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65納米
65納米 文章 進(jìn)入65納米技術(shù)社區(qū)
中芯國(guó)際和Virage Logic拓展伙伴關(guān)系至65納米低漏電工藝
- 備受半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)信賴的 IP 供應(yīng)商 Virage Logic 公司和中國(guó)最先進(jìn)的半導(dǎo)體制造商中芯國(guó)際集成電路有限公司(中芯國(guó)際)日前宣布其長(zhǎng)期合作伙伴關(guān)系擴(kuò)展到包括65納米(nanometer)的低漏電(low-leakage)工藝技術(shù)。根據(jù)協(xié)議條款，系統(tǒng)級(jí)芯片(SoC)設(shè)計(jì)人員將能夠使用 Virage Logic 開(kāi)發(fā)的，基于中芯國(guó)際65納米低漏電工藝的 SiWare(TM) 存儲(chǔ)器編譯器，SiWare(TM) 邏輯庫(kù)，SiPro(TM) MIPI 硅知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP) 和 Intelli(TM)
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中芯國(guó)際攜手Synopsys拓展65納米低漏電工藝技術(shù)
- Synopsys 5月19日宣布開(kāi)始提供用于中芯國(guó)際65納米低漏電工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗(yàn)證的和獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。在65nm技術(shù)日漸成為先進(jìn)IC產(chǎn)品市場(chǎng)主導(dǎo)的今天，中芯的這一舉措有助于其進(jìn)一步拓展65nm產(chǎn)品線，快速量產(chǎn)65納米低漏電工藝，加快客戶的產(chǎn)品上市時(shí)間。 DesignWare USB 2.0 nanoPHY IP專(zhuān)為各種高市場(chǎng)容量移動(dòng)和消費(fèi)電子應(yīng)用而設(shè)計(jì)的，這些應(yīng)用的關(guān)鍵要求包括要實(shí)現(xiàn)面積最小、低動(dòng)態(tài)和泄
- 關(guān)鍵字： 中芯國(guó)際 65納米 低漏電
新思科技與中芯國(guó)際推出DesignWare USB 2.0 nanoPHY
- 全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造軟件和知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)先企業(yè)新思科技有限公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商中芯國(guó)際集成電路有限公司今天宣布開(kāi)始提供用于中芯國(guó)際65納米(nanometer)低漏電(Low Leakage)工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗(yàn)證的和獲得USB標(biāo)志認(rèn)證的DesignWare® USB 2.0 nanoPHY知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)。作為一家提供包括控制器、PHY和驗(yàn)證IP等USB2.0接口完整IP解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，新思科技繼續(xù)致力于通過(guò)提供高品質(zhì)IP助力設(shè)計(jì)人員降低集成風(fēng)險(xiǎn)，這些IP具備了驗(yàn)證過(guò)的互操作性，
- 關(guān)鍵字： Synopsys IP 65納米 DesignWare
新思科技與中芯國(guó)際合作推出 DesignWareUSB 2.0 nanoPHY
- 全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造軟件和知識(shí)產(chǎn)權(quán)領(lǐng)先企業(yè)新思科技有限公司和全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商中芯國(guó)際集成電路有限公司今天宣布開(kāi)始提供用于中芯國(guó)際65納米 (nanoMEter) 低漏電 (Low-Leakage)工藝技術(shù)的新思科技經(jīng)硅驗(yàn)證的和獲得 USB 標(biāo)志認(rèn)證的DesignWare(R) USB 2.0 nanoPHY知識(shí)產(chǎn)權(quán) (IP)。作為一家提供包括控制器、PHY 和驗(yàn)證 IP 等 USB2.0接口完整 IP 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商，新思科技繼續(xù)致力于通過(guò)提供高品質(zhì)IP助力設(shè)計(jì)人員降低集成風(fēng)險(xiǎn)，這些 IP
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聯(lián)電65奈米以下比重大躍進(jìn) 2Q將達(dá)25%
- 聯(lián)電在先進(jìn)制程有所進(jìn)展!聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉表示，該公司在40奈米良率持續(xù)提升，28奈米后閘極(HK/MG)技術(shù)也將于2010年底達(dá)到 IP試制能力，20奈米也于2010年初與客戶合作進(jìn)行規(guī)畫(huà)。孫世偉看好65奈米以下先進(jìn)制程技術(shù)發(fā)展，估計(jì)第2季65奈米以下制程比重將往25%靠近，年底前可望進(jìn)一步躍升到30~40%。 聯(lián)電第1季65奈米以下制程技術(shù)比重約18%，較2009年第4季上升1個(gè)百分點(diǎn)。預(yù)期第2季可望顯著攀高，將逼近25%。聯(lián)電執(zhí)行長(zhǎng)孫世偉預(yù)期，下半年65奈米以下制程技術(shù)比重可望進(jìn)一步達(dá)30~
- 關(guān)鍵字： 聯(lián)電 65納米 邏輯電路
聯(lián)電為提高先進(jìn)制程購(gòu)買(mǎi)設(shè)備
- 編者點(diǎn)評(píng)：Globalfoundries的崛起打亂了全球代工被雙雄獨(dú)霸的局面。實(shí)際上Globalfoundries兼并特許之后, 按Gartner4月的最新數(shù)據(jù),09年全球代工排名中, 臺(tái)積電90億美元, 聯(lián)電居第二為27億, 特許的15億及Globalfoundries的11億美元, 所以新Globalfoundries總營(yíng)收(把特許的計(jì)在內(nèi))己達(dá)26億美元 , 十分逼近聯(lián)電的27億美元。因此首先反映強(qiáng)烈的肯定是聯(lián)電, 所以其加強(qiáng)投資及擴(kuò)大先進(jìn)制程的市場(chǎng)份額是必為。然而分析Globalfoundri
