3d ic 文章進(jìn)入3d ic技術(shù)社區(qū)

基于RT3607HP的 Intel CPU IMVP 8/9 Vcore 電源方案

1. CPU Vcore 簡(jiǎn)介:VCORE轉(zhuǎn)換器（調(diào)節(jié)器）是在臺(tái)式個(gè)人電腦、筆記本式個(gè)人電腦、服務(wù)器、工業(yè)電腦等計(jì)算類設(shè)備中為CPU（中央處理器）內(nèi)核或GPU（圖形處理器）內(nèi)核供電的器件，與普通的POL（負(fù)載點(diǎn)）調(diào)節(jié)器相比，它們要滿足完全不同的需要：CPU/GPU都表現(xiàn)為變化超快的負(fù)載，需要以極高的精度實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)電壓定位 (Dynamic Voltage Positioning) ，需要滿足一定的負(fù)載線要求，需要在不同的節(jié)能狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，需要提供不同的參數(shù)測(cè)量和監(jiān)控。在VCORE轉(zhuǎn)換器與CPU之間通常以串列
關(guān)鍵字： Richtek 立锜 Intel IMVP8 RT3607 多相電源 PWM IC

什么是混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)？

在之前的文章中，我們討論了需要具有高輸入阻抗的放大器才能成功地從壓電傳感元件中提取加速度信息。對(duì)于一些壓電加速度計(jì)，放大器內(nèi)置在傳感器外殼中?，F(xiàn)代 IC 通常由來自各個(gè)領(lǐng)域的元素組成。還有各種片上系統(tǒng) (SoC) 和系統(tǒng)級(jí)封裝 (SiP) 技術(shù)，包括單個(gè) IC 上的每個(gè) IC 設(shè)計(jì)域，或包含各種半導(dǎo)體工藝和子 IC 的封裝。本簡(jiǎn)介概述了典型混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)流程中的步驟。在本文中，我們系列文章中短的一篇，我們將給出混合信號(hào) IC 設(shè)計(jì)流程的視圖——同時(shí)具有模擬和數(shù)字電路的 IC 設(shè)計(jì)流程。數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器——
關(guān)鍵字：混合信號(hào) IC

德州儀器推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的獨(dú)立式有源 EMI 濾波器 IC，支持高密度電源設(shè)計(jì)

中國(guó)上海（2023 年 3 月 28 日）– 德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）今日宣布推出業(yè)內(nèi)先進(jìn)的獨(dú)立式有源電磁干擾 (EMI) 濾波器集成電路 (IC)，能夠幫助工程師實(shí)施更小、更輕量的 EMI 濾波器，從而以更低的系統(tǒng)成本增強(qiáng)系統(tǒng)功能，同時(shí)滿足 EMI 監(jiān)管標(biāo)準(zhǔn)。隨著電氣系統(tǒng)變得愈發(fā)密集，以及互連程度的提高，緩解 EMI 成為工程師的一項(xiàng)關(guān)鍵系統(tǒng)設(shè)計(jì)考慮因素。得益于德州儀器研發(fā)實(shí)驗(yàn)室 Kilby Labs 針對(duì)新概念和突破性想法的創(chuàng)新開發(fā)，新的獨(dú)立式有源 EMI 濾波器 I
關(guān)鍵字：德州儀器有源 EMI 濾波器 IC 電源設(shè)計(jì)

平面→立體，3D DRAM重定存儲(chǔ)器游戲規(guī)則？

近日，外媒《BusinessKorea》報(bào)道稱，三星的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲(chǔ)器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國(guó)公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導(dǎo)體行業(yè)締造了一個(gè)影響巨大且市場(chǎng)規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國(guó)。DRA
關(guān)鍵字： 3D DRAM 存儲(chǔ)器

外媒：存儲(chǔ)大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化

據(jù)外媒《BusinessKorea》報(bào)道，三星電子的主要半導(dǎo)體負(fù)責(zé)人最近在半導(dǎo)體會(huì)議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認(rèn)為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導(dǎo)體研究所副社長(zhǎng)兼工藝開發(fā)室負(fù)責(zé)人Lee Jong-myung于3月10日在韓國(guó)首爾江南區(qū)三成洞韓國(guó)貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認(rèn)為是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的未來增長(zhǎng)動(dòng)力?？紤]到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認(rèn)為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
關(guān)鍵字：存儲(chǔ) 3D DRAM

芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”

國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺(tái)在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際在線平臺(tái)3D InCites的評(píng)選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱號(hào)。? “Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D InCi
關(guān)鍵字：芯和半導(dǎo)體榮 3D InCites Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)

