3d nand 文章 進入3d nand技術社區(qū)
中國SSD行業(yè)企業(yè)勢力全景圖
- 全球范圍看，2021-2023年存儲芯片的市場規(guī)模將分別達到1552億美元、1804億美元及2196億美元，增幅分別達到22.5%、16.2%和21.7%。其中，2021年DRAM市場規(guī)模約占56%，NAND Flash市場規(guī)模約占41%（IC Insights數(shù)據(jù)）。另外，根據(jù)CFM 閃存市場預計，2021年全球存儲市場規(guī)模將達1620億美元，增長29%，其中DRAM為945億美元，NAND Flash為675億美元。這兩個調(diào)研機構(gòu)的數(shù)據(jù)相近，相差100億美元。目前，全球儲存芯片市場主要被韓國、歐美以及
- 關鍵字： 存儲芯片 DRAM NAND Flash
長江存儲SSD上新！42mm迷你身材飚出3.9GB/s
- 這兩年，長江存儲無論是NAND閃存還是SSD固態(tài)盤，都呈現(xiàn)火力全開的姿態(tài)，從技術到產(chǎn)品都不斷推陳出新。6月23日，長江存儲有發(fā)布了面向OEM市場的商用SSD PC300系列，可用于筆記本、輕薄本、二合一本、一體機、臺式機、物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式、服務器等各種場景，而且同時支持3.3V、1.8V SideBand電壓，可適配更多平臺。長江存儲PC300系列采用了自家的Xtacking 2.0晶棧架構(gòu)的第三代3D NAND閃存芯片，容量256GB、512GB、1TB。提供M.2 2242、M.2 2280兩種形態(tài)規(guī)格
- 關鍵字： 長江存儲 3D NAND
存儲芯片從落后20年，到追上三星、美光，中國廠商只花了6年
- 近日，有消息稱，國內(nèi)存儲芯片大廠長江存儲已向客戶交付了192層堆疊的3D NAND閃存芯片。而預計在2022年底或2023年初，會實現(xiàn)232層堆疊的3D NAND閃存技術。這意味著國內(nèi)存儲芯片廠商，終于追上三星、美光了。要知道美光是前不久才發(fā)布了業(yè)界首個 232 層堆棧的 3D NAND Flash芯片，而大規(guī)模量產(chǎn)和應用要到2022年底或2023年初去了。而三星預計也是在2022年內(nèi)推出200層以上的3D NAND閃存芯片，而大規(guī)模應用也要到2023年去了?？梢?，國產(chǎn)存儲芯片，在技術上確實已經(jīng)追上了三星
- 關鍵字： 長江存儲 3D NAND
中國芯片傳來捷報，長江存儲取得技術突破，正式打破三星壟斷
- 中國芯片傳來捷報，長江存儲取得重大技術突破，正式打破韓國三星壟斷，目前已經(jīng)完成192層3D NAND閃存樣品生產(chǎn)，預計年底實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)交付。長江存儲一直是我國優(yōu)秀的存儲芯片企業(yè)，從成立之初就保持著高速穩(wěn)定的發(fā)展狀態(tài)，用短短3年的時間，接連推出了32層NAND閃存，以及64層堆棧3D NAND閃存，成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。隨后為了縮短和三星、SK海力士、鎧俠等寡頭企業(yè)的距離，長江存儲直接越級跳過了96層，直接進入了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并成功在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是
- 關鍵字： 長江存儲 3D NAND
國產(chǎn)存儲芯片又取得突破，長江存儲192層閃存送樣，預計年底量產(chǎn)
