40納米文章進(jìn)入40納米技術(shù)社區(qū)

美光新加坡廠年底導(dǎo)入40納米　為明年大戰(zhàn)暖身

　　三星電子(Samsung　Electronics)、海力士(Hynix)40納米制程開(kāi)始試產(chǎn)，爾必達(dá)(Elpida)也考慮在2010年直接從65納米跳至40納米制程，美光計(jì)劃年底在新加坡12寸廠率先導(dǎo)入40納米制程，將成為美光旗下第1個(gè)導(dǎo)入40納米制程的廠房，為2010年40納米大戰(zhàn)來(lái)臨作暖身!美光指出，雖然現(xiàn)在多家DRAM廠開(kāi)始復(fù)工生產(chǎn)，但多是采用落后制程生產(chǎn)，也很難募得新資金升級(jí)機(jī)器設(shè)備，因此不認(rèn)為全球DRAM產(chǎn)業(yè)供需會(huì)因此惡化。　　美光表示，2009、2010年對(duì)美光而言，最大的挑戰(zhàn)是從目前
關(guān)鍵字： Samsung 40納米 DRAM

DRAM廠40納米開(kāi)戰(zhàn)　50納米恐曇花一現(xiàn)

　　臺(tái)系DRAM廠身陷財(cái)務(wù)泥淖且制程停留在70納米制程，然國(guó)際大廠卻提前引爆40納米制程大戰(zhàn)!三星電子(Samsung Electronics)40納米制程產(chǎn)品已開(kāi)始送樣，美光(Micron)產(chǎn)品亦趨近成熟，2010年將加入戰(zhàn)局，爾必達(dá)(Elpida)這次雖沒(méi)趕上50納米世代，差點(diǎn)出現(xiàn)世代交替斷層危機(jī)，公司內(nèi)部已研擬2010年將略過(guò)50納米世代，直接跳到40納米，50納米恐成短命制程，未來(lái)真正決戰(zhàn)點(diǎn)會(huì)是40納米制程技術(shù)。　　三星、海力士(Hynix)、美光等DRAM大廠2009年紛轉(zhuǎn)進(jìn)50納米制程，且
關(guān)鍵字： DRAM 40納米 60納米 50納米

微捷碼Quartz DRC和Quartz LVS支持臺(tái)積電統(tǒng)一物理驗(yàn)證格式

　　芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma®)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司(納斯達(dá)克代碼：LAVA)日前宣布，Quartz™ DRC和Quartz LVS現(xiàn)在可支持臺(tái)積電(TSMC)互操作設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(iDRC)和互操作版圖電路圖一致性檢查(iLVS)。采用這兩種統(tǒng)一的電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(EDA)數(shù)據(jù)格式與線性Quartz物理驗(yàn)證解決方案，微捷碼和臺(tái)積電將通過(guò)合作幫助雙方客戶實(shí)現(xiàn)更輕松快捷、更低成本的臺(tái)積電40納米工藝技術(shù)采用。　　“在定義適用于所有DRC和LVS工具的互操作通用語(yǔ)
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臺(tái)積電40納米良率大躍進(jìn) 已逾60%

　　外界關(guān)心臺(tái)積電40納米制程良率進(jìn)展，臺(tái)積電30日法說(shuō)首次破例現(xiàn)場(chǎng)聯(lián)機(jī)至Fab 12，請(qǐng)先進(jìn)制程事業(yè)副總劉德音說(shuō)明。劉德音表示，40納米制程良率已從30%進(jìn)展到60%，預(yù)期10月其缺陷密度將達(dá)0.2左右，同時(shí)，臺(tái)積電本季40納米制程產(chǎn)能也將沖上3萬(wàn)片。臺(tái)積電董事長(zhǎng)張忠謀則認(rèn)為，臺(tái)積電32、28納米制程，未來(lái)承接CPU訂單的機(jī)會(huì)將愈來(lái)愈多。　　過(guò)去臺(tái)積電法說(shuō)會(huì)多現(xiàn)場(chǎng)問(wèn)答，這次破例進(jìn)行現(xiàn)場(chǎng)與Fab 12即時(shí)聯(lián)機(jī)，并由先進(jìn)制程副總劉德音身著無(wú)塵衣，親自對(duì)外界40納米制程進(jìn)度說(shuō)明釋疑并接受提問(wèn)。劉德音說(shuō)，目
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 40納米 32納米 28納米

