3d nand 文章進(jìn)入3d nand技術(shù)社區(qū)

NAND Flash需求位 2025前年增率恐低于3成

消費(fèi)性固態(tài)硬盤(pán)（Client SSD）受惠于疫情紅利，在過(guò)去二年作為推動(dòng)全球NAND Flash需求位成長(zhǎng)的要角，市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦預(yù)估，2022年消費(fèi)性SSD在筆電的滲透率達(dá)92％，2023年約96％。但隨疫情紅利退場(chǎng)，加上總經(jīng)不佳導(dǎo)致消費(fèi)性電子需求急凍，未來(lái)消費(fèi)性SSD需求放緩最明顯，連帶使整體NAND Flash需求位成長(zhǎng)受限，估2022～2025年的年增率均低于30％。容量方面，2022年消費(fèi)性SSD于筆電搭載容量已逾500GB，512GB消費(fèi)性SSD在近期迅速跌價(jià)后，已與半年前256GB報(bào)價(jià)相近，甚至
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基于FPGA的NAND FLASH壞塊表的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

在現(xiàn)代電子設(shè)備中，越來(lái)越多的產(chǎn)品使用NAND FLASH芯片來(lái)進(jìn)行大容量的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)，而且使用FPGA作為核心處理芯片與NAND FLASH直接交聯(lián)。根據(jù)NAND FLASH的特點(diǎn)，需要識(shí)別NAND FLASH芯片的壞塊并進(jìn)行管理。FPGA對(duì)壞塊的管理不能按照軟件的壞塊管理方式進(jìn)行。本文提出了一種基于FPGA的NAND FLASH芯片壞塊表的設(shè)計(jì)方法，利用FPGA中RAM模塊，設(shè)計(jì)了狀態(tài)機(jī)電路，靈活地實(shí)現(xiàn)壞塊表的建立、儲(chǔ)存和管理，并且對(duì)該設(shè)計(jì)進(jìn)行測(cè)試驗(yàn)證。
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如何達(dá)到3D位置感測(cè)的實(shí)時(shí)控制

本文回顧3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的基礎(chǔ)知識(shí)，并描述在機(jī)器人、篡改偵測(cè)、人機(jī)接口控制和萬(wàn)向節(jié)馬達(dá)系統(tǒng)中的用途；以及介紹高精密度線性3D霍爾效應(yīng)位置傳感器的范例。用于實(shí)時(shí)控制的3D位置感測(cè)在各種工業(yè)4.0應(yīng)用中不斷增加，從工業(yè)機(jī)器人、自動(dòng)化系統(tǒng)，到掃地機(jī)器人和保全。3D霍爾效應(yīng)位置傳感器是這些應(yīng)用的理想選擇；它們具有高重復(fù)性和可靠性，還可以與窗戶、門(mén)和外殼搭配，進(jìn)行入侵或磁性篡改偵測(cè)。盡管如此，使用霍爾效應(yīng)傳感器設(shè)計(jì)有效且安全的3D感測(cè)系統(tǒng)可能復(fù)雜且耗時(shí)?；魻栃?yīng)傳感器需要與足夠強(qiáng)大的微控制器（MCU）介接，以
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全球首款！美光232層NAND客戶端SSD正式出貨

12月15日，美光宣布，已開(kāi)始向PC OEM客戶出貨適用于主流筆記本電腦和臺(tái)式機(jī)的美光2550 NVMe固態(tài)硬盤(pán)（SSD）。據(jù)官方介紹，美光2550是全球首款采用200+層NAND技術(shù)的客戶端SSD，該產(chǎn)品基于PCIe 4.0架構(gòu)，采用美光232層NAND技術(shù)，加強(qiáng)了散熱架構(gòu)和低功耗設(shè)計(jì)。美光2550 SSD可在包括游戲、消費(fèi)和商用客戶端等主流PC平臺(tái)上提升應(yīng)用程序的運(yùn)行速度和響應(yīng)靈敏度。與競(jìng)品相比，2550 SSD文件傳輸速度快112%，辦公應(yīng)用運(yùn)行速度快67%，主流游戲加載速度快57%，內(nèi)容創(chuàng)
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韓國(guó)芯片出口暴降30%！SSD腰斬白菜價(jià)甩賣(mài)：SK海力士、三星虧到家

作為韓國(guó)的重要支柱，芯片出口的多少，直接關(guān)系著幾大財(cái)團(tuán)的營(yíng)收，比如三星、SK海力士等等。據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑，導(dǎo)致對(duì)芯片的需求下滑，尤其是存儲(chǔ)芯片，需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國(guó)關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示，在11月份的前20天，韓國(guó)芯片出口52.8億美元，同比下滑 29.4%。除了芯片，韓國(guó)重要的出口產(chǎn)品還有智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備，但這一類(lèi)產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額，也同比下滑20.6%，降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個(gè)現(xiàn)象是，全球智能手機(jī)老大已經(jīng)在不停的砍單了，至少在3000萬(wàn)部，這也
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大聯(lián)大世平集團(tuán)推出基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識(shí)別門(mén)禁系統(tǒng)方案

