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	600v氮化鎵（gan）功率器件
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
          
                	
          600v氮化鎵（gan）功率器件 文章
                  進入600v氮化鎵（gan）功率器件技術社區(qū)  
                  
          
                
          
                                
          
                  

                                
          
                    
          Transphorm發(fā)布業(yè)界首款1200伏GaN-on-Sapphire器件的仿真模型
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 加州戈利塔--(2023年5月31日)-- 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供應商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)宣布推出其1200伏功率管仿真模型及初始規(guī)格書。TP120H070WS功率管是迄今為止推出的唯一一款1200伏GaN-on-Sapphire功率半導體，領先同類產(chǎn)品。這款產(chǎn)品的發(fā)布展現(xiàn)Transphorm有能力支持未來的汽車電力系統(tǒng)，以及已普遍用于工業(yè)、數(shù)據(jù)通信和可再生能源市場的三相電力系統(tǒng)。與替代技術相比，這些應用可受益于1
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          • 關鍵字：
                        Transphorm  1200伏  GaN-on-Sapphire器件  常關型  氮化鎵.三相電力系統(tǒng)                          
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          EPC起訴英諾賽科，要求保護氮化鎵(GaN)專利
          
                                                            
            
                    	
          • 案例聚焦新一代替代硅技術?(加利福尼亞州，埃爾塞貢多）-- 氮化鎵（GaN）技術的全球領導者宜普電源轉(zhuǎn)換公司（Efficient
Power Conversion Corporation, EPC，以下簡稱宜普公司）于今日向美國聯(lián)邦法院和美國國際
貿(mào)易委員會（U.S. International Trade Commission, ITC）提起訴訟，主張其基礎專利組合中的
四項專利受到英諾賽科（珠海）科技有限公司及其子公司（以下統(tǒng)稱英諾賽科）侵犯。 這些專利
涉及宜普公司獨家的增強型氮化
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          • 關鍵字：
                        宜普電源  EPC  英諾賽科  氮化鎵  GaN                          
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          意法半導體的100W和65W VIPerGaN功率轉(zhuǎn)換芯片節(jié)省空間
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2023?年?5?月?19?日，中國——意法半導體高壓寬禁帶功率轉(zhuǎn)換芯片系列新增VIPerGaN100?和?VIPerGaN65兩款產(chǎn)品，適合最大功率100W和65W的單開關管準諧振(QR)反激式功率轉(zhuǎn)換器。這個尺寸緊湊、高集成度的產(chǎn)品設計的目標應用包括USB-PD充電器、家電、智能建筑控制器、照明、空調(diào)、智能表計和其他工業(yè)應用的開關式電源(SMPS)。?每個器件都集成了脈寬調(diào)制?(PWM)?控制器和650
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  GaN  功率轉(zhuǎn)換芯片                          
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          碳化硅功率器件的應用機會及未來
          
                                                            
                                        
                    
          
                
          
                                
          
                    
          ROHM開始量產(chǎn)具有業(yè)界超高性能的650V耐壓GaN HEMT
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 全球知名半導體制造商ROHM（以下簡稱“ROHM”）將650V耐壓的GaN（Gallium Nitride：氮化鎵）HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產(chǎn)，這兩款產(chǎn)品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統(tǒng)。據(jù)悉，電源和電機的用電量占全世界用電量的一大半，為實現(xiàn)無碳社會，如何提高它們的效率已成為全球性的社會問題。而功率元器件是提高它們效率的關鍵，SiC （Silicon Carbide：碳化硅）和GaN等新材料在進一步提升各種電源效率方面被寄予厚望。2022年，RO
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          • 關鍵字：
                        ROHM  650V  GaN HEMT                          
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          意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉(zhuǎn)換器芯片
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 2023 年 5月 16 日，中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉(zhuǎn)換器芯片具有能效高、尺寸緊湊，以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉(zhuǎn)換器應用，采用隔離降壓拓撲結構，需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉(zhuǎn)換器少，并且不需要光耦合器，從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關斷電流，集成軟啟動時間可調(diào)、內(nèi)部環(huán)路補償、電源正常指示，以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
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          • 關鍵字：
                        意法半導體  隔離式降壓轉(zhuǎn)換器  功率轉(zhuǎn)換  IGBT  SiC  GaN  晶體管柵極驅(qū)動                          
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          EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅(qū)動器參考設計
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推EPC9186，這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅(qū)動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農(nóng)業(yè)機械、叉車和大功率無人機等應用。EPC9186在每個開關位置使用四個并聯(lián)的EPC2302，可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關鍵功能電路
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          • 關鍵字：
                        EPC  GaN FET  ARMS  電機驅(qū)動器                          
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          瑞能半導體在PCIM Europe 2023展示全新功率器件及解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 【2023年5月9日 - 德國紐倫堡】當?shù)貢r間5月9日，全球領先的功率半導體供應商瑞能半導體攜其最新產(chǎn)品亮相在德國紐倫堡揭幕的PCIM Europe 2023。產(chǎn)品組合包含碳化硅器件，可控硅和功率二極管，高壓和低壓Si-MOSFET, IGBT，保護器件以及功率模塊，豐富的產(chǎn)品矩陣彰顯了瑞能半導體領先的產(chǎn)品實力和對未來電力電子行業(yè)可持續(xù)發(fā)展的思考，受到了與會者的高度關注。CEO Markus Mosen先生率領公司研發(fā)工程師、市場部、銷售部組成的參展團隊出席了活動現(xiàn)場。PCIM Europe，即 
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          • 關鍵字：
                        瑞能半導體  PCIM Europe  功率器件                          
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          Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 奈梅亨，2023年5月10日：基礎半導體器件領域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode（增強型）功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產(chǎn)品系列上增加了七款新型E-mode器件，從GaN FET到其他硅基功率器件，Nexperia豐富的產(chǎn)品組合能為設計人員提供最佳的選擇。  Nexperia的新產(chǎn)品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET（RDS(on)值介于80 mΩ至19
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          • 關鍵字：
                        Nexperia  E-mode GAN FET                          
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          深挖 GaN 潛力，中國企業(yè)別掉隊
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶半導體材料，其禁帶寬度達到 3.4eV，是最具代表性的第三代半導體材料。除了更寬的禁帶寬度，氮化鎵還具備更高的擊穿電場、更高的熱導率、更高的電子飽和速率，以及更優(yōu)的抗輻照能力，這些特性對于電力電子、射頻和光電子應用有獨特優(yōu)勢。GaN 產(chǎn)業(yè)上游主要包括襯底與外延片的制備，下游是 GaN 芯片元器件的設計和制造。襯底的選擇對于器件性能至關重要，襯底也占據(jù)了大部分成本，因而襯底制備是降低 GaN 器件成本的突破口。襯底GaN 單晶襯底以 2-4 英寸為主，4 英寸已實現(xiàn)商用，6 英寸
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          • 關鍵字：
                        GaN-on-Si  氮化鎵                          
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          SiC并購戰(zhàn)：誰是頂級收購者？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 第三代半導體「愈演愈烈」。
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          • 關鍵字：
                        SiC  功率器件                          
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          氮化鎵 (GaN) 帶來電源管理變革的 3 大原因
          
