600v氮化鎵（gan）功率器件文章進(jìn)入600v氮化鎵（gan）功率器件技術(shù)社區(qū)

SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

使用國(guó)產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN／GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型，利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC，研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片，連續(xù)波測(cè)試顯示，頻率為9．1～10．1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W，帶內(nèi)增益大于12 dB，增益平坦度為±0．2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國(guó)產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
關(guān)鍵字： MMIC SiC GaN 襯底

功率器件的散熱計(jì)算及散熱器選擇

目前的電子產(chǎn)品主要采用貼片式封裝器件，但大功率器件及一些功率模塊仍然有不少用穿孔式封裝，這主要是可方便地 ...
關(guān)鍵字：功率器件散熱器功耗

功率器件芯片商迎來(lái)混合動(dòng)力汽車(chē)商機(jī)

　　Strategy Analytics的汽車(chē)電子部門(mén)稱(chēng)，半導(dǎo)體市場(chǎng)供應(yīng)混合動(dòng)力系統(tǒng)將從今年的3.84億美元增長(zhǎng)到2015年的13億美元，其中主要是功率器件以及模擬微控制器和傳感器。　　市場(chǎng)研究人員認(rèn)為，完全和半混合動(dòng)力系統(tǒng)在2007年到2012年的年增長(zhǎng)率達(dá)到38%，其中更符合成本效益的輕度混合解決方案的增長(zhǎng)率會(huì)更高，約達(dá)79%。盡管目前的市場(chǎng)領(lǐng)軍人豐田會(huì)在開(kāi)始時(shí)遙遙領(lǐng)先，但本田和歐洲設(shè)備制造商們的后勁更足。　　不過(guò)，該機(jī)構(gòu)的汽車(chē)電子分析師Kevin Mak認(rèn)為，對(duì)于消費(fèi)者而言，更高的成
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體汽車(chē)電子功率器件

IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)

　　國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱(chēng)IR) 宣布，成功開(kāi)發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比，該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10，顯著提高計(jì)算和通信、汽車(chē)和電器等終端設(shè)備的性能，并降低能耗。　　開(kāi)拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專(zhuān)利技術(shù)，歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。　　IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過(guò)有效利用公司60年來(lái)在電源轉(zhuǎn)換專(zhuān)業(yè)知識(shí)方面
關(guān)鍵字： IR 功率器件 GaN 終端

測(cè)試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話技術(shù)問(wèn)題

要預(yù)測(cè)客戶對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值...
關(guān)鍵字： GAN 蜂窩話音質(zhì)量

中國(guó)功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)正經(jīng)歷風(fēng)雨轉(zhuǎn)折

　　受到市場(chǎng)需求減緩以及庫(kù)存調(diào)整等問(wèn)題的影響，2007年，中國(guó)功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)率較2006年出現(xiàn)較大幅度的下降，市場(chǎng)銷(xiāo)售額為762.3億元，比2006年增長(zhǎng)了13.3%。　　在中國(guó)功率器件市場(chǎng)中，電源|穩(wěn)壓器管理IC仍舊占據(jù)市場(chǎng)首要位置，MOSFET位于第二位，大功率晶體管位于第三位，此三大產(chǎn)品銷(xiāo)售額占到整體市場(chǎng)的80%
關(guān)鍵字：功率器件消費(fèi)電子電源管理IC MOSFET

Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

　　Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管，用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品，其性能級(jí)別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。　　新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括：　　1. 相比于類(lèi)似功率級(jí)的GaAs MOSFET器件，效率增加四倍　　　　2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS，提高了工作頻率　　3. 在免授權(quán)的5.8G
關(guān)鍵字：三極管 WiMAX Cree GaN

研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展

　　研究人員介紹，他們第一次在200mm硅（111）晶圓上沉積了無(wú)裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測(cè)量顯示出很高的晶體質(zhì)量，并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延（MOVPE）反應(yīng)腔中生長(zhǎng)的。??????? 　　“對(duì)實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來(lái)說(shuō)，在200mm硅晶圓上生長(zhǎng)出
關(guān)鍵字：硅晶圓 GaN 200mm MEMC

如何測(cè)試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話

　　要預(yù)測(cè)客戶對(duì)一款手機(jī)性能的接受程度，從而預(yù)測(cè)手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì)，需要進(jìn)行實(shí)際使用測(cè)試。使用測(cè)試是一種很有價(jià)值的工具，本文將介紹如何進(jìn)行此類(lèi)測(cè)試。　　UMA/GAN是一種能讓移動(dòng)電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無(wú)話音也無(wú)數(shù)據(jù)時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無(wú)線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無(wú)線 LAN)之間無(wú)縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過(guò)程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù)，UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動(dòng)接入(UMA)網(wǎng)，之后被3
關(guān)鍵字：移動(dòng)電話 UMA GAN SEGW WLAN

