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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 3d x-dram

          DRAM大廠:Q3產品價格可望回穩(wěn)?

          • 6月5日,DRAM大廠南亞科公布2023年5月自結合并營收為新臺幣23.09億元,月增加2.17%、年減少62.74%,仍創(chuàng)下今年新高水準。累計前5月合并營收為新臺幣109.94億元,年減少66.42%。據中國臺灣媒體《中時新聞網》引述南亞科總經理提到,DRAM市況預期第三季產品價格可望回穩(wěn)。南亞科總經理認為,以今年整體狀況而言,DRAM需求成長率可能低于長期平均值,但DRAM是電子產品智能化的關鍵元件,未來各種消費型智能電子產品的推陳出新,加上5G、AI、智慧城市、智能工廠、智能汽車、智能家庭、智能穿戴
          • 關鍵字: DRAM  TrendForce  

          X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案

          • 中國北京,2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠,由此加強了其在BCD-on-SOI技術領域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應用中對更高數字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結合在一起,因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比,高密度數字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
          • 關鍵字: X-FAB  110納米  BCD-on-SOI  

          韓媒:三星已組建開發(fā)團隊,以量產4F2結構DRAM

          • 5月26日,韓國媒體The Elec引用知情人士消息稱,三星電子近日在其半導體研究中心內組建了一個開發(fā)團隊,以量產4F2結構DRAM。4F2結構DRAM能夠大大提高DRAM的存儲密度,方便研究團隊克服DRAM線寬縮減的極限,增加DRAM制造的效率。報道稱,如果三星4F2 DRAM存儲單元結構研究成功,在不改變節(jié)點的情況下,與現(xiàn)有的6F2 DRAM存儲單元結構相比,芯片DIE面積可以減少30%左右。4F2結構是大約10年前DRAM產業(yè)未能商業(yè)化的單元結構技術,據說工藝難點頗多。不過三星認為,與SK海力士和美
          • 關鍵字: 三星  4F2結構  DRAM  

          不改變工藝讓芯片面積減少 30%,三星組建團隊開發(fā) 4F2 DRAM

          • IT之家 5 月 26 日消息,根據韓媒 The Elec 報道,三星組建了一支專業(yè)的團隊,負責開發(fā) 4F2 DRAM 存儲單元結構。相比較現(xiàn)有的 6F2 級別,在不改變工藝節(jié)點的情況下,芯片面積最高可減少 30%。4F Square 是一種單元結構技術,DRAM 行業(yè)早在 10 年前就嘗試商業(yè)化,但最后以失敗告終。三星組建了專業(yè)的團隊,研發(fā) 4F2 結構。IT之家從韓媒報道中獲悉,晶體管根據電流流入和流出的方向,形成源極(S)、柵極(G)和漏極(D)整套系統(tǒng)。在漏極(D)上方安裝一個
          • 關鍵字: 三星  DRAM  

          DRAM一季營收環(huán)比下降21.2%,連續(xù)三個季度衰退

          • 據TrendForce集邦咨詢研究顯示,今年第一季DRAM產業(yè)營收約96.6億美元,環(huán)比下降21.2%,已續(xù)跌三個季度。出貨量方面僅美光有上升,其余均衰退;平均銷售單價三大原廠均下跌。目前因供過于求尚未改善,價格依舊續(xù)跌,然而在原廠陸續(xù)減產后,DRAM下半年價格跌幅將有望逐季收斂。展望第二季,雖出貨量增加,但因價格跌幅仍深,預期營收成長幅度有限。營收方面,三大原廠營收均下滑,三星(Samsung)自家品牌的新機備貨訂單有限,出貨量與平均銷售單價(ASP)同步下跌,營收約41.7億美元,環(huán)比下降24.7%。
          • 關鍵字: DRAM  TrendForce  

          需求好轉?兩家存儲廠商部分應用領域出現(xiàn)急單

          • 受消費電子市場需求疲弱影響,存儲產業(yè)2022年下半年以來持續(xù)“過冬”,加上今年一季度為市場淡季,供過于求關系下,產業(yè)庫存高企。第二季度存儲產業(yè)市況如何?未來是否將有所好轉?近期,南亞科、華邦電兩家存儲廠商對此進行了回應。南亞科:庫存逐步去化,部分應用領域已出現(xiàn)急單近期,媒體報道,DRAM廠商南亞科表示,今年一季度是產業(yè)庫存高點,在需求與供應端改善下,庫存正逐步去化,預期本季DRAM市況有望落底,公司在部分應用領域已出現(xiàn)急單。為滿足市場應用需求趨勢,南亞科持續(xù)開發(fā)高速與低功耗產品,在技術推進上,20納米產品
          • 關鍵字: 存儲廠商  DRAM  

          存儲進入筑底階段?

