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          ST多區(qū)ToF:厲害的VL53L5,以及更厲害的L7、L8

          • VL53L5、VL53L7、VL53L8都是基于ST的FlightSense技術(shù)的多區(qū)飛行時間(ToF)傳感器。所有ST多區(qū)飛行時間傳感器有以下共同特點:? 都使用直方圖,并且擁有4X4或8X8個區(qū)域。? 具備自主模式,無需與芯片進行交互。一旦設(shè)置了開始及中斷時間,它會在觸發(fā)事件出現(xiàn)時自動中斷。? 通過I2C接口,傳輸速率可達1兆赫。對于那些產(chǎn)生數(shù)據(jù)量巨大的應(yīng)用就非常方便。? 具備運動指示器,能夠提醒您是否有動作發(fā)生。? 具有相同的軟件驅(qū)動程序,在STM3
          • 關(guān)鍵字: ToF  ST  傳感器  

          千億美元蛋糕!3D DRAM分食之戰(zhàn)悄然開局

          • 從目前公開的DRAM(內(nèi)存)技術(shù)來看,業(yè)界認為,3D DRAM是DRAM技術(shù)困局的破解方法之一,是未來內(nèi)存市場的重要發(fā)展方向。3D DRAM與3D NAND是否異曲同工?如何解決尺寸限制等行業(yè)技術(shù)痛點?大廠布局情況?如何理解3D DRAM?DRAM(內(nèi)存)單元電路是由一個晶體管和一個電容器組成,其中,晶體管負責(zé)傳輸電流,使信息(位)能夠被寫入或讀取,電容器則用于存儲位。DRAM廣泛應(yīng)用于現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機等需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備。DRAM開發(fā)主要通過減小電路線寬來提高集成度
          • 關(guān)鍵字: 3D DRAM  存儲  

          為什么仍然沒有商用3D-IC?

          • 摩爾不僅有了一個良好的開端,但接下來的步驟要困難得多。
          • 關(guān)鍵字: 3D-IC  HBM  封裝  

          飛行時間傳感器:技術(shù)原理與多元應(yīng)用

          • 如果你對飛行時間不了解,別擔(dān)心,你來對地方了。飛行時間一詞幾乎就是字面意思,只不過飛行的對象是波長為940納米,肉眼完全不可見的“光子”。我們發(fā)出一束激光;光子撞擊某個物體并反彈回來。當(dāng)光子反彈回來時,我們停止計時,獲得光飛行時長,借此確定物體與我們之間的距離(以毫米為單位)。這項技術(shù)被稱為光飛行時間距離測量(flight sense),該技術(shù)功耗相對較低,遠遠低于相機。飛行時間的概念很簡單,您只需要使用一個小模塊便可輕松將這個“簡單”的技術(shù)應(yīng)用在您的方案中。而這個模塊本身并不簡單,不僅僅是一片封裝在塑料
          • 關(guān)鍵字: 飛行時間  傳感器  ToF  

          300層之后,3D NAND的技術(shù)路線圖

          • 開發(fā)下一代 3D NAND 閃存就像攀登永無止境的山峰。
          • 關(guān)鍵字: 3D NAND  

          TDK發(fā)布適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新ASIL C級雜散場穩(wěn)健型3D HAL傳感器

          • ●? ?HAL 3930-4100(單芯片)和 HAR 3930-4100(雙芯片)是兩款精確的霍爾效應(yīng)位置傳感器,具備穩(wěn)健的雜散場補償能力,并配備 PWM 或 SENT 輸出接口●? ?單芯片傳感器已定義為 ASIL C 級,可以集成到汽車安全相關(guān)系統(tǒng)中,最高可達 ASIL D 級●? ?目標汽車應(yīng)用場景包括轉(zhuǎn)向角位置檢測、變速器位置檢測、換檔器位置檢測、底盤位置檢測、油門和制動踏板位置檢測**TDK株式會社利用適用于汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的新型
          • 關(guān)鍵字: TDK  ASIL C  3D HAL傳感器  

          使用一種高度集成的 ToF 位置傳感器進行精確的距離測量

          • 引言 在許多應(yīng)用中,無法通過實際接觸來測量與目標之間的 距離。典型示例包括測量物流中心的傳送帶上是否存在 物體,確保與運動中的機械臂保持安全距離,確定倉庫 中人員或機器人相對于資產(chǎn)的位置。飛行時間 (ToF) 位 置傳感器有助于利用光線到達物體及返回所需的時間來 測量距離。OPT3101 是高速、高分辨率 AFE 的一個 典型示例,適用于完全集成且基于 ToF 的連續(xù)波位置 傳感器。該傳感器可在 15m 不模糊的范圍內(nèi)實現(xiàn) 16 位距離輸出。有關(guān) OPT3101 的更多信息,請參
          • 關(guān)鍵字: ToF  位置傳感器  測量  

          ST超低功耗飛行時間 (ToF) 傳感器:解鎖智能生活新場景

          • 未來,ToF在接近檢測傳感器、人體存在檢測和激光自動對焦等領(lǐng)域的應(yīng)用中不可估量。作為主要的ToF技術(shù)和方案提供商,意法半導(dǎo)體針對這些應(yīng)用需求不斷對產(chǎn)品技術(shù)進行更新迭代。為了讓飛行時間 (ToF) 傳感器達到最低功耗,ST開發(fā)了一套驅(qū)動程序,能夠有效地將FlightSense?傳感器配置為節(jié)能版接近檢測器。此外,一旦檢測到物體,驅(qū)動程序會立即將傳感器切換回標準測距模式,充分發(fā)揮飛行時間 (ToF) 技術(shù)的優(yōu)勢。傳感器經(jīng)過特殊設(shè)計,其設(shè)置和測距流程完全內(nèi)嵌于固件中,能夠顯著降低功耗。ST具有超低功耗 (ULP
          • 關(guān)鍵字: ToF  傳感器  飛行時間  