晶圓廠貨源多元布局，代工報(bào)價(jià)面臨壓力

IT之家 3 月 13 日消息，據(jù)臺(tái)媒中央社報(bào)道，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)景氣反轉(zhuǎn)向下，晶圓代工產(chǎn)能松動(dòng)，IC 設(shè)計(jì)廠為強(qiáng)化供應(yīng)鏈，同時(shí)因未來可能變化的需求，紛紛針對(duì)貨源展開多元布局，晶圓代工報(bào)價(jià)恐將面臨壓力。臺(tái)媒指出，晶圓代工廠今年來因?yàn)榻K端市場(chǎng)需求疲弱，供應(yīng)鏈持續(xù)調(diào)整庫(kù)存，產(chǎn)能明顯松動(dòng)，世界先進(jìn)第一季度產(chǎn)能利用率恐較去年第四季度下滑 10 個(gè)百分點(diǎn)，力積電將降至 6 成多水準(zhǔn)，聯(lián)電第一季度產(chǎn)能利用率也將降至 7 成。IC 設(shè)計(jì)廠多數(shù)表示，晶圓代工廠并未調(diào)降代工價(jià)格，不過廠商針對(duì)配合預(yù)先投片備貨的客戶提供優(yōu)
關(guān)鍵字：晶圓代工 IC 設(shè)計(jì)

芯和半導(dǎo)體榮獲3D InCites “Herb Reiter年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”

國(guó)內(nèi)EDA行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者芯和半導(dǎo)體，由于其Metis平臺(tái)在2.5D/3DIC Chiplet先進(jìn)封裝設(shè)計(jì)分析方面的杰出表現(xiàn)，近日在半導(dǎo)體行業(yè)國(guó)際在線平臺(tái)3D InCites的評(píng)選中，獲封2023“Herb Reiter 年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)”稱號(hào)。?“Xpeedic芯和半導(dǎo)體去年宣布Chipletz采用了Metis平臺(tái)用于智能基板產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，這一事件引起了我們極大的關(guān)注?！?D?InCites創(chuàng)始人Fran?oise von Trapp表示，” 我們非常興奮芯和半導(dǎo)體今年首次參加3D
關(guān)鍵字：芯和半導(dǎo)體 3D InCites Herb Reiter年度最佳設(shè)計(jì)工具供應(yīng)商獎(jiǎng)

探索IC電源管理新領(lǐng)域的物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

本文深入探討物聯(lián)網(wǎng)電池技術(shù)，并提出設(shè)計(jì)人員可能面臨的一些電源問題，以及ADI提供的解決方案。這些高效的解決方案可以協(xié)助克服物聯(lián)網(wǎng)裝置中的其他問題，包括尺寸、重量和溫度。隨著物聯(lián)網(wǎng)裝置越來越密集地應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備、家庭自動(dòng)化和醫(yī)療應(yīng)用中，透過減小外形尺寸、提高效率、改善電流消耗，或者加快充電時(shí)間（對(duì)于可攜式物聯(lián)網(wǎng)裝置）來優(yōu)化這些裝置的電源管理的壓力也越來越大。相關(guān)的要求是所有這些都必須以小尺寸實(shí)現(xiàn)，既不能影響散熱，也不能干擾裝置實(shí)現(xiàn)無線通信。物聯(lián)網(wǎng)裝置的應(yīng)用領(lǐng)域幾乎沒有止境，每天都會(huì)考慮新的裝置和使用情況。
關(guān)鍵字： IC 電源管理物聯(lián)網(wǎng) ADI

支持下一代 SoC 和存儲(chǔ)器的工藝創(chuàng)新

本文將解析使 3D NAND、高級(jí) DRAM 和 5nm SoC 成為可能的架構(gòu)、工具和材料。要提高高級(jí) SoC 和封裝（用于移動(dòng)應(yīng)用程序、數(shù)據(jù)中心和人工智能）的性能，就需要對(duì)架構(gòu)、材料和核心制造流程進(jìn)行復(fù)雜且代價(jià)高昂的更改。正在考慮的選項(xiàng)包括新的計(jì)算架構(gòu)、不同的材料，包括更薄的勢(shì)壘層和熱預(yù)算更高的材料，以及更高縱橫比的蝕刻和更快的外延層生長(zhǎng)。挑戰(zhàn)在于如何以不偏離功率、性能和面積/成本 (PPAC) 曲線太遠(yuǎn)的方式組合這些。當(dāng)今的頂級(jí)智能手機(jī)使用集成多種低功耗、高性能功能的移動(dòng) SoC 平臺(tái)，包括一個(gè)或多
關(guān)鍵字： 3D NAND DRAM 5nm SoC

不是“空中樓閣”：努比亞Pad 3D搭載全球最大Leia 3D內(nèi)容生態(tài)

近日，努比亞宣布，將在MWC 2023上，公布全球首款由AI引擎驅(qū)動(dòng)3D平板：努比亞Pad 3D。但裸眼3D本身早已不是什么新鮮技術(shù)，這難免讓人懷疑這款努比亞Pad 3D的最大賣點(diǎn)，是否會(huì)向其他同類產(chǎn)品一樣，淪為“空中樓閣”。而今天，努比亞打消了用戶的這一顧慮。今天，努比亞官方宣布，努比亞Pad 3D將搭載全球最大的Leia 3D內(nèi)容生態(tài)系統(tǒng)，包含大量運(yùn)用裸眼3D技術(shù)的App，并獲得了來自多個(gè)包括Unity、UNREL等游戲引擎，以及GAMELOFT等游戲開發(fā)商的內(nèi)容支持。
關(guān)鍵字：努比亞 MWC 3D 游戲引擎

