3d x-dram 文章進(jìn)入3d x-dram技術(shù)社區(qū)

DDR5時(shí)代來臨,新挑戰(zhàn)不可忽視

在人工智能（AI）、機(jī)器學(xué)習(xí)（ML）和數(shù)據(jù)挖掘的狂潮中，我們對(duì)數(shù)據(jù)處理的渴求呈現(xiàn)出前所未有的指數(shù)級(jí)增長(zhǎng)。面對(duì)這種前景，內(nèi)存帶寬成了數(shù)字時(shí)代的關(guān)鍵“動(dòng)脈”。其中，以雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率和更高的帶寬而聞名的 DDR（Double Data Rate）技術(shù)作為動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（DRAM）的重要演進(jìn)，極大地推動(dòng)了計(jì)算機(jī)性能的提升。從 2000 年第一代 DDR 技術(shù)誕生，到 2020 年 DDR5，每一代 DDR 技術(shù)在帶寬、性能和功耗等各個(gè)方面都實(shí)現(xiàn)了顯著的進(jìn)步。如今，無論是 PC、筆電還是人工智能，各行業(yè)正在加
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TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?！? ?卓越的角度測(cè)量以及符合 ISO 26262 標(biāo)準(zhǔn)的開發(fā)水平，以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景提供支持。TDK 株式會(huì)社近日宣布，其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員，現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場(chǎng)景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測(cè)的
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全球首個(gè)，華為重磅發(fā)布！事關(guān)5G

據(jù)華為官方微信號(hào)10月11日消息，2023全球移動(dòng)寬帶論壇（Global MBB Forum 2022）期間，華為董事、ICT產(chǎn)品與解決方案總裁楊超斌重磅發(fā)布了全新一代5G室內(nèi)數(shù)字化產(chǎn)品解決方案LampSite X系列，助力運(yùn)營(yíng)商打開商業(yè)新空間，加快邁向數(shù)智化新時(shí)代。楊超斌表示：“LampSite X將5G-A極致能力首次帶入室內(nèi)場(chǎng)景，實(shí)現(xiàn)室內(nèi)數(shù)字化全面升級(jí)：以最小體積、最輕重量、最簡(jiǎn)部署、最低能耗實(shí)現(xiàn)萬(wàn)兆體驗(yàn)和多維能力升級(jí)，滿足消費(fèi)者更極致的室內(nèi)體驗(yàn)需求，釋放千行百業(yè)更強(qiáng)大的數(shù)字生產(chǎn)力?！比A為無線網(wǎng)絡(luò)產(chǎn)
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三星、SK海力士拿到無限期豁免權(quán)

10月9日，韓國(guó)總統(tǒng)辦公室通報(bào)，美國(guó)目前已做出決定 —— 在無需單獨(dú)批準(zhǔn)的情況下，三星和SK海力士可以向中國(guó)工廠提供半導(dǎo)體設(shè)備，該決定一經(jīng)通報(bào)即生效。據(jù)悉，無限期豁免將通過更新Validated End-User（VEU）清單來取得。若被納入該清單，便無需額外獲得許可，代表美國(guó)出口管制的適用性實(shí)際上是被無限期暫停。三星在一份聲明中表示，“通過與相關(guān)政府的密切協(xié)調(diào)，與我們?cè)谥袊?guó)的半導(dǎo)體生產(chǎn)線運(yùn)營(yíng)有關(guān)的不確定性已大大消除?！盨K海力士則表示，“我們歡迎美國(guó)政府決定延長(zhǎng)對(duì)出口管制規(guī)定的豁免。我們相信，這一決定將
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存儲(chǔ)芯片，果真回暖了

受需求放緩、供應(yīng)增加、價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)加劇等因素影響，存儲(chǔ)芯片的價(jià)格在 2022 年最后兩個(gè)季度均出現(xiàn)暴跌。根據(jù) TrendForce 的最新數(shù)據(jù)顯示，DRAM 的平均價(jià)格繼 2022 年第三季度暴跌 31.4% 之后，在第四季度的跌幅擴(kuò)大到了 34.4%。今年 Q1，DRAM 均價(jià)跌幅收斂至 13%～18%，Q2 DRAM 價(jià)格跌幅收窄至 10% 到 15%。與 DRAM 市況相似，NAND 閃存的市場(chǎng)需求也大幅下滑。2022 年 Q3 和 Q4 NAND Flash 價(jià)格跌幅均超過 20%，今年 Q1 NAN
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1γ DRAM、321 層 NAND: 主流廠商新一輪裝備競(jìng)賽已拉開帷幕