張忠謀：半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可提前一年復(fù)蘇

　　臺(tái)積電董事長(zhǎng)暨總執(zhí)行長(zhǎng)張忠謀30日表示，臺(tái)積電第三季度合并營(yíng)收約880億至900億元新臺(tái)幣(下同)，比第二季度增長(zhǎng)18.6%到21.3%;第三季度毛利率約為46.5%到48.5 %，大幅優(yōu)于市場(chǎng)預(yù)期;今年資本支出預(yù)估也由年初的15億美元上修至23億美元，“很高興可以帶給大家驚喜!” 　　張忠謀回任CEO后，首次主持臺(tái)積電說(shuō)明會(huì)，他一口氣調(diào)高全球半導(dǎo)體產(chǎn)值(包括芯片代工產(chǎn)值)、電子產(chǎn)品產(chǎn)值、第三季營(yíng)收、全年資本支出共四項(xiàng)數(shù)據(jù)。半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的復(fù)蘇速度也比先前預(yù)期的更快，預(yù)估2011
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 40納米芯片代工半導(dǎo)體

臺(tái)積電2009年第二季每股盈余新臺(tái)幣0.94元

　　臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司今(30)日公布2009年第二季財(cái)務(wù)報(bào)告，合并營(yíng)收為新臺(tái)幣742.1億元，稅后純益為新臺(tái)幣244.4億元，每股盈余為新臺(tái)幣0.94元(換算成美國(guó)存托憑證每單位為0.14美元)。　　與2008年同期相較，2009年第二季營(yíng)收減少15.8%，稅后純益減少15%，每股盈余則減少了13.9%。與前一季相較，2009年第二季營(yíng)收增加了87.9%，稅后純益增加1467.9%，每股盈余則增加了1466.5%。這些財(cái)務(wù)數(shù)字皆為合并財(cái)務(wù)報(bào)表數(shù)字，并系依照中華民國(guó)一般公認(rèn)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則所編制。
關(guān)鍵字：臺(tái)積電晶圓 40納米

臺(tái)積電Q2毛利率攀升至46.2% 45nm出貨三倍增長(zhǎng)

　　臺(tái)積電7月30日公布2009年第二季財(cái)務(wù)報(bào)告，合并營(yíng)收為新臺(tái)幣742.1億元，稅后純益為新臺(tái)幣244.4億元，每股盈余為新臺(tái)幣0.94元。　　與2008年同期相較，2009年第二季營(yíng)收減少15.8%，稅后純益減少15%，每股盈余則減少了13.9%。與前一季相較，2009年第二季營(yíng)收增加了87.9%，稅后純益增加1467.9%，每股盈余則增加了1466.5%。這些財(cái)務(wù)數(shù)字皆為合并財(cái)務(wù)報(bào)表數(shù)字，并系依照中華民國(guó)一般公認(rèn)會(huì)計(jì)準(zhǔn)則所編制。　　2009年第二季毛利率為46.2%，營(yíng)業(yè)利益率為33.9%，
關(guān)鍵字：臺(tái)積電 65納米晶圓 40納米

