40納米 文章 進(jìn)入40納米技術(shù)社區(qū)
TSMC推出先進(jìn)工藝之互通式電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化格式
- TSMC7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統(tǒng)合且可交互操作的多項(xiàng)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設(shè)計(jì)相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設(shè)計(jì)套件(iPDK)、工藝設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。 iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術(shù)系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的互通項(xiàng)目下通過驗(yàn)證，也是TSMC「開放創(chuàng)新平臺」之一部份。
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為什么臺積電在40納米代工中能奪冠
- 市場調(diào)研公司FBR分析師Hosseini關(guān)于臺積電與聯(lián)電的競爭態(tài)勢展望,認(rèn)為直到年底全球代工業(yè)仍是不錯(cuò), 尤其是高端代工。 無論臺積電或者聯(lián)電它們的硅片出貨量都好于預(yù)期,2010 Q1臺積電Q/Q持平或者-2%及聯(lián)電為上升3%或者持平。表示市場需求包括消費(fèi)電子和通訊持好。對于Q2,Hosseini認(rèn)為臺積電的出貨量有10% 的增長, 而聯(lián)電也可在8%-10%。 因?yàn)榻衲甏さ臉I(yè)績亮麗,所以兩大代工巨頭的產(chǎn)能成為關(guān)鍵, 它們的產(chǎn)能利用率都很高及不用擔(dān)心庫存增加的風(fēng)險(xiǎn)。Hosseini認(rèn)為,臺
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TSMC推出65納米、40納米與28納米之互通式電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化格式
- TSMC 7日宣布針對65納米、40納米及28納米工藝推出已統(tǒng)合且可交互操作的多項(xiàng)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設(shè)計(jì)相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設(shè)計(jì)套件(iPDK)、工藝設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。 iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術(shù)系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的互通項(xiàng)目下通過驗(yàn)證，也是TSMC「開放創(chuàng)新平臺」之一部份
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任重而道遠(yuǎn)：中芯國際將力爭在今年實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)
- 據(jù)中芯國際集成電路制造有限公司資深研發(fā)副總季明華撰文披露，2010年，中芯國際將加強(qiáng)65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā);同時(shí)力爭實(shí) 現(xiàn)45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)。 在第四屆(2009年度)中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評選中，中芯國際有兩項(xiàng)技術(shù)獲獎(jiǎng)，其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術(shù)”，其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術(shù)”。 據(jù)介紹，目前，中芯國際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術(shù)的認(rèn)證，并于2009年第三季度
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Altera 40-nm Arria II GX FPGA轉(zhuǎn)入量產(chǎn)