IT之家 10 月 10 日消息，閃存市場(chǎng)固然存在全球經(jīng)濟(jì)下行、高通脹等諸多因素影響，依然處于充滿挑戰(zhàn)的時(shí)期，但美光、三星等 DRAM 巨頭正積極備戰(zhàn) 1γ DRAM 技術(shù)。圖源：SK 海力士DRAM目前全球最先進(jìn)的 DRAM 工藝發(fā)展到了第五代，美光將其稱為 1β DRAM，而三星將其稱為 1b DRAM。美光于去年 10 月開始量產(chǎn) 1β DRAM，不過研發(fā)的目標(biāo)是在 2025 年量產(chǎn) 1γ DRAM，這將標(biāo)志著美光首次涉足極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)。而三星計(jì)劃 2023 年邁入 1b D
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3D ToF相機(jī)于物流倉(cāng)儲(chǔ)自動(dòng)化的應(yīng)用優(yōu)勢(shì)

3D ToF智能相機(jī)能藉助飛時(shí)測(cè)距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉(cāng)儲(chǔ)現(xiàn)場(chǎng)精準(zhǔn)判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運(yùn)車移動(dòng)順暢，加速物流倉(cāng)儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M(fèi)模式與型態(tài)，導(dǎo)致電商與物流倉(cāng)儲(chǔ)業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長(zhǎng)；于此同時(shí)，人員移動(dòng)的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉(cāng)儲(chǔ)行業(yè)自動(dòng)化的進(jìn)程，進(jìn)而大量導(dǎo)入無人搬運(yùn)車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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1γ DRAM、321層NAND！存儲(chǔ)大廠先進(jìn)技術(shù)競(jìng)賽仍在繼續(xù)

盡管由于經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、高通貨膨脹影響，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)身處下行周期，但存儲(chǔ)大廠對(duì)于先進(jìn)技術(shù)的競(jìng)賽仍在繼續(xù)。對(duì)DRAM芯片而言，先進(jìn)制程意味著高能效與高容量，以及更好的終端使用體驗(yàn)。當(dāng)前，DRAM先進(jìn)制程工藝——10nm級(jí)別目前來到了第五代，美光稱之為1β DRAM，三星稱之為1b DRAM。美光去年10月開始量產(chǎn)1β DRAM之后，計(jì)劃于2025年量產(chǎn)1γ DRAM，這將是美光第1代采用極紫外光（EUV）的制程技術(shù)，目前在美光只在臺(tái)中有EUV的制造工廠，因此1γ制程勢(shì)必會(huì)先在臺(tái)中廠量產(chǎn)，未來日本廠也有望導(dǎo)入EUV
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面對(duì)美國(guó)的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國(guó)半導(dǎo)體公司被建議改變中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略

面對(duì)美國(guó)的護(hù)欄最終規(guī)則，韓國(guó)半導(dǎo)體公司被建議改變中國(guó)市場(chǎng)戰(zhàn)略據(jù)韓國(guó)新聞媒體報(bào)道，隨著拜登政府最終確定CHIPS和《CHIPS法案》（CHIPS法案）資金分配和限制的國(guó)家安全護(hù)欄，韓國(guó)半導(dǎo)體公司可能不得不改變他們?cè)谥袊?guó)的業(yè)務(wù)，并利用其在那里的成熟節(jié)點(diǎn)能力來針對(duì)國(guó)內(nèi)需求的產(chǎn)品。關(guān)于最終規(guī)則對(duì)三星和SK海力士的影響，人們有不同的意見。但有一點(diǎn)是肯定的：希望獲得CHIPS法案資助的公司在美國(guó)擴(kuò)大產(chǎn)能的公司將不得不接受拜登政府設(shè)定的條件，并在未來10年內(nèi)避免在中國(guó)進(jìn)行實(shí)質(zhì)性產(chǎn)能擴(kuò)張。商務(wù)部的新聞稿顯示，補(bǔ)貼接受者在
關(guān)鍵字： CHIPS法案韓國(guó)半導(dǎo)體 DRAM NAND

集邦咨詢：2023Q4 NAND 價(jià)格預(yù)估增長(zhǎng) 3-8%，DRAM 要開啟增長(zhǎng)周期

IT之家 9 月 27 日消息，存儲(chǔ)制造商在經(jīng)歷了有史以來最長(zhǎng)的下降周期之后，終于看到了 DRAM 市場(chǎng)復(fù)蘇的希望。根據(jù)集邦咨詢報(bào)道，伴隨著主要存儲(chǔ)制造商的持續(xù)減產(chǎn)，已經(jīng)市場(chǎng)去庫(kù)存效果顯現(xiàn)，預(yù)估 NAND Flash 價(jià)格回暖之后，DRAM 價(jià)格也會(huì)上漲。NAND 閃存供應(yīng)商為減少虧損，2023 年以來已經(jīng)進(jìn)行了多次減產(chǎn)，目前相關(guān)效果已經(jīng)顯現(xiàn)，消息稱 8 月 NAND Flash 芯片合約價(jià)格出現(xiàn)反彈，9 月繼續(xù)上漲。行業(yè)巨頭三星繼續(xù)減產(chǎn)，主要集中在 128 層以下產(chǎn)品中，在 9 月產(chǎn)量下降了
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為什么消費(fèi)類DRAM無法滿足工業(yè)應(yīng)用需求？