意法半導(dǎo)體成為Globalfoundries首位新客戶

　　據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，今年初從AMD分拆出來(lái)的芯片制造業(yè)務(wù)新公司Globalfoundries今天宣布，意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics)已成為Globalfoundries除AMD之外的首位新客戶。　　AMD今年3月初完成了其制造工廠業(yè)務(wù)的分拆工作，這部分業(yè)務(wù)已并入同阿布扎比(Abu Dhabi)國(guó)有風(fēng)險(xiǎn)投資公司ATIC組建的合資公司，公司新名稱(chēng)為Globalfoundries。分拆工作完成后，Globalfoundries實(shí)際身份已是一家芯片代工商，雖然AMD為其主要客戶，但其他科技
關(guān)鍵字： ST 40納米手機(jī)芯片芯片代工

微捷碼宣布東芝公司部署Talus進(jìn)行ASIC和ASSP設(shè)計(jì)

　　芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布，世界領(lǐng)先的消費(fèi)電子半導(dǎo)體供應(yīng)商日本東芝公司(Toshiba Corporation)已在其世界范圍設(shè)計(jì)中心部署了微捷碼的Talus IC實(shí)現(xiàn)軟件以進(jìn)行針對(duì)多媒體、網(wǎng)絡(luò)和打印機(jī)應(yīng)用的90納米、65納米和40納米工藝節(jié)點(diǎn)IC的開(kāi)發(fā)。東芝公司是在對(duì)Talus進(jìn)行廣泛評(píng)估，證明該軟件能夠大幅縮短設(shè)計(jì)周期、提高設(shè)計(jì)師生產(chǎn)率并改善結(jié)果質(zhì)量后才作出的這個(gè)決定。事實(shí)上，早在2001年?yáng)|芝公司就已在其Apex流程中部署了微捷碼設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)軟件，現(xiàn)在通過(guò)其
關(guān)鍵字： Magma Talus 90納米 65納米 40納米

三星電子率先量產(chǎn)40納米DDR3 DRAM

　　7月21日三星電子宣布已經(jīng)開(kāi)始量產(chǎn)40納米2Gb DDR3 Dram。這是該級(jí)別產(chǎn)品全世界首次進(jìn)入量產(chǎn)。同時(shí)該產(chǎn)品比去年九月量產(chǎn)的50納米產(chǎn)品擁有更高的量產(chǎn)性。　　據(jù)悉，繼2008年9月三星電子在業(yè)內(nèi)首次量產(chǎn)50納米DDR3 Dram之后，該公司又于2009年1月首次開(kāi)發(fā)出40納米2Gb DDR3 Dram并于本月首次投入量產(chǎn)。三星電子通過(guò)不斷簡(jiǎn)化生產(chǎn)工藝縮短生產(chǎn)時(shí)間，極大地提高了生產(chǎn)效率和成本競(jìng)爭(zhēng)力。　　三星電子表示，新一代量產(chǎn)的40納米產(chǎn)品擁有更高的科技水平和環(huán)保型解決方案從而將獲得比50
關(guān)鍵字：三星 40納米 Dram

Magma宣布推出基于Talus的RTL-to-GDSII低功耗參考流程

　　芯片設(shè)計(jì)解決方案供應(yīng)商微捷碼(Magma®)設(shè)計(jì)自動(dòng)化有限公司日前宣布，一款支持臺(tái)聯(lián)電(UMC)先進(jìn)40納米工藝的集成化低功耗IC實(shí)現(xiàn)參考流程正式面市。　　這款參考流程采用UMC 40納米工藝和UMC 40納米低漏電單元庫(kù);它以微捷碼Talus® IC實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)為基礎(chǔ)且完全支持統(tǒng)一功率格式(UPF)，使得設(shè)計(jì)師能夠在單一環(huán)境內(nèi)貫穿整個(gè)實(shí)現(xiàn)流程地解決低功耗納米設(shè)計(jì)問(wèn)題，從而在縮短設(shè)計(jì)周期的同時(shí)最大程度提高結(jié)果質(zhì)量(QoR)。此前，微捷碼已向市場(chǎng)推出了與其相類(lèi)似的90納米和65納米低功耗
關(guān)鍵字： Magma 40納米 Talus