- Altera公司今天宣布，開始量產(chǎn)發(fā)售40-nm Arria® II GX FPGA系列的第一款器件。Arria II GX器件系列專門針對3-Gbps收發(fā)器應(yīng)用，為用戶提供了低功耗、低成本和高性能FPGA解決方案。廣播、無線和固網(wǎng)市場等多種大批量應(yīng)用目前廣泛采用了Arria II GX FPGA。 Arria II GX FPGA現(xiàn)在量產(chǎn)發(fā)售EP2AGX45和EP2AGX65，它們分別具有45K邏輯單元(LE)和65K LE。對于接入設(shè)備、遠(yuǎn)程射頻前端、HD視頻攝像機(jī)和保密設(shè)備等低成本
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繪圖芯片缺貨難解 超微NVIDIA扼腕
- 編者點(diǎn)評(莫大康 SEMI China顧問)：任何事具兩面性，fab lite模式也一樣。IDM廠試圖為節(jié)省研發(fā)費(fèi)用，減少投資而積極推行fab lite及外協(xié)代工模式，其風(fēng)險(xiǎn)也是很大的。如今臺積電在40nm的代工良率不足60%，影響AMD和 Nvidia的繪圖芯片出貨就是一個(gè)例證。所以從根本上fab lite是一種被動(dòng)的模式。 繪圖芯片市場缺貨問題依舊存在，繪圖卡業(yè)者透露，由于40奈米制程良率仍不及6成，嚴(yán)重影響超微(AMD)、NVIDIA出貨計(jì)劃，加上臺積電產(chǎn)能擠爆，使得繪圖芯片舊品亦難以紓解
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美光、南亞科攜手42納米 加入DRAM新技術(shù)戰(zhàn)局
- 美光(Micron)和南亞科正式宣布加入40納米DRAM制程大戰(zhàn)，今(9)日將攜手宣布42納米2Gb容量DDR3產(chǎn)品正式問世，同時(shí)也全面導(dǎo)入銅制程技術(shù)，與三星電子(Samsung Electronics)的46納米、海力士(Hynix)44納米和爾必達(dá)(Elpida)45納米相比，美光陣營的每片DDR3晶圓尺寸由于體積最小且產(chǎn)出數(shù)量最多，預(yù)計(jì)在2010年第2季試產(chǎn)，而策略伙伴南亞科和華亞科也將于下半年導(dǎo)入42納米制程，與爾必達(dá)旗下力晶和瑞晶導(dǎo)入45納米的時(shí)間點(diǎn)相仿。 2010 年DRAM市場50
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晶圓雙雄再掀12寸廠投資潮 業(yè)界擔(dān)憂恐造成產(chǎn)能過剩
- 繼臺積電提高2010年資本支出達(dá)48億美元，晶圓專工大廠聯(lián)電3日亦宣布，提高2010年資本支出達(dá)12億~15億美元，其中約有94%將用于擴(kuò)充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，聯(lián)電65納米成長會(huì)非常迅速，45/40納米世代占營收比重將增加，同時(shí)良率已很穩(wěn)健。值得注意的是，臺積電、聯(lián)電紛上看2010年晶圓代工產(chǎn)業(yè)將成長3成，樂觀預(yù)期公司可望同步跟著成長，并加碼資本支出，透露在兩大龍頭廠帶領(lǐng)下，將再度掀起12寸廠投資熱潮。 孫世偉表示，對于2010年展望非常樂觀，預(yù)估半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望成長13~1
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40納米成DRAM廠流行口號
- 近期DRAM廠掀起一股40納米熱潮，這一切都要從爾必達(dá)(Elpida)說起。因?yàn)闋柋剡_(dá)2009年沒錢轉(zhuǎn)進(jìn)50納米技術(shù)制程后，最后決定跳過50納米，直接轉(zhuǎn)進(jìn)45納米，這下刺激了美光(Micron)陣營，南亞科和華亞科近期宣布42納米制程提前1季導(dǎo)入，讓整個(gè)DRAM產(chǎn)業(yè)在50納米都還沒看到影子時(shí)，又冒出一堆40納米的話題，但40納米能為DRAM產(chǎn)業(yè)貢獻(xiàn)多少? 真的有待商榷，只有三星電子(Samsung Electronics)在克服良率困難后，有機(jī)會(huì)大量生產(chǎn)，其它陣營的40納米技術(shù)，都是口頭說說成分居多。
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臺積電今年資本支出48億美元?jiǎng)?chuàng)新高 震驚市場
- 晶圓代工在龍頭臺積電帶領(lǐng)下再掀投資熱潮，臺積電28日宣布2010年資本支出將創(chuàng)下歷史新高達(dá)48億美元，較2000年次高紀(jì)錄的33億美元大增45%，亦較2009年暴增70%，令市場咋舌!同時(shí)據(jù)統(tǒng)計(jì)，目前臺積電在45/40奈米制程高達(dá)9成市占，制程愈先進(jìn)市占率愈高，面對競爭對手聯(lián)電、全球晶圓(Global Founfries)來勢洶洶，臺積電老神在在。 臺積電展望第1季營收較2009年第4季持平符合市場預(yù)期，不過公布的2010年資本支出高達(dá)48億美元卻超出市場原預(yù)期的40億~45億美元區(qū)間，令市場驚
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臺積電2009年第四季每股盈余新臺幣1.26元
