600v氮化鎵（gan）功率器件 文章 進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)
基于安森美半導(dǎo)體有源鉗位的NCP1568搭配GaN的65W PD電源適配器
- 電源適配器曾在電子產(chǎn)品中占據(jù)相當(dāng)大的空間，而市場對于高功率密度的需求也正日益增高。過去硅(silicon)電源技術(shù)的發(fā)展與創(chuàng)新曾大幅縮減產(chǎn)品尺寸，但卻難有更進(jìn)一步的突破。在現(xiàn)今的尺寸規(guī)格下，硅材料已無法在所需的頻率下輸出更高的功率。對于未來的5G無線網(wǎng)絡(luò)、機(jī)器人，以及再生能源至數(shù)據(jù)中心技術(shù)，功率將是關(guān)鍵的影響因素。GaN作為款能帶隙材質(zhì)，在電子遷移率遠(yuǎn)遠(yuǎn)高于硅，輸出電容也大大小于硅，致使其可工作在更高頻率以致變壓器尺寸可以做的更小來實現(xiàn)更高功率的小尺寸電源。?場景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?核心技術(shù)優(yōu)
- 關(guān)鍵字： 安森美 有源鉗位 NCP1568 GaN PD電源 適配器
世平基于安森美半導(dǎo)體 NCP51820 650V Hi-Low Side GaN MOS Driver 應(yīng)用于小型化工業(yè)電源供應(yīng)器方案
- 安森美GAN_Fet驅(qū)動方案(NCP51820)。 數(shù)十年來，硅來料一直統(tǒng)治著電晶體世界。但這個狀況在發(fā)現(xiàn)了砷化鎵（GaAs）和砷化鎵、磷（GaAsP）等不同特性的材料后,已經(jīng)逐漸開始改變。由開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體，它們具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性。但問題在于化合物半導(dǎo)體更難制造且更昂貴。雖然它們比硅具有明顯的優(yōu)勢。作為解決方案出現(xiàn)的兩個化合物半導(dǎo)體器件是氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）功率電晶體。這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器
- 關(guān)鍵字： NCP51820 安森美 半導(dǎo)體 電源供應(yīng)器 GaN MOS Driver
提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個方法
- 對功率器件動態(tài)參數(shù)進(jìn)行測試是器件研發(fā)工程師、電源工程師工作中的重要一環(huán)，測試結(jié)果用于驗證、評價、對比功率器件的動態(tài)特性。如何能夠高效地完成測試是工程師一直關(guān)注的，也是在選擇功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)時需要著重關(guān)注的，一個高效的測試系統(tǒng)能夠幫助工程師快速完成測試、獲得測試結(jié)果、提升工作效率、節(jié)約時間和精力。接下來我們將為大家介紹提高功率器件動態(tài)參數(shù)測試效率的7個方法，希望能對大家的工作有所幫助。方法1：測試單元模塊化功率器件動態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng)往往需要具備多種測試功能、覆蓋多種電壓等級的被測器件，此時就需要對測試
- 關(guān)鍵字： 功率器件 動態(tài)參數(shù)測試
英飛凌推出業(yè)界首款PFC和混合反激式組合IC，提高基于GaN的USB-C EPR適配器與充電器的性能
- 【2022年11月24日，德國慕尼黑訊】USB供電（USB-PD）已成為快速充電以及使用統(tǒng)一Type-C連接器為各種移動和電池供電設(shè)備供電的主流標(biāo)準(zhǔn)。在最新發(fā)布的USB-PD rev 3.1標(biāo)準(zhǔn)中，擴(kuò)展功率范圍（EPR）規(guī)格可支持寬輸出電壓范圍和高功率傳輸。統(tǒng)一化和大功率容量再加上低系統(tǒng)成本的小外型尺寸已成為推動適配器和充電器市場發(fā)展的主要驅(qū)動力。為了加速這一趨勢，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出全新XDP?數(shù)字電源XDPS2221。這款用于USB-PD的高度集
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 PFC和混合反激式組合IC GaN USB-C EPR適配器
基于安森美半導(dǎo)體NCP1342驅(qū)動GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案
- 此電源設(shè)計最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時輸出時，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡化設(shè)計理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導(dǎo)熱好！通標(biāo)變壓器設(shè)計，21V效率最高達(dá)到93%,驅(qū)動與MOS均采用美國安森美半導(dǎo)體技術(shù)！?場景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術(shù)優(yōu)勢1.51.5*51.5*31 超小體積 功率密度：1.26cm3/W2. QR架構(gòu)，COST
- 關(guān)鍵字： 安森美 NCP1342 65W PD GAN 1A1C 超小尺寸PD
英飛凌為布魯姆能源公司的電解系統(tǒng)和燃料電池提供CoolSiC?功率器件
- 【2022年10月26日，德國慕尼黑訊】當(dāng)前的能源危機(jī)充分表明，全球迫切需要尋找替代能源來構(gòu)建氣候友好型的能源供應(yīng)能力。近日，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）的CoolSiC? MOSFET和CoolSiC二極管被總部位于加利福尼亞州的布魯姆能源公司（Bloom Energy）選中，用于其燃料電池產(chǎn)品布魯姆能源服務(wù)器（Bloom’s Energy Server）以及布魯姆電解系統(tǒng)（Bloom Electrolyzer）中的功率變換。??布魯姆能源
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 布魯姆能源公司 電解系統(tǒng) 燃料電池 CoolSiC 功率器件
士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線初步通線，首個SiC器件芯片投片成功
- 10月24日，士蘭微發(fā)布公告稱，近期，士蘭明鎵SiC功率器件生產(chǎn)線已實現(xiàn)初步通線，首個SiC器件芯片已投片成功，首批投片產(chǎn)品各項參數(shù)指標(biāo)達(dá)到設(shè)計要求，項目取得了階段性進(jìn)展。士蘭明鎵正在加快后續(xù)設(shè)備的安裝、調(diào)試，目標(biāo)是在今年年底形成月產(chǎn)2000片6英寸SiC芯片的生產(chǎn)能力。士蘭微表示，公司目前已完成第一代平面柵SiC-MOSFET技術(shù)的開發(fā)，性能指標(biāo)達(dá)到業(yè)內(nèi)同類器件結(jié)構(gòu)的先進(jìn)水平。公司已將SiC-MOSFET芯片封裝到汽車主驅(qū)功率模塊上，參數(shù)指標(biāo)較好，繼續(xù)完成評測，即將向客戶送樣。據(jù)了解，2017年12月1