- 頭一段時間，有媒體報道稱，長江存儲自主研發(fā)的192層3D NAND閃存已經(jīng)送樣，預計年底實現(xiàn)量產(chǎn)。長江存儲一直是我們優(yōu)秀的國產(chǎn)存儲芯片企業(yè)，從成立之初便保持了一個高速的發(fā)展狀態(tài)。2016年成立，2017年便推出了32層NAND閃存。2019年，推出64層堆棧3D NAND閃存，并成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。為了縮短與三星、SK海力士、鎧俠等行業(yè)大廠的差距，長江存儲跳過了96層，直接進行了128層3D NAND 閃存的研發(fā)，并在2020年正式宣布研發(fā)成功，它是業(yè)內(nèi)首款128層QLC規(guī)格的3D N
- 關鍵字： 長江存儲 3D NAND
美光針對數(shù)據(jù)中心推出業(yè)界首款基于 176 層 NAND 的SATA SSD
- 內(nèi)存和存儲解決方案領先供應商 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布推出全球首款專為數(shù)據(jù)中心工作負載設計的基于 176 層 NAND 技術的SATA 固態(tài)硬盤 (SSD)。美光 5400 SATA SSD 是目前最先進的數(shù)據(jù)中心 SATA SSD產(chǎn)品，采用久經(jīng)考驗的第 11 代 SATA 架構(gòu)，支持廣范的應用場景，提供相比傳統(tǒng)機械硬盤 (HDD) 顯著提升的性能，并延長了 SATA 平臺的使用壽命。美光副總裁暨數(shù)據(jù)中心存儲產(chǎn)品總經(jīng)理 Alvaro Toledo 表示
- 關鍵字： 美光 數(shù)據(jù)中心 176 層 NAND SATA SSD
imec首度展示晶背供電邏輯IC布線方案 推動2D/3D IC升級
- 比利時微電子研究中心（imec）于本周舉行的2022年IEEE國際超大規(guī)模集成電路技術研討會（VLSI Symposium），首度展示從晶背供電的邏輯IC布線方案，利用奈米硅穿孔（nTSV）結(jié)構(gòu)，將晶圓正面的組件連接到埋入式電源軌（buried power rail）上。微縮化的鰭式場效晶體管（FinFET）透過這些埋入式電源軌（BPR）實現(xiàn)互連，性能不受晶背制程影響。 FinFET微縮組件透過奈米硅穿孔（nTSV）與埋入式電源軌（BPR）連接至晶圓背面，與晶圓正面連接則利用埋入式電源軌、通孔對
- 關鍵字： imec 晶背供電 邏輯IC 布線 3D IC
英飛凌攜手湃安德為Magic Leap 2開發(fā)3D深度傳感技術，賦能尖端工業(yè)和醫(yī)療應用
- 增強現(xiàn)實（AR）應用將從根本上改變?nèi)祟惖纳詈凸ぷ鞣绞健ｎA計今年下半年，AR領域的開拓者Magic Leap將推出其最新的AR設備Magic Leap 2。Magic Leap 2專為企業(yè)級應用而設計，將成為市場上最具沉浸感的企業(yè)級AR頭顯之一。Magic Leap 2符合人體工學設計，擁有行業(yè)領先的光學技術和強大的計算能力，能夠讓操作人員更高效地開展工作，幫助公司優(yōu)化復雜的流程，并支持員工進行無縫協(xié)作。Magic Leap 2的核心優(yōu)勢之一是采用了由英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX:
- 關鍵字： 3D s深度傳感
3D DRAM技術是DRAM的的未來嗎？
- 5月25日，有消息傳出，華為將在VLSI Symposium 2022期間發(fā)表其與中科院微電子研究所合作開發(fā)的 3D DRAM 技術。隨著“摩爾定律”走向極限，DRAM芯片工藝提升將愈發(fā)困難。3D DRAM就成了各大存儲廠商突破DRAM工藝極限的新方案。DRAM工藝的極限目前，DRAM芯片最先進的工藝是10nm。據(jù)公開資料顯示，三星早已在2020年完成了10nm制程DRAM的出貨；美光和SK海力士也在2021年完成了10nm DRAM產(chǎn)品的量產(chǎn)。那么，10nm是DRAM工藝的極限嗎？在回答這個問題之前，我
- 關鍵字： DRAM 3D DRAM 華為 三星 美光 制程 納米
SK海力士首次公開與Solidigm的“合作產(chǎn)品”