- TSMC今(28)日公布2009年第四季財(cái)務(wù)報(bào)告，合并營收為新臺幣920.9億元，稅后純益為新臺幣326.7億元，每股盈余為新臺幣1.26元(換算成美國存托憑證每單位為0.19美元)。 與2008年同期相較，2009年第四季營收增加42.6%，稅后純益增加162.5%，每股盈余則增加了162.7%。與前一季相較，2009年第四季營收增加了2.4%，稅后純益增加6.9%，每股盈余則增加了7.2%。這些財(cái)務(wù)數(shù)字皆為合并財(cái)務(wù)報(bào)表數(shù)字，并依照中國臺灣一般公認(rèn)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則所編制。 2009年第四季毛利率
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張忠謀親赴上海受矚目 臺積電對此次行程不予置評
- 兩岸經(jīng)濟(jì)合作架構(gòu)協(xié)議(ECFA)25日展開第1次協(xié)商，業(yè)界傳出臺積電董事長張忠謀日前親赴上海會(huì)見當(dāng)?shù)刂亓考壒俜酱?，張忠謀前往上海當(dāng)日，正巧華虹NEC與宏力半導(dǎo)體宣布合資興建12寸廠，張忠謀應(yīng)大陸官方之邀，以兩岸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)大老身分給予產(chǎn)業(yè)建言。不過，臺積電對于張忠謀行程不予置評，中芯國際亦否認(rèn)張忠謀此行與執(zhí)行長王寧國會(huì)面。 張忠謀上周緊急飛往上海，業(yè)界傳出張忠謀可能與上海重量級官方代表會(huì)面，半導(dǎo)體業(yè)者指出，張忠謀此行受到矚目且頗為敏感，主要系因兩岸經(jīng)濟(jì)合作架構(gòu)協(xié)議25日首次展開協(xié)商，由于過去張忠
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4大DRAM陣營競爭激烈 美光、爾必達(dá)提前導(dǎo)入40納米
- 2010年4大DRAM陣營三星電子(Samsung Electronics)、海力士(Hynix)、爾必達(dá)(Elpida)和美光(Micron)戰(zhàn)場直接拉到40納米世代!繼爾必達(dá)跳過50納米制程，大舉轉(zhuǎn)換至45納米后，美光陣營也不甘示弱宣布年中將同步轉(zhuǎn)42納米。華亞科表示，表示旗下的50納米制程是最正統(tǒng)的完整世代技術(shù)，并非是制程微縮下的產(chǎn)物，因此成本競爭力有十足把握;在爾必達(dá)、美光跟上制程進(jìn)度后，年底4大陣營技術(shù)實(shí)力大幅縮小，競爭更激烈。 雖然三星電子和海力士已先一步轉(zhuǎn)到40納米世代，其中三星是
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臺積電12寸廠2年內(nèi)達(dá)10座 堪稱業(yè)界之冠
- 臺積電新竹Fab 12第5期(phase 5)19日正式舉行上梁典禮，臺積電營運(yùn)資深副總劉德音表示，phase 5預(yù)計(jì)2010年第3季投入28納米制程量產(chǎn)，此外，南科Fab 14第4期廠房過完農(nóng)歷年后亦將開始動(dòng)工興建，以加速擴(kuò)充40納米制程產(chǎn)能。他并透露，未來新竹亦規(guī)劃投入phase 6用來投資22納米制程。因此，根據(jù)臺積電目前建廠規(guī)畫估算，2年內(nèi)臺積電12寸廠數(shù)將高達(dá)10座之多，堪稱業(yè)界之冠! 臺積電新竹Fab 12第5期19日舉行上梁典禮，典禮主持人劉德音表示，預(yù)計(jì)2010年第3季迅速完工裝
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Globalfoundries紐約州巨資建晶圓廠 預(yù)計(jì)2012年完工
- AMD旗下的Globalfoundries(GF)合并新加坡特許后，計(jì)劃斥資42億美元，在紐約州建立12寸新晶圓廠(Fab8)，2012年完工19日第五期將舉行上梁典禮。 臺積電12廠第五期上梁典禮，將由資深營運(yùn)副總劉德音主持。設(shè)備商指出，今年半導(dǎo)體景氣進(jìn)入多頭，全球三大晶圓代工廠擴(kuò)產(chǎn)火力全開，三家公司新廠房總耗資172億美元，相當(dāng)于新臺幣5,469億元，支出將高度集中在今、明兩年，有史以來最大。 GF目前擁有新加坡特許Fab7與德勒斯登Fab1，兩座12寸晶圓廠，為了擴(kuò)大40納米以下先進(jìn)
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40納米介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條40納米!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對40納米的理解，并與今后在此搜索40納米的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
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