NetLogic與臺(tái)積電在40納米技術(shù)領(lǐng)域合作

　　NetLogic Microsystems公司與臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司今(14)日宣布，在領(lǐng)先業(yè)界的40納米泛用型制程技術(shù)領(lǐng)域合作，推出NetLogic Microsystems下一世代先進(jìn)的knowledge-based網(wǎng)絡(luò)處理器及10/40/100 Gigabit 實(shí)體層(Physical Layer)解決方案。NetLogic Microsystems是knowledge-based網(wǎng)絡(luò)處理器及整合高速芯片設(shè)計(jì)發(fā)展的領(lǐng)導(dǎo)者，也是最先在臺(tái)積公司先進(jìn)40納米制程流片與驗(yàn)證多項(xiàng)產(chǎn)品的客戶之一。
關(guān)鍵字： NetLogic 40納米網(wǎng)絡(luò)處理器

TSMC的40nm工藝已經(jīng)達(dá)到極限

　　我們已經(jīng)聽(tīng)到太多關(guān)于TSMC在其40nm工藝上提升良率的難處，在這篇文章里，我從這些消息里進(jìn)行揣測(cè)，并推斷出是什么原因阻止晶圓代工廠獲得可接受的良率。　　最近，關(guān)于TSMC在40nm工藝的GPU生產(chǎn)過(guò)程中出現(xiàn)的超級(jí)低的良率的傳言很多，這個(gè)傳言最初的來(lái)源是FBR Capital Markets的Mehdi Hosseini寫(xiě)的一篇報(bào)告，而EE Times的編輯Mark LaPedus引用了Hosseini的說(shuō)法，“我們相信良率低到了20%到30%”。兩家圖形芯片巨頭和其他TS
關(guān)鍵字： TSMC 40納米 GPU

碳芯片技術(shù)準(zhǔn)備邁向商業(yè)化？

　　市場(chǎng)研究機(jī)構(gòu)Gartner資深分析師Dean Freeman認(rèn)為，在碳科技中已經(jīng)最接近商業(yè)化的，就是發(fā)展時(shí)間已經(jīng)超過(guò)15年的鉆石。鉆石是三維架構(gòu)的碳，根據(jù)供應(yīng)硅晶圓片上40納米(nm)~15微米(micron)鉆石薄膜的廠商指出，其散熱效率是硅的10倍。　　二維架構(gòu)的碳，是厚度3埃(angstrom)的單分子層，又稱(chēng)為石墨烯(graphene)，則可藉由比硅高十倍的電子遷移率，達(dá)到兆兆赫(terahertz)等級(jí)的頻率表現(xiàn)。至于一維架構(gòu)的碳，則是直徑1nm的納米管(nanotube)，其超越硅的特
關(guān)鍵字：硅晶圓 40納米 RFID

聯(lián)電65納米曝良率問(wèn)題　Xilinx受損

　　繼臺(tái)積電傳出40納米制程出現(xiàn)良率問(wèn)題，聯(lián)電客戶端FPGA(Field Programmable Gate Array)芯片業(yè)者賽靈思(Xilinx)，亦傳出因65納米制程良率問(wèn)題，導(dǎo)致高階產(chǎn)品Virtex-5大缺貨，且可能要到9月才能獲得解決。臺(tái)積電、聯(lián)電先后在40納米、65納米出狀況，顯示晶圓代工廠宣告已成熟的先進(jìn)制程技術(shù)，恐怕還是距離客戶期待有一段差距，由于晶圓廠跟不上出貨腳步，不僅讓賽靈思急得跳腳，甚至迫使其調(diào)降財(cái)測(cè)。不過(guò)，聯(lián)電對(duì)此并未發(fā)表評(píng)論。　　近期半導(dǎo)體業(yè)界最熱門(mén)話題，就是晶圓代工廠與
關(guān)鍵字： Xilinx 65納米 Virtex-5 40納米

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