中國(guó)首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問(wèn)世

　　由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國(guó)家863半導(dǎo)體照明工程重點(diǎn)項(xiàng)目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長(zhǎng)設(shè)備研制取得突破，我國(guó)首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的并能同時(shí)生長(zhǎng)6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。　　　　該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測(cè)器、高效率太陽(yáng)能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備，目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前，杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
關(guān)鍵字：青島杰生電氣 MOCVD LED LD GaN

藍(lán)色激光的應(yīng)用

藍(lán)色激光所使用的半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)商業(yè)應(yīng)用研究始于1970年，GaN在高頻和高溫條件下能夠激發(fā)藍(lán)光的獨(dú)特...
關(guān)鍵字：藍(lán)色激光激光光束 GaN 1970年 Nichia 激光打印激光器外線單晶生長(zhǎng) 深紫

功率器件增速放緩歐美廠家領(lǐng)銜市場(chǎng)

　　中國(guó)功率器件市場(chǎng)近年來(lái)一直保持快速增長(zhǎng)，近五年來(lái)，市場(chǎng)復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)27.8%，是半導(dǎo)體產(chǎn)品中市場(chǎng)發(fā)展相對(duì)較快的產(chǎn)品。但未來(lái)整機(jī)制造業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移趨勢(shì)減緩，整機(jī)市場(chǎng)在經(jīng)歷了多年的高速增長(zhǎng)之后將會(huì)逐漸飽和，未來(lái)中國(guó)市場(chǎng)功率器件增速減緩。從市場(chǎng)格局來(lái)看，電源管理芯片無(wú)論在市場(chǎng)還是技術(shù)方面，歐美廠商都占據(jù)絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，但在中、低端領(lǐng)域，中國(guó)以及其他地區(qū)一些新進(jìn)入廠家已經(jīng)具備一定的競(jìng)爭(zhēng)力。　　電源管理芯片今年有望增長(zhǎng)兩成　　隨著節(jié)能產(chǎn)品需求的增多，電源管理芯片、MOSFET等功率器件越來(lái)越多地應(yīng)用到整機(jī)產(chǎn)品中
關(guān)鍵字：功率器件電源管理芯片

飛兆半導(dǎo)體:功率器件提高能效需求日益重要

　　超便攜式應(yīng)用產(chǎn)品的DC/DC轉(zhuǎn)換趨勢(shì)讓開(kāi)關(guān)型調(diào)節(jié)器的使用日益普遍，隨著對(duì)更高效率的需求變得越來(lái)越重要，這種技術(shù)被用來(lái)取代線性調(diào)節(jié)器。飛兆半導(dǎo)體的業(yè)務(wù)重點(diǎn)之一是開(kāi)發(fā)小外形尺寸、更高效的步降和步升開(kāi)關(guān)型DC/DC轉(zhuǎn)換器。為了讓總體解決方案的外形尺寸盡可能地小，我們把用于手機(jī)、媒體播放器和手持式游戲機(jī)等超便攜式應(yīng)用設(shè)備的步降DC/DC轉(zhuǎn)換器的開(kāi)關(guān)頻率提高到了4MHz以上。　　此外，由于對(duì)更高功率的需求大于電池容量的增加速度，DC/DC轉(zhuǎn)換器的增長(zhǎng)正在超過(guò)線性調(diào)節(jié)器。這就需要提高電池能量的轉(zhuǎn)換效率，以滿足
關(guān)鍵字：飛兆半導(dǎo)體功率器件 DC/DC MCU和嵌入式微處理器

功率器件熱設(shè)計(jì)及散熱計(jì)算

本文介紹了功率器件的熱性能參數(shù)，并根據(jù)實(shí)際工作經(jīng)驗(yàn)，闡述了功率器件的熱設(shè)計(jì)方法和散熱器的合理選擇。
關(guān)鍵字：功率器件熱設(shè)計(jì) 散熱計(jì)算

ADI精密放大器延長(zhǎng)便攜式應(yīng)用電池壽命

美國(guó)模擬器件公司今日在美國(guó)馬薩諸塞州諾伍德市（Norwood, Mass.）發(fā)布了一款精密運(yùn)算放大器，它滿足了便攜式電池供電應(yīng)用中對(duì)功耗、電壓、精度和價(jià)位的要求。AD8500的功耗比其它解決方案低30%,并且可在1.8 V低電源電壓工作，無(wú)需犧牲其精密性能。AD8500的低功耗、低電壓和高精度特性的完美結(jié)合延長(zhǎng)了便攜式應(yīng)用中電池的壽命，這類(lèi)應(yīng)用要求保證精度精密檢測(cè)，例如煙火探測(cè)器、血糖監(jiān)測(cè)儀和遠(yuǎn)程傳感器。此外，該運(yùn)算放大器采用超小標(biāo)準(zhǔn)表面貼封裝以滿足電池供電應(yīng)用中對(duì)尺寸限制的要求以及大
關(guān)鍵字： ADI 便攜式電源管理電源技術(shù) 放大器功率器件模擬技術(shù) 消費(fèi)電子新品模擬IC 電源消費(fèi)電子