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3D ToF相機于物流倉儲自動化的應用優(yōu)勢
- 3D ToF智能相機能藉助飛時測距（Time of Flight；ToF）技術(shù)，在物流倉儲現(xiàn)場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料，確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢，加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā)，隔離政策改變?nèi)藗兊南M模式與型態(tài)，導致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長；于此同時，人員移動的管制，也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題，加速物流倉儲行業(yè)自動化的進程，進而大量導入無人搬運車AGV（Automated Guided Vehicle）／AMR（Autonomous Mobile
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3D NAND還是卷到了300層
- 近日，三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存，據(jù)爆料，這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu)，并超過 300 層。同樣在 8 月，SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存，并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份，據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道，西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知，固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快，但售價和容量還
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3D DRAM時代即將到來，泛林集團這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)
- 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路，目前廣泛應用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備，如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機。技術(shù)進步驅(qū)動了DRAM的微縮，隨著技術(shù)在節(jié)點間迭代，芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐，向三維發(fā)展，以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。（NAND指“NOT AND”，意為進行與非邏輯運算的電路單元。）l 這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展，因為它能推動存儲器技術(shù)的突破，而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l DRAM技
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西部數(shù)據(jù)將拆分NANDFlash部門與鎧俠合并
- 根據(jù)彭博社報導，在經(jīng)過幾個月的談判后，西部數(shù)據(jù)（Western Digital）和鎧俠（Kioxia）即將達成協(xié)議。該協(xié)議的內(nèi)容主要是分拆西部數(shù)據(jù)的NAND Flash快閃存儲器部門，然后進一步與鎧俠合并。之后，西部數(shù)據(jù)的股東將控制合并后新公司約略超過一半的股權(quán)。不過，當前相關(guān)訊息仍在保密中。報導指出，兩家公司在談判時，有建議是將由鎧俠的團隊來主導合并后新公司的經(jīng)營，不過西部數(shù)據(jù)高管也將發(fā)揮相對的重要輔助作用。而就目前情況來看，盡管雙方談判進展順利，但距離最終協(xié)議敲定可能還需要一段時間。而且，期間
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Teledyne將在Vision China展示最新3D和AI成像方案
- 中國上海，2023 年 7 月 4 日 — Teledyne 將于 7 月 11-13 日在上海國家會展中心舉辦的 2023中國（上海）機器視覺展 (Vision China) 展示最新產(chǎn)品和解決方案。歡迎各位蒞臨 5.1A101 展位了解先進的 3D 解決方案，Teledyne DALSA、e2v 和 FL
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3D NAND 堆疊可超 300 層，鎧俠解讀新技術(shù)
- 5 月 5 日消息， 鎧俠和西數(shù)展示最新的技術(shù)儲備，雙方正在努力實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及具有超過 300 條字線的 3D NAND IC。根據(jù)其公布的技術(shù)論文，鎧俠展示了一種八平面 1Tb 3D TLC NAND 器件，有超過 210 個有源層和 3.2 GT/s 接口，可提供 205 MB/s 的程序吞吐量，讀取延遲縮小到 40 微秒。此外，鎧俠和西部數(shù)據(jù)還合作開發(fā)具有超過 300 個有源字層的 3D NAND 器件，這是一個具有實驗性的 3D NAND IC，通過金屬誘導側(cè)向
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平面→立體，3D DRAM重定存儲器游戲規(guī)則？
- 近日，外媒《BusinessKorea》報道稱，三星的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法，據(jù)稱這將改變存儲器行業(yè)的游戲規(guī)則。3D DRAM是什么？它將如何顛覆DRAM原有結(jié)構(gòu)？壹摩爾定律放緩，DRAM工藝將重構(gòu)1966年的秋天，跨國公司IBM研究中心的Robert H. Dennard發(fā)明了動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM），而在不久的將來，這份偉大的成就為半導體行業(yè)締造了一個影響巨大且市場規(guī)模超千億美元的產(chǎn)業(yè)帝國。DRA
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外媒：存儲大廠正在加速3D DRAM商業(yè)化
- 據(jù)外媒《BusinessKorea》報道，三星電子的主要半導體負責人最近在半導體會議上表示正在加速3D DRAM商業(yè)化，并認為3D DRAM是克服DRAM物理局限性的一種方法。三星電子半導體研究所副社長兼工藝開發(fā)室負責人Lee Jong-myung于3月10日在韓國首爾江南區(qū)三成洞韓國貿(mào)易中心舉行的“IEEE EDTM 2023”上表示，3D DRAM被認為是半導體產(chǎn)業(yè)的未來增長動力。考慮到目前DRAM線寬微縮至1nm將面臨的情況，業(yè)界認為3~4年后新型DRAM商品化將成為一種必然，而不是一種方向。與現(xiàn)有
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