                                                            
            
                    	
          • 作為提供不間斷連接的關鍵，許多數(shù)據(jù)中心依賴于日益流行的半導體技術來提高能效和功率密度。?氮化鎵技術，通常稱為 GaN，是一種寬帶隙半導體材料，越來越多地用于高電壓應用。這些應用需要具有更大功率密度、更高能效、更高開關頻率、更出色熱管理和更小尺寸的電源。除了數(shù)據(jù)中心，這些應用還包括 HVAC 系統(tǒng)、通信電源、光伏逆變器和筆記本電腦充電電源。??了解 GaN 如何突破功率密度和效率界限? 德州儀器 GaN 產(chǎn)品線負責人 David Snook 表示：“氮化鎵是提高功率密
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          • 關鍵字：
                        氮化鎵  GaN  電源管理                          
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          高電壓技術是構建更可持續(xù)未來的關鍵
          
                                                            
            
                    	
          • 隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長，高電壓技術領域的創(chuàng)新讓設計工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案，使電氣化和可再生能源技術更易于使用。?“隨著人均用電量的持續(xù)增長，可持續(xù)能源變得越來越重要，”TI 副總裁及高電壓產(chǎn)品部總經(jīng)理 Kannan Soundarapandian 表示。“以負責的方式管理能源使用非常重要。我們不能浪費任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術的創(chuàng)新是實現(xiàn)能源可持續(xù)的關鍵?！?隨著電力需求的增加（在 2 秒內(nèi)將電動汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
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          • 關鍵字：
                        高電壓技術  電動汽車  GaN  IGBT                          
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          GaN 出擊
          
                                                            
            
                    	
          • 自上世紀五十年代以來，以硅材料為代表的第一代半導體材料取代了笨重的電子管引發(fā)了以集成電路為核心的微電子領域迅速發(fā)展。隨著時間的流逝，盡管目前業(yè)內(nèi)仍然以 Si 材料作為主流半導體材料，但第二代、第三代甚至是第四代半導體材料都紛沓而至。這其中又以第三代半導體材料——氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC）受到大眾關注。近段時間，GaN 方面又有了新進展。本土 GaN 企業(yè)快速發(fā)展3 月 2 日，英飛凌宣布收購氮化鎵公司 GaN Systems，交易總值 8.3 億美元（約 57.3 億人民幣）。根據(jù)公告，英飛凌計劃
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          基于Navitas NV6115的150W電源解決方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 傳統(tǒng)的功率半導體被設計用來提升系統(tǒng)的效率以及減少能量損失?？墒菍嶋H上，出于兩個方面的原因-傳導和開關切換，設備可能會出現(xiàn)能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術，其改善開關切換的延遲時間。納微（Navitas）半導體公司是世界上第一家的氮化鎵（ GaN ）功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片，其中 GaN 驅(qū)動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成，并全部采用 650V GaN 工藝，從而實現(xiàn)許多軟開關拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
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          • 關鍵字：
                        NAVITAS  NV6115  NV6117  GAN                          
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          600v氮化鎵（gan）功率器件介紹
          
      			
          
		      	
          
		      			      			      	您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條600v氮化鎵（gan）功率器件!
           
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