2022年11月16日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷(xiāo)商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下世平推出基于耐能（Kneron）KL520芯片的3D AI人臉識(shí)別門(mén)禁系統(tǒng)方案。圖示1-大聯(lián)大世平基于耐能Kneron產(chǎn)品的3D AI人臉識(shí)別門(mén)禁系統(tǒng)方案的展示板圖在現(xiàn)代化經(jīng)濟(jì)建設(shè)和智能管理的驅(qū)動(dòng)下，人工智能門(mén)禁系統(tǒng)作為安防基礎(chǔ)核心迎來(lái)了前所未有的廣闊前景。特別是在疫情這個(gè)特殊情境下，各種酒店、賓館、寫(xiě)字樓、智能大廈、政府機(jī)關(guān)等單位，對(duì)于多功能智能門(mén)禁系統(tǒng)的需求更是日益攀高。在此趨勢(shì)下，大
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Arm Immortalis 實(shí)現(xiàn) 3D 游戲新境界

新聞重點(diǎn)· 隨著業(yè)界首次采用 Arm 2022 全面計(jì)算解決方案，Arm 持續(xù)提高安卓生態(tài)系統(tǒng)的性能標(biāo)桿· Arm Immortalis-G715 支持基于硬件的光線追蹤，將為高級(jí)移動(dòng)游戲提供超真實(shí)的圖形性能· Arm Cortex-X3 所提供的計(jì)算基礎(chǔ)可為新一代智能手機(jī)提供具有智能能效的旗艦性能Arm? 今日宣布，MediaTek 近期發(fā)布的天璣 9200 移動(dòng)芯片采用了 Arm 旗艦級(jí) GPU Arm Immortalis?-G
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三星開(kāi)始量產(chǎn)第8代V-NAND，存儲(chǔ)密度高達(dá)1Tb

作為全球化的半導(dǎo)體企業(yè)，正如在2022年度閃存峰會(huì)和2022年度三星內(nèi)存技術(shù)日上所承諾的，三星今日宣布，已開(kāi)始量產(chǎn)三星產(chǎn)品中具有最高存儲(chǔ)密度的1Tb（太字節(jié)）三比特單元（TLC）第8代V-NAND。1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲(chǔ)密度，可為全球企業(yè)系統(tǒng)提供容量更大、密度更高的存儲(chǔ)解決方案。三星電子第八代V-NAND，1Tb三星閃存產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁SungHoi Hu表示："市場(chǎng)對(duì)更高密度、更大容量存儲(chǔ)的需求，推動(dòng)了V-NAND層數(shù)的增加，三星采用3D縮放（3
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三星宣布量產(chǎn)第 8 代 V-NAND 閃存，PCIe 5.0 SSD 速度可超 12GBps

IT之家 11 月 7 日消息，雖然還沒(méi)有發(fā)布任何實(shí)際產(chǎn)品，但三星電子現(xiàn)宣布已經(jīng)開(kāi)始大規(guī)模生產(chǎn)其 236 層 3D NAND 閃存芯片，該公司將其命名為第 8 代 V-NAND。新一代存儲(chǔ)芯片可帶來(lái) 2400MTps 的傳輸速度，當(dāng)搭配高端主控使用時(shí)，它可使得消費(fèi)級(jí) SSD 的傳輸速度輕松超過(guò) 12GBps。據(jù)介紹，第 8 代 V-NAND 可提供 1Tb (128GB) 的方案，三星電子沒(méi)有公開(kāi) IC 的大小和實(shí)際密度，不過(guò)他們稱(chēng)之為業(yè)界最高的比特密度。三星聲稱(chēng)，與現(xiàn)有相同容量的閃存芯片相比，
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存儲(chǔ)系統(tǒng)的數(shù)字安全技術(shù)

NAND 閃存用于各種消費(fèi)和工業(yè)產(chǎn)品，從筆記本電腦和手機(jī)到工業(yè)機(jī)器人、醫(yī)療設(shè)備和嵌入式物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備，如傳感器和控制器。在我們?nèi)找婊ヂ?lián)的世界中，這些應(yīng)用程序中的所有脆弱點(diǎn)都需要足夠和強(qiáng)大的安全措施，包括數(shù)據(jù)存儲(chǔ)系統(tǒng)。因此，在選擇或設(shè)計(jì) NAND 閃存存儲(chǔ)系統(tǒng)時(shí)，必須確保存儲(chǔ)器的安全性滿足應(yīng)用程序的要求。執(zhí)行現(xiàn)代安全技術(shù)需要足夠的處理能力。作為存儲(chǔ)系統(tǒng)的“大腦”，NAND閃存控制器必須足夠強(qiáng)大以支持整個(gè)存儲(chǔ)系統(tǒng)所需的安全級(jí)別。本文概述了 NAND 閃存的安全性，涵蓋了最常見(jiàn)的硬件和軟件技術(shù)，有助于告知讀
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SK海力士：未研究過(guò)“轉(zhuǎn)移中國(guó)工廠設(shè)備”相關(guān)具體計(jì)劃

