)總數(shù)的50%。 而這也是業(yè)界首款采用浮動閘極(Floating Gate)技
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