3d ic 文章進(jìn)入3d ic技術(shù)社區(qū)

TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議。●? ?卓越的角度測(cè)量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開(kāi)發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景提供支持。TDK 株式會(huì)社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車(chē)和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測(cè)的
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3D ToF相機(jī)于物流倉(cāng)儲(chǔ)自動(dòng)化的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

3D ToF智能相機(jī)能藉助飛時(shí)測(cè)距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉(cāng)儲(chǔ)現(xiàn)場(chǎng)精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無(wú)人搬運(yùn)車(chē)移動(dòng)順暢，加速物流倉(cāng)儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M(fèi)模式與型態(tài)，導(dǎo)致電商與物流倉(cāng)儲(chǔ)業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長(zhǎng)；于此同時(shí)，人員移動(dòng)的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問(wèn)題，加速物流倉(cāng)儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導(dǎo)入無(wú)人搬運(yùn)車(chē)AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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延續(xù)摩爾定律：先進(jìn)封裝進(jìn)入3D堆疊CPU/GPU時(shí)代

堆疊需求旺盛。
關(guān)鍵字： 3D IC chiplet Cadence

3D NAND還是卷到了300層

近日，三星電子宣布計(jì)劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過(guò) 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進(jìn)一步完善 321 層 NAND 閃存，并計(jì)劃于 2025 年上半期開(kāi)始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報(bào)道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過(guò) 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭(zhēng)霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤(pán)的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價(jià)和容量還
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IC行業(yè)復(fù)蘇在即，電子產(chǎn)品銷(xiāo)售Q3將環(huán)比增10%

2023 年第三季度，電子產(chǎn)品銷(xiāo)售額預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn) 10% 的季度環(huán)比增長(zhǎng)。
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3D DRAM時(shí)代即將到來(lái)，泛林集團(tuán)這樣構(gòu)想3D DRAM的未來(lái)架構(gòu)

動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量?jī)?nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計(jì)算機(jī)、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機(jī)。技術(shù)進(jìn)步驅(qū)動(dòng)了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點(diǎn)間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲(chǔ)單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進(jìn)行與非邏輯運(yùn)算的電路單元。）l 這一趨勢(shì)有利于整個(gè)行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)樗芡苿?dòng)存儲(chǔ)器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲(chǔ)單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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被壟斷的NAND閃存技術(shù)

各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
關(guān)鍵字： NAND 3D NAND

3D 晶體管的轉(zhuǎn)變

迷人的技術(shù)革命。
關(guān)鍵字：晶體管 3D 晶體管 FinFET

基于 LPC5528 的 3D 打印機(jī)方案

MCU-Creator 是基于 NXP LPC5528 做的 3D 打印機(jī)主板方案，該方案主控 MCU LPC5528 是一顆 Cortex-M33 內(nèi)核的高性能 MCU，主頻達(dá)到 150MHz，擁有 512KB 片上 Flash ，256KB RAM ，有多個(gè) Timer，多路 PWM，多種通信接口，支持 16 位的 ADC，資源豐富。該方案支持 3.5 寸觸摸屏顯示，480*320 分辨率，支持 SD 卡、 U 盤(pán)傳輸打印資料給打印機(jī)，支持 5 軸電機(jī)控制，支
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案

中國(guó)上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國(guó)家會(huì)展中心舉辦的 2023中國(guó)（上海）機(jī)器視覺(jué)展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進(jìn)的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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愛(ài)芯元智CEO仇肖莘出席2023 IC NANSHA

中國(guó) 上海 2023年6月20日——6月17日-18日，以“南芯聲聚勢(shì)未來(lái)”為主題的2023中國(guó)·南沙國(guó)際集成電路產(chǎn)業(yè)論壇（IC NANSHA）成功舉辦。開(kāi)幕式上，愛(ài)芯元智創(chuàng)始人、董事長(zhǎng)兼CEO仇肖莘博士受邀發(fā)表《普惠智能的星辰大?！分黝}演講，向與會(huì)嘉賓分享了對(duì)邊緣側(cè)、端側(cè)人工智能的看沙法，并解讀愛(ài)芯元智2.0時(shí)代戰(zhàn)略規(guī)劃和業(yè)務(wù)布局。聚焦感知與計(jì)算，布局智慧城市、智能駕駛、AIoT三大賽道 IC NANSHA是為響應(yīng)大灣區(qū)國(guó)家戰(zhàn)略而搭建的集成電路產(chǎn)業(yè)論壇。2022年6月，國(guó)務(wù)院正式
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格力1.5億元參設(shè)創(chuàng)投基金，重點(diǎn)投資孵化IC等產(chǎn)業(yè)

珠海市招商署消息顯示，5月6日，珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金成立暨項(xiàng)目簽約儀式舉行。據(jù)悉，珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金由珠海賽納科技有限公司聯(lián)合格力集團(tuán)、正方集團(tuán)共同組建，計(jì)劃規(guī)模8億元，重點(diǎn)投資孵化激光打印、3D打印、打印耗材、集成電路及上下游相關(guān)產(chǎn)業(yè)。格力集團(tuán)消息稱，格力集團(tuán)旗下格力金投出資1.5億元并參與管理。儀式上，賽納科技、格力集團(tuán)、正方集團(tuán)三方簽約代表簽署“珠海賽納永盈一期創(chuàng)投基金”協(xié)議，基金擬投資企業(yè)珠海諾威達(dá)電機(jī)有限公司、廣州市小篆科技有限公司分別和賽納科技簽署項(xiàng)目落地協(xié)議。
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DRAM迎來(lái)3D時(shí)代？

3D DRAM 領(lǐng)域的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)升溫。
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IC 設(shè)計(jì)市況不明

IC 設(shè)計(jì)市場(chǎng)氣氛詭譎難辨，相關(guān)公司只能邊走邊看。
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3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)

5 月 5 日消息，鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲(chǔ)備，雙方正在努力實(shí)現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過(guò) 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過(guò) 210 個(gè)有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開(kāi)發(fā)具有超過(guò) 300 個(gè)有源字層的 3D NAND 器件，這是一個(gè)具有實(shí)驗(yàn)性的 3D NAND IC，通過(guò)金屬誘導(dǎo)側(cè)向
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