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          SEMI中國(guó)封測(cè)委員會(huì)第五次會(huì)議聚焦3DIC標(biāo)準(zhǔn)

          •   在西安市高新開(kāi)發(fā)區(qū)管委會(huì)大力支持下,SEMI中國(guó)封測(cè)委員會(huì)第五次會(huì)議近日在西安成功召開(kāi)。SEMI全球副總裁、中國(guó)區(qū)總裁陸郝安與西安高新開(kāi)發(fā)區(qū)安主任共同為會(huì)議致辭,吳凱代表SEMI中國(guó)同與會(huì)者分享了中國(guó)半導(dǎo)體及封測(cè)市場(chǎng)現(xiàn)況、SEMI標(biāo)準(zhǔn)制定流程和重要意義、SEMI標(biāo)準(zhǔn)在北美的成功案例等主題報(bào)告。經(jīng)過(guò)熱烈討論,代表們就3DIC標(biāo)準(zhǔn)的制訂在以下幾個(gè)方面達(dá)成共識(shí):   一是臺(tái)灣和北美對(duì)3DIC發(fā)展方向也不明確,中國(guó)半導(dǎo)體投資巨大且貼近應(yīng)用市場(chǎng),有機(jī)會(huì)趕上歐美先進(jìn)水平,甚至在特定領(lǐng)域可實(shí)現(xiàn)"彎道
          • 關(guān)鍵字: 封測(cè)  3DIC  

          中芯國(guó)際成立視覺(jué)、傳感器以及3DIC中心

          •   中芯國(guó)際集成電路制造有限公司(中芯國(guó)際)宣布成立視覺(jué)、傳感器和3DIC中心(簡(jiǎn)稱(chēng)CVS3D)。中芯國(guó)際CVS3D整合、強(qiáng)化了中芯國(guó)際在硅傳感器、通過(guò)硅通孔(TSV)技術(shù)和其他中端晶圓制程技術(shù)(MEWP)的上的研發(fā)和生產(chǎn)制造能力。而MEWP技術(shù)帶動(dòng)了在CMOS圖像傳感器、MEMS傳感器、三維堆疊設(shè)備,和基于TSV2.5D和3D的高性能系統(tǒng)級(jí)封裝(SiP)方面的顯著進(jìn)步。   半導(dǎo)體行業(yè)正快速采用基于TSV2.5D和3DIC的技術(shù),使系統(tǒng)芯片進(jìn)一步小型化,同時(shí)降低功耗、提高設(shè)備和系統(tǒng)性能。根據(jù)201
          • 關(guān)鍵字: 中芯國(guó)際  3DIC  

          20nm和3D IC將是積極的產(chǎn)業(yè)

          • 過(guò)去一年中,Mentor公司實(shí)現(xiàn)了10億美元的營(yíng)業(yè)額。并在20nm設(shè)計(jì)、3DIC、DFM(可制造設(shè)計(jì))、DFT(可測(cè)試設(shè)計(jì))、SoC驗(yàn)證方面都有很大進(jìn)展。在北京的Mentor Forum期間,筆者就目前設(shè)計(jì)業(yè)的一些困惑,詢(xún)問(wèn)了Mentor的掌舵人。
          • 關(guān)鍵字: Mentor  3DIC  

          美商Altera公司與TSMC采用CoWoS生產(chǎn)技術(shù)

          • 美商Altera公司與TSMC22日宣布,采用TSMC CoWoS生產(chǎn)技術(shù)共同開(kāi)發(fā)全球首顆能夠整合多元芯片技術(shù)的三維集成電路(Heterogeneous 3DIC)測(cè)試芯片,此項(xiàng)創(chuàng)新技術(shù)系將模擬、邏輯及內(nèi)存等各種不同芯片技術(shù)堆棧于單一芯片上組合而成,可協(xié)助半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)超越摩爾定律的發(fā)展規(guī)范,而TSMC的CoWoS整合生產(chǎn)技術(shù)能夠提供開(kāi)發(fā)3DIC技術(shù)的半導(dǎo)體公司一套完整的解決方案,包括從前端晶圓制造到后端封裝測(cè)試的整合服務(wù)。
          • 關(guān)鍵字: Altera  測(cè)試芯片  3DIC  

          半導(dǎo)體制程技術(shù)邁入3D 2013年可視為量產(chǎn)元年

          •   時(shí)序即將進(jìn)入2012年,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)持續(xù)進(jìn)行變革,其中3D IC便為未來(lái)芯片發(fā)展趨勢(shì),將促使供應(yīng)鏈加速投入3D IC研發(fā),其中英特爾(Intel)在認(rèn)為制程技術(shù)將邁入3D下,勢(shì)必激勵(lì)其本身的制程創(chuàng)新。另外在半導(dǎo)體業(yè)者預(yù)期3D IC有機(jī)會(huì)于2013年出現(xiàn)大量生產(chǎn)的情況下,預(yù)估2013年也可視為是3D IC量產(chǎn)元年。   3D IC為未來(lái)芯片發(fā)展趨勢(shì),其全新架構(gòu)帶來(lái)極大改變,英特爾即認(rèn)為,制程技術(shù)將邁入3D,未來(lái)勢(shì)必激勵(lì)技術(shù)創(chuàng)新。英特爾實(shí)驗(yàn)室日前便宣布與工研院合作,共同合作開(kāi)發(fā)3D IC架構(gòu)且具低功耗
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體制程  3DIC  

          后摩爾定律時(shí)代:3DIC成焦點(diǎn)

          •   當(dāng)大部份芯片廠商都感覺(jué)到遵循摩爾定律之途愈來(lái)愈難以為繼時(shí),3DIC成為了該產(chǎn)業(yè)尋求持續(xù)發(fā)展的出路之一。然而,整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)目前也仍在為這種必須跨越工具、制程、設(shè)計(jì)端并加以整合的技術(shù)類(lèi)別思考適合的解決方案。 
          • 關(guān)鍵字: Nvidia  3DIC  
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