近日，SK海力士考慮“撤出中國(guó)”、“轉(zhuǎn)移中國(guó)工廠設(shè)備”等消息引發(fā)業(yè)界高度關(guān)注，對(duì)此，SK海力士于10月26日就中國(guó)工廠運(yùn)營(yíng)作出澄清說(shuō)明。SK海力士表示，公司在10月26日的第三季度業(yè)績(jī)發(fā)表會(huì)上，針對(duì)由于地緣政治問(wèn)題及多種因素導(dǎo)致中國(guó)工廠運(yùn)營(yíng)受困的各種假想情境，作出了可能會(huì)考慮應(yīng)急方案(Contingency Plan)的原則性回復(fù)。其中，“中國(guó)工廠的設(shè)備轉(zhuǎn)移”等相關(guān)發(fā)言是針對(duì)可能性極低的極端情況作出的現(xiàn)場(chǎng)回復(fù)，SK海力士澄清并未研究過(guò)與此相關(guān)的具體計(jì)劃。另外，針對(duì)美國(guó)對(duì)芯片設(shè)備出口的管制，SK海力士表示，
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臺(tái)積電宣布聯(lián)手三星、ARM、美光等19個(gè)合作伙伴成立OIP 3D Fabric聯(lián)盟

臺(tái)積電10月27日宣布，成立開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)（OIP）3D Fabric聯(lián)盟以推動(dòng)3D半導(dǎo)體發(fā)展，目前已有三星、美光、SK海力士、日月光、ARM、新思科技、Advantest、世芯電子、Alphawave、Amkor、Ansys、Cadence、創(chuàng)意電子、IBIDEN、西門(mén)子、Silicon Creations、矽品精密工業(yè)、Teradyne、Unimicron19個(gè)合作伙伴同意加入。據(jù)悉，3DFabric聯(lián)盟成員能夠及早取得臺(tái)積電的3DFabric技術(shù)，使得他們能夠與臺(tái)積電同步開(kāi)發(fā)及優(yōu)化解決方案，也
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IQE 宣布與全球消費(fèi)電子領(lǐng)導(dǎo)者達(dá)成長(zhǎng)期戰(zhàn)略協(xié)議

- 長(zhǎng)期批量供應(yīng)協(xié)議即刻生效- 為下一代 3D 傳感應(yīng)用開(kāi)發(fā) VCSEL 技術(shù)- 進(jìn)一步加強(qiáng) IQE 作為 3D 傳感市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者的地位 IQE plc（AIM 股票代碼：IQE，以下簡(jiǎn)稱(chēng)“IQE”或“集團(tuán)”），全球領(lǐng)先的化合物半導(dǎo)體晶圓產(chǎn)品和先進(jìn)材
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西門(mén)子推軟件解決方案加快簡(jiǎn)化2.5D/3D IC可測(cè)試性設(shè)計(jì)

西門(mén)子數(shù)字化工業(yè)軟件近日推出Tessent Multi-die軟件解決方案，旨在幫助客戶加快和簡(jiǎn)化基于2.5D和3D架構(gòu)的新一代集成電路（IC）關(guān)鍵可測(cè)試性設(shè)計(jì)（DFT）。隨著市場(chǎng)對(duì)于更小巧、更節(jié)能和更高效能的IC需求日益提升，IC設(shè)計(jì)界也面臨著嚴(yán)苛挑戰(zhàn)。下一代組件正傾向于采用復(fù)雜的2.5D和3D架構(gòu)，以垂直（3D IC）或并排（2.5D）方式連接多個(gè)晶粒，使其能夠作為單一組件運(yùn)作。但是，這種做法為芯片測(cè)試帶來(lái)巨大的挑戰(zhàn)，因?yàn)榇蟛糠謧鹘y(tǒng)的測(cè)試方法都是基于常規(guī)的2D流程。為了解決這些挑戰(zhàn)，西門(mén)子推出Tess
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高手在民間世界技能大賽特別賽中國(guó)已奪8金位居第一

　　10月17日，2022年世界技能大賽特別賽韓國(guó)賽區(qū)閉幕式舉行，中國(guó)6名選手獲得3枚金牌、1枚銅牌和2個(gè)優(yōu)勝獎(jiǎng)，實(shí)現(xiàn)多個(gè)項(xiàng)目上金牌和獎(jiǎng)牌零的突破。　　本次特別賽韓國(guó)賽區(qū)比賽于10月12日開(kāi)幕，共舉行8個(gè)項(xiàng)目的比賽，吸引了來(lái)自34個(gè)國(guó)家和地區(qū)的130余名選手參賽。中國(guó)選手參加其中6個(gè)項(xiàng)目的角逐?！　∑渲?，來(lái)自廣州市工貿(mào)技師學(xué)院的選手楊書(shū)明獲得移動(dòng)應(yīng)用開(kāi)發(fā)項(xiàng)目金牌，成為本次大賽該新增項(xiàng)目首個(gè)金牌獲得者。　　來(lái)自深圳技師學(xué)院的選手羅凱、陳新源分別獲得3D數(shù)字游戲藝術(shù)項(xiàng)目、云計(jì)算項(xiàng)目金牌，實(shí)現(xiàn)我國(guó)在這兩個(gè)項(xiàng)目上
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