- “獨立子公司成立僅三個月，兩家公司在事業(yè)上的合作全面開始”SK海力士和Solidigm首次公開了結(jié)合SK海力士128層NAND閃存與Solidigm的SSD控制器和固件的合作產(chǎn)品。SK海力士和Solidigm將繼續(xù)優(yōu)化兩家公司的運營，以創(chuàng)造協(xié)同效應和合作伙伴關系。加州圣何塞和南韓首爾2022年4月5日 /美通社/ -- SK海力士和Solidigm（或“公司”， www.skhynix.com）今日首次公開了兩家公司共同開發(fā)的新企業(yè)級SSD（eSSD）產(chǎn)品-P5530。Solidigm是SK海力士在去年年
- 關鍵字： SK海力士 Solidigm eSSD NAND
NVIDIA透過人工智能 將2D平面照片轉(zhuǎn)變?yōu)?D立體場景
- 當人們在75年前使用寶麗來 (Polaroid ) 相機拍攝出世界上第一張實時成像照片時，便是一項以逼真 2D 影像迅速捕捉 3D 世界畫面的創(chuàng)舉。時至今日，人工智能 (AI) 研究人員反將此作法倒轉(zhuǎn)過來，亦即在幾秒鐘內(nèi)將一組靜態(tài)影像變成數(shù)字 3D 場景。 NVIDIA Research 透過人工智能，在一瞬間將 2D 平面照片變成 3D 立體場景這項稱為逆向渲染 (inverse rendering) 的過程，利用 AI 來預估光線在真實世界中的表現(xiàn)，讓研究人員能利用從不同角度拍攝的少量 2D
- 關鍵字： 3D CPU GPU NVIDIA
適用于 TMAG5170 SPI 總線接口、高精度線性 3D 霍爾效應傳感器的評估模塊
- TMAG5170UEVM 是一個易于使用的平臺，用于評估 TMAG5170 的主要特性和性能。此評估模塊 (EVM) 包含圖形用戶界面 (GUI)，用于讀取和寫入寄存器以及查看和保存測量結(jié)果。還包括一個 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊，用于通過單個器件測試角度測量和按鈕的常用功能。特性· GUI 支持讀取和寫入器件寄存器以及查看和保存測量結(jié)果· 3D 打印旋轉(zhuǎn)和推送模塊· 可分離式 EVM 適用于定制用例· 方便通過常見的 micro-USB 連接器充電
- 關鍵字： 精密數(shù)模轉(zhuǎn)換器 霍爾效應傳感器 3D
針對勒索軟件與網(wǎng)絡攻擊 IBM打造新一代儲存產(chǎn)品
- IBM發(fā)布下一代閃存產(chǎn)品，瞄準日益嚴峻的勒索軟件和其他網(wǎng)絡攻擊。 IBM FlashSystem Cyber Vault旨在幫助企業(yè)更快速地檢測勒索軟件和其他網(wǎng)絡攻擊并從中恢復；而建基于 IBM Spectrum Virtualize 的全新 FlashSystem 存儲模型能夠提供單一且一致的操作環(huán)境，旨在提高混合云環(huán)境下的網(wǎng)絡復原力和應用程序性能。 IBM 推出下一代儲存產(chǎn)品，瞄準勒索軟件及其他網(wǎng)絡攻擊根據(jù)IBM網(wǎng)絡彈性機構(gòu)的研究，46%的受訪者表示在過去兩年中經(jīng)歷了勒索軟件攻擊。隨著網(wǎng)絡攻
- 關鍵字： NAND Flash IBM 閃存
3d nand介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條3d nand!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d nand的理解，并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對3d nand的理解，并與今后在此搜索3d nand的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
3d nand電路
3d nand相關帖子
3d nand資料下載
3d nand專欄文章
關于我們 -
廣告服務 -
企業(yè)會員服務 -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權所有 北京東曉國際技術信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473