          • 伴隨存儲芯片價格筑底,關于半導體周期拐點將臨近的討論越來越熱。
          • 關鍵字: 存儲芯片  DRAM  

          積極塑造工業(yè)4.0數據空間:倍加福推出“Manufacturing-X”計劃

          • 工業(yè)4.0的下一階段將是什么?通過“Manufacturing-X”計劃,工業(yè)4.0平臺正在創(chuàng)建一個跨越多個行業(yè)和公司的主權數據空間,旨在實現(xiàn)供應鏈上的多邊合作,并將數字價值的創(chuàng)造過程提升到新的水平。 倍加福(Pepperl+Fuchs)通過參與工業(yè)4.0參考架構模型(RAMI)的討論,為明確對工業(yè)4.0的理解做出了貢獻。如今,倍加福及其子公司Neoception將于2023年4月17日至21日在德國漢諾威工業(yè)博覽會(HANNOVER MESSE)上,展示“Manufacturing-X”的下一
          • 關鍵字: 工業(yè)4.0數據空間  倍加福  Manufacturing-X  

          碳化硅擴產、量產消息不斷,瑞薩、X-FAB跟進

          • 近期,一眾國內廠商擴產、量產碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產品組合;安森美半導體考慮投資20億美元擴產碳化硅芯片;SK集團宣布,旗下SK powertech位于釜山的新工廠結束試運行,將正式量產碳化硅,產能將擴大近3倍。除此之外,據外媒報道,日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴產碳化硅的計劃。其中,瑞薩電子將于2025年開始生產使用碳化硅 (SiC)來降低損耗的下一代功率半導體產品。報道指出,按照計劃,瑞薩電子擬在目
          • 關鍵字: 碳化硅  瑞薩  X-FAB  

          三星電子宣布12納米級 DDR5 DRAM已開始量產

          • 今日,三星電子宣布其采用12納米級工藝技術的16Gb DDR5 DRAM已開始量產。三星本次應用的前沿制造工藝,再次奠定了其在尖端DRAM技術方面的優(yōu)勢。"采用差異化的工藝技術,三星業(yè)內先進的12 納米級DDR5 DRAM具備出色的性能和能效,"三星電子內存產品與技術執(zhí)行副總裁Jooyoung Lee表示,"最新推出的DRAM反映了我們持續(xù)開拓DRAM市場的決心。這不僅意味著我們?yōu)闈M足計算市場對大規(guī)模數據處理的需求,提供高性能和高容量的產品,而且還將通過商業(yè)化的下一代
          • 關鍵字: 三星電子  12納米  DDR5  DRAM  

          功耗降低 23%、量產率提高 20%,三星開始量產 12 納米 DDR5 DRAM

          • IT之家 5 月 18 日消息,三星在去年 12 月宣布開發(fā) 16Gb 的 DDR5 DRAM 之后,于今天宣布已大規(guī)模量產 12 納米工藝的 DDR5 DRAM。存儲芯片行業(yè)當前正處于低谷期,三星通過量產 12nm 的 DRAM,希望進一步鞏固其在該領域的領先地位。IT之家從三星新聞稿中獲悉,與上一代相比,新芯片的功耗降低了 23%,而晶圓生產率提高了 20%,這意味著芯片尺寸比上一代更小,單個晶圓可以多生產 20% 的芯片。三星表示 16Gb DDR5 DRAM 降低的功耗將使服務器和數據中
          • 關鍵字: 三星  DDR5  DRAM  

          三星電子研發(fā)出其首款支持CXL 2.0的CXL DRAM

          • 三星電子今日宣布,研發(fā)出其首款支持Compute Express Link?(CXL?)2.0的128GB DRAM。同時,三星與英特爾密切合作,在英特爾?至強?平臺上取得了具有里程碑意義的進展。繼2022年五月,三星電子研發(fā)出其首款基于CXL 1.1的CXL DRAM(內存擴展器)后,又繼續(xù)推出支持CXL 2.0的128GB CXL DRAM,預計將加速下一代存儲解決方案的商用化。該解決方案支持PCIe 5.0(x8通道),提供高達每秒35GB的帶寬??蓴U展內存(Memory Expander)“作
          • 關鍵字: 三星電子  CXL 2.0  CXL  DRAM   

          DRAM迎來3D時代?

          3D NAND 堆疊可超 300 層,鎧俠解讀新技術

          • 5 月 5 日消息, 鎧俠和西數展示最新的技術儲備,雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據其公布的技術論文,鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件,有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口,可提供 205 MB/s 的程序吞吐量,讀取延遲縮小到 40 微秒。此外,鎧俠和西部數據還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件,這是一個具有實驗性的 3D NAND IC,通過金屬誘導側向
          • 關鍵字: 3D NAND  

          DDR5 Server DRAM 價格跌幅將收斂

          • 集邦咨詢預估第二季度 DDR5 Server DRAM(服務器內存)價格跌幅將收斂,由原預估 15%-20% 收斂至 13%-18%。
          • 關鍵字: DDR5  DRAM  
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          3d x-dram介紹

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