- 關(guān)鍵字： 士蘭微 士蘭明鎵 SiC 功率器件
格芯獲得3000萬美元政府基金研發(fā)GaN芯片
- 據(jù)外媒《NBC》報道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機(jī)、射頻無線基礎(chǔ)設(shè)施、電動汽車、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱，電動汽車的普及、電網(wǎng)升級改造以及5G、6G智能手機(jī)上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導(dǎo)體帶來需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
- 關(guān)鍵字： 格芯獲 GaN
GaN IC縮小電機(jī)驅(qū)動器并加快eMobility、電動工具、 機(jī)器人和無人機(jī)的上市時間
- EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計，增強(qiáng)了電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時簡化設(shè)計。該逆變器尺寸極小，可集成到電機(jī)外殼中，從而實現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機(jī)驅(qū)動逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動器功能和兩個具有5.2 mΩ典型導(dǎo)通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達(dá)28 Apk(2
- 關(guān)鍵字： GaN IC 電機(jī)驅(qū)動器
世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源
- 現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會影響關(guān)斷速度，而硅元件也無法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競爭。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個產(chǎn)品設(shè)計做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器
- 關(guān)鍵字： GaN 氮化鎵 SiC 碳化硅 NCP51561 onsemi
庖丁解?？垂β势骷p脈沖測試平臺
- _____雙脈沖測試是表征功率半導(dǎo)體器件動態(tài)特性的重要手段，適用于各類功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時，這項測試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應(yīng)用等各個環(huán)節(jié)，測試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標(biāo)和安全，可以說是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時刻。隨著先進(jìn)功率器件的問世以及功率變換器設(shè)計愈發(fā)精細(xì)，器件研發(fā)工程師和電源工程師都越來越關(guān)注雙脈沖測試。工欲善其事，必先利其器，擁有一套雙脈沖測試平臺是獲得正確評估結(jié)果的第一步。本文將破解雙脈
- 關(guān)鍵字： 泰克 功率器件 雙脈沖測試
這些功率器件撐起3,000億特高壓建設(shè)
- 新能源是支撐國家可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵，隨著“碳達(dá)峰”和“碳中和”目標(biāo)的提出，中國新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展將再次提速。但新能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展面臨的一個關(guān)鍵問題是發(fā)電與用電區(qū)域不均衡，風(fēng)電、太陽能和水電等可再生能源主要集中在西部和西北部，用電則主要集中在中東部。并且風(fēng)電和太陽能（光伏）等發(fā)電方式波動性較大，在新能源布局較多的西北部地區(qū)，由于用電負(fù)荷低于發(fā)電量，造成了較高比例的“棄風(fēng)”、“棄光”現(xiàn)象。將大規(guī)模波動性新能源發(fā)電接入電網(wǎng)，一方面要提高儲能技術(shù)，另一方面也要改善輸配電狀況，“西電東送”是解決能源分布不均的重要途徑，而“西
- 關(guān)鍵字： 貿(mào)澤電子，功率器件
功率GaN RF放大器的熱考慮因素
- 氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場中獲得應(yīng)用。其中許多應(yīng)用需要很長的使用壽
- 關(guān)鍵字： Wolfspeed 放大器 GaN
使用集成 GaN 解決方案提高功率密度
- 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因為它可以使得 80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計得以實現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實現(xiàn)的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強(qiáng)型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
- 關(guān)鍵字： TI GaN
大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案
- 2022年9月20日，致力于亞太地區(qū)市場的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機(jī)、電腦為代表的移動智能設(shè)備已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ畹闹匾ぞ?，然而隨著這些設(shè)備所覆蓋的功能越來越多，設(shè)備有限的續(xù)航能力已經(jīng)無法滿足用戶對
- 關(guān)鍵字： 大聯(lián)大友尚 onsemi GaN System PD快充電源
600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對600v氮化鎵（gan）功率器件的理解，并與今后在此搜索600v氮化鎵（gan）功率器件的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
600v氮化鎵（gan）功率器件電路
600v氮化鎵（gan）功率器件相關(guān)帖子
600v氮化鎵（gan）功率器件資料下載
600v氮化鎵（gan）功率器件專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473