半導(dǎo)體渠道商：庫(kù)存降低速度慢于預(yù)期

IT之家 2 月 27 日消息，據(jù)臺(tái)灣地區(qū)經(jīng)濟(jì)日?qǐng)?bào)報(bào)道，半導(dǎo)體庫(kù)存問題不僅 IC 設(shè)計(jì)廠商需要面對(duì)，下游 IC 渠道商為顧及長(zhǎng)期合作關(guān)系，也常要與芯片原廠“共渡難關(guān)”。即便目前陸續(xù)傳出部分芯片有小量急單需求，有 IC 渠道廠商坦言，目前庫(kù)存去化速度還是比原本估計(jì)慢。IC 渠道廠商分析，市場(chǎng)目前的短單是否是曇花一現(xiàn)，通貨膨脹、美聯(lián)儲(chǔ)加息狀況、俄烏沖突以及國(guó)內(nèi)是否會(huì)有報(bào)復(fù)性買盤需求等是觀察重點(diǎn)。不具名的 IC 渠道廠商透露，目前庫(kù)存去化狀況不如預(yù)期，假設(shè)原本估計(jì)的庫(kù)存去化速度是進(jìn) 0.5 個(gè)月的貨，
關(guān)鍵字： IC 市場(chǎng)

基于 Richtek RT5047GSP 在于 LNB/LNBF 10W電源方案

小耳朵衛(wèi)星天線,在于一些偏遠(yuǎn)地區(qū)常見,用于收看衛(wèi)星電視節(jié)目,由于衛(wèi)星電視的信號(hào)非常微弱，所以我們需要一個(gè)拋物面天線來聚焦信號(hào)，還需要一個(gè)高頻頭，也稱為L(zhǎng)NB或LNBF，通常LNB和饋源安裝在天線的焦點(diǎn)上來收集信號(hào)。LNB又叫高頻頭(Low Noise Block)，即低噪聲下變頻器，其功能是將由饋源傳送的衛(wèi)星信號(hào)經(jīng)過放大和下變頻，把Ku或C波段信號(hào)變成L波段，經(jīng)同軸電纜傳送給衛(wèi)星接收機(jī),每只LNB只能用于某一波段，因?yàn)镾、C和KU波段需要不同的波導(dǎo)管。也有一些類型是用于圓極化和線極化信號(hào)接收的，它們主要在
關(guān)鍵字： Richtek 升壓 LNB STB Power IC

意法半導(dǎo)體和鈺立微電子在 CES 2023上展出合作成果：適用于機(jī)器視覺和機(jī)器人的3D 立體視覺攝像頭

雙方將通過立體攝像頭數(shù)據(jù)融合技術(shù)演示3D立體深度視覺， *AIoT 、AGV小車和工業(yè)設(shè)備依靠3D立體攝像頭跟蹤快速運(yùn)動(dòng)物體參考設(shè)計(jì)利用意法半導(dǎo)體的高性能近紅外全局快門圖像傳感器，確保打造出最佳品質(zhì)的深度感測(cè)和*點(diǎn)云圖資訊2023年1月5日，中國(guó)----在 1 月 5 日至 8 日舉行的拉斯維加斯CES 2023 消費(fèi)電子展上，服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱ST；紐約證券交易所代碼:STM)，和專
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體鈺立 CES 2023 機(jī)器視覺 3D 立體視覺攝像頭

如何達(dá)到3D位置感測(cè)的實(shí)時(shí)控制

本文回顧3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的基礎(chǔ)知識(shí)，并描述在機(jī)器人、篡改偵測(cè)、人機(jī)接口控制和萬向節(jié)馬達(dá)系統(tǒng)中的用途；以及介紹高精密度線性3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的范例。用于實(shí)時(shí)控制的3D位置感測(cè)在各種工業(yè)4.0應(yīng)用中不斷增加，從工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化系統(tǒng)，到掃地機(jī)器人和保全。3D霍爾效應(yīng)位置傳感器是這些應(yīng)用的理想選擇；它們具有高重復(fù)性和可靠性，還可以與窗戶、門和外殼搭配，進(jìn)行入侵或磁性篡改偵測(cè)。盡管如此，使用霍爾效應(yīng)傳感器設(shè)計(jì)有效且安全的3D感測(cè)系統(tǒng)可能復(fù)雜且耗時(shí)?；魻栃?yīng)傳感器需要與足夠強(qiáng)大的微控制器（MCU）介接，以
關(guān)鍵字： 3D位置感測(cè) 實(shí)時(shí)控制 3D 霍爾效應(yīng)傳感器