          TDK推出采用3D HAL技術(shù)并具備模擬輸出和SENT接口的位置傳感器

          • ●? ?全新霍爾效應(yīng)傳感器 HAL 3927 采用符合 SAE J2716 rev.4 的比率模擬輸出和數(shù)字 SENT 協(xié)議?!? ?卓越的角度測量以及符合 ISO 26262 標準的開發(fā)水平,以小型 SOIC8 SMD 封裝為高安全要求的汽車和工業(yè)應(yīng)用場景提供支持。TDK 株式會社近日宣布,其 Micronas 直接角霍爾效應(yīng)傳感器系列產(chǎn)品增添了新成員,現(xiàn)推出面向汽車和工業(yè)應(yīng)用場景的全新 HAL??3927* 傳感器。HAL 3927 采用集成斷線檢測的
          • 關(guān)鍵字: TDK  3D HAL  位置傳感器  

          3D ToF相機于物流倉儲自動化的應(yīng)用優(yōu)勢

          • 3D ToF智能相機能藉助飛時測距(Time of Flight;ToF)技術(shù),在物流倉儲現(xiàn)場精準判斷貨物的擺放位置、方位、距離、角度等資料,確保人員、貨物與無人搬運車移動順暢,加速物流倉儲行業(yè)自動化。2020年全球疫情爆發(fā),隔離政策改變?nèi)藗兊南M模式與型態(tài),導(dǎo)致電商與物流倉儲業(yè)出現(xiàn)爆炸性成長;于此同時,人員移動的管制,也間接造成人力不足產(chǎn)生缺工問題,加速物流倉儲行業(yè)自動化的進程,進而大量導(dǎo)入無人搬運車AGV(Automated Guided Vehicle)/AMR(Autonomous Mobile
          • 關(guān)鍵字: 3D ToF  相機  物流倉儲  自動化  臺達  

          延續(xù)摩爾定律:先進封裝進入3D堆疊CPU/GPU時代

          3D NAND還是卷到了300層

          • 近日,三星電子宣布計劃在明年生產(chǎn)第 9 代 V-NAND 閃存,據(jù)爆料,這款閃存將采用雙層堆棧架構(gòu),并超過 300 層。同樣在 8 月,SK 海力士表示將進一步完善 321 層 NAND 閃存,并計劃于 2025 年上半期開始量產(chǎn)。早在 5 月份,據(jù)歐洲電子新聞網(wǎng)報道,西部數(shù)據(jù)和鎧俠這兩家公司的工程師正在尋求實現(xiàn) 8 平面 3D NAND 設(shè)備以及超過 300 字線的 3D NAND IC。3D NAND 終究還是卷到了 300 層……層數(shù)「爭霸賽」眾所周知,固態(tài)硬盤的數(shù)據(jù)傳輸速度雖然很快,但售價和容量還
          • 關(guān)鍵字: V-NAND  閃存  3D NAND  

          3D DRAM時代即將到來,泛林集團這樣構(gòu)想3D DRAM的未來架構(gòu)

          • 動態(tài)隨機存取存儲器 (DRAM) 是一種集成電路,目前廣泛應(yīng)用于需要低成本和高容量內(nèi)存的數(shù)字電子設(shè)備,如現(xiàn)代計算機、顯卡、便攜式設(shè)備和游戲機。技術(shù)進步驅(qū)動了DRAM的微縮,隨著技術(shù)在節(jié)點間迭代,芯片整體面積不斷縮小。DRAM也緊隨NAND的步伐,向三維發(fā)展,以提高單位面積的存儲單元數(shù)量。(NAND指“NOT AND”,意為進行與非邏輯運算的電路單元。)l  這一趨勢有利于整個行業(yè)的發(fā)展,因為它能推動存儲器技術(shù)的突破,而且每平方微米存儲單元數(shù)量的增加意味著生產(chǎn)成本的降低。l  DRAM技
          • 關(guān)鍵字: 3D DRAM  泛林  

          意法半導(dǎo)體全新多區(qū)測距 TOF 傳感器發(fā)布:90 度視場角,號稱“堪比相機水準”

          • IT之家 7 月 20 日消息,意法半導(dǎo)體今日宣布推出一款視場角達 90° 的 FlightSense 多區(qū) ToF 測距傳感器,視場角比上一代產(chǎn)品擴大 33%,用于家庭自動化、家電、計算機、機器人以及商店、工廠等場所使用的智能設(shè)備。據(jù)介紹,與一些專用的攝像頭傳感器不同,這款型號為 VL53L7CX 的飛行時間(ToF)傳感器并不拍攝圖像,因此,可以保障用戶個人隱私安全。VL53L7CX 將視場角擴大到 90°(對角線),號稱“幾乎相當(dāng)于相機的水準”,增強了對場景周邊的感知能力,提升了存在檢測和
          • 關(guān)鍵字: ST  ToF  

          被壟斷的NAND閃存技術(shù)

          • 各家 3D NAND 技術(shù)大比拼。
          • 關(guān)鍵字: NAND  3D NAND  
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