消費(fèi)類DRAM廣泛普及，而且往往物美價(jià)廉。然而，這些表面上的好處掩蓋了消費(fèi)類DRAM 在工業(yè)應(yīng)用中的真正危險(xiǎn)和缺陷。在本文中，我們將探討消費(fèi)類DRAM和工業(yè)DRAM之間的差異，并揭示不正確使用DRAM的風(fēng)險(xiǎn)。固定BOM的重要性消費(fèi)類 DRAM 模塊沒有固定的 BOM（物料清單）；這意味著模塊中使用的材料可能會(huì)發(fā)生變化，而且經(jīng)常會(huì)在用戶未知的情況下發(fā)生變化，另外用戶可能會(huì)在一月份訂購(gòu)兩個(gè) DIMM 用于測(cè)試，在三月份再訂購(gòu)五百個(gè)用于生產(chǎn)，但無法保證一月份訂購(gòu)的模塊與三月份訂購(gòu)的模塊包含相同的材料。即使是物料
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美光訂價(jià)能力升營(yíng)運(yùn)露曙光

內(nèi)存大廠美光即將于27日盤后公布最新財(cái)報(bào)，鑒于美光對(duì)DRAM的訂價(jià)能力提升，市場(chǎng)高度期待美光獲利進(jìn)一步改善，預(yù)期產(chǎn)業(yè)最壞情況已過。由于內(nèi)存大廠近期積極減產(chǎn)，部分市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)強(qiáng)，AI服務(wù)器需求尤為強(qiáng)勁，致使DRAM報(bào)價(jià)逐漸改善。美光財(cái)務(wù)長(zhǎng)Mark Murphy先前透露，若供應(yīng)鏈持續(xù)保持自制力、預(yù)測(cè)價(jià)格有望于2023年下半轉(zhuǎn)強(qiáng)。美光營(yíng)運(yùn)有望改善，帶動(dòng)股價(jià)逐漸走強(qiáng)，該公司年初迄今股價(jià)已上漲近4成。包括巴克萊、德銀等券商，紛紛上調(diào)美光投資評(píng)等及目標(biāo)價(jià)。巴克萊券商巴克萊給予美光「加碼」投資評(píng)等，目標(biāo)價(jià)從75美元調(diào)高到
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存儲(chǔ)廠商持續(xù)減產(chǎn)，市場(chǎng)何時(shí)迎來供需平衡？

受高通貨膨脹、消費(fèi)電子需求疲軟等因素影響，存儲(chǔ)市場(chǎng)發(fā)展“遇冷”，鎧俠、美光等原廠陸續(xù)于去年第四季度啟動(dòng)減產(chǎn)，2023年三星宣布加入減產(chǎn)行列。不過，由于市場(chǎng)需求持續(xù)衰弱，2023年存儲(chǔ)市況仍未復(fù)蘇，價(jià)格不斷下跌，廠商業(yè)績(jī)承壓。這一背景下，部分存儲(chǔ)廠商期望通過繼續(xù)減產(chǎn)維穩(wěn)價(jià)格，推動(dòng)市場(chǎng)供需平衡。近日，臺(tái)灣地區(qū)《工商時(shí)報(bào)》等媒體報(bào)道，DRAM廠商南亞科將跟進(jìn)大廠減產(chǎn)策略，調(diào)整產(chǎn)能、降低稼動(dòng)率、彈性調(diào)整產(chǎn)品組合和資本支出，根據(jù)客戶需求和市場(chǎng)變化動(dòng)態(tài)調(diào)整，以應(yīng)對(duì)市場(chǎng)疲軟，預(yù)計(jì)產(chǎn)能將動(dòng)態(tài)調(diào)降20％以內(nèi)。此前，全球市場(chǎng)
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3D DRAM 設(shè)計(jì)能否實(shí)現(xiàn)？

3D DRAM 的使用在未來或許是可能的。
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X-FAB最新的無源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進(jìn)一步增強(qiáng)其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實(shí)力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動(dòng)的人員可與X-FAB技術(shù)人員（位于438C展位）就這一創(chuàng)新進(jìn)行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測(cè)試結(jié)構(gòu)XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器
關(guān)鍵字： X-FAB 無源器件晶圓代工廠