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臺(tái)灣聯(lián)電第一季凈利潤(rùn)1.1億美元 實(shí)現(xiàn)同比扭虧
- 據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道，臺(tái)聯(lián)電(UMC)日前發(fā)布了2010年第一季度業(yè)績(jī)報(bào)告。 在今年第一季度中，臺(tái)聯(lián)電實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)34.8億元新臺(tái)幣，約合1.1億美元。去年同期聯(lián)電虧損81.6億新臺(tái)幣，而在09年第四季度，公司凈利潤(rùn)為44億新臺(tái)幣。 湯森路透調(diào)查的分析師此前普遍認(rèn)為，臺(tái)聯(lián)電第一季度有望實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)35.8億元新臺(tái)幣。 公司第一季運(yùn)營(yíng)利潤(rùn)率為12.7%。這一水平低于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手臺(tái)積電同期的37%。臺(tái)積電大力推行其更為先進(jìn)的40與65納米工藝技術(shù)，這部分產(chǎn)品帶來(lái)的銷(xiāo)售收入約占公司總收入的41%。
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臺(tái)積電65納米晶圓變相漲價(jià)
- 臺(tái)積電近期與客戶洽談下半年代工價(jià)格，占營(yíng)收最大宗的65納米，因產(chǎn)能持續(xù)短缺，原本下季應(yīng)該降價(jià)5%，但現(xiàn)在取消，形同變相漲價(jià)。分析師認(rèn)為，65納米變相漲價(jià)，將導(dǎo)致臺(tái)積電營(yíng)收隨之攀升。 臺(tái)積電昨日表示，下半年代工價(jià)格，都是與客戶長(zhǎng)期議定的價(jià)格，不會(huì)因?yàn)槎唐诰皻狻㈦S市場(chǎng)變化而改變。昨天收盤(pán)價(jià)62.6元，下跌0.4元，在大盤(pán)重挫下，相對(duì)抗跌。 晶圓代工廠第二季以來(lái)，陸續(xù)與IC設(shè)計(jì)客戶追認(rèn)下半年訂單，掌握營(yíng)運(yùn)能見(jiàn)度。據(jù)了解，臺(tái)積電、聯(lián)電通常會(huì)提前兩季，與長(zhǎng)期合作、量大客戶敲定兩季以上的價(jià)格。
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臺(tái)積電65納米晶圓變相漲價(jià)
- 4月20日早間消息，臺(tái)積電近期與客戶洽談下半年代工價(jià)格，占營(yíng)收最大宗的65納米，因產(chǎn)能持續(xù)短缺，原本下季應(yīng)該降價(jià)5%，但現(xiàn)在取消，形同變相漲價(jià)。分析師認(rèn)為，65納米變相漲價(jià)，將導(dǎo)致臺(tái)積電營(yíng)收隨之攀升。 臺(tái)積電昨日表示，下半年代工價(jià)格，都是與客戶長(zhǎng)期議定的價(jià)格，不會(huì)因?yàn)槎唐诰皻狻㈦S市場(chǎng)變化而改變。昨天收盤(pán)價(jià)62.6元，下跌0.4元，在大盤(pán)重挫下，相對(duì)抗跌。 晶圓代工廠第二季以來(lái)，陸續(xù)與IC設(shè)計(jì)客戶追認(rèn)下半年訂單，掌握營(yíng)運(yùn)能見(jiàn)度。據(jù)了解，臺(tái)積電、聯(lián)電通常會(huì)提前兩季，與長(zhǎng)期合作、量大客戶敲定兩季
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 晶圓代工 65納米
TSMC推出先進(jìn)工藝之互通式電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化格式
- TSMC7日宣布針對(duì)65納米、40納米及28納米工藝推出已統(tǒng)合且可交互操作的多項(xiàng)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設(shè)計(jì)相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設(shè)計(jì)套件(iPDK)、工藝設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對(duì)比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。 iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術(shù)系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的互通項(xiàng)目下通過(guò)驗(yàn)證，也是TSMC「開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)」之一部份。
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 EDA 65納米 40納米 28納米
TSMC推出65納米、40納米與28納米之互通式電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化格式
- TSMC 7日宣布針對(duì)65納米、40納米及28納米工藝推出已統(tǒng)合且可交互操作的多項(xiàng)電子設(shè)計(jì)自動(dòng)化(Electronic Design Automation; EDA) 技術(shù)檔案。這些與設(shè)計(jì)相關(guān)的技術(shù)檔案套裝包括可互通的工藝設(shè)計(jì)套件(iPDK)、工藝設(shè)計(jì)規(guī)則檢查(iDRC)、集成電路布局與電路圖對(duì)比 (iLVS)，及工藝電容電阻抽取模組 (iRCX)。 iPDK、iDRC、iLVS，及iRCX技術(shù)系由TSMC與EDA合作伙伴一同在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的互通項(xiàng)目下通過(guò)驗(yàn)證，也是TSMC「開(kāi)放創(chuàng)新平臺(tái)」之一部份
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英特爾大連芯片廠今年10月正式投產(chǎn)
- 昨日上午，英特爾大連芯片廠總經(jīng)理柯必杰在接受CNET科技資訊采訪時(shí)指出，“英特爾大連芯片廠將于今年10月份正式投產(chǎn)，目前各方面已基本就緒。” 柯必杰告訴CNET科技資訊網(wǎng)，“我們現(xiàn)在最大挑戰(zhàn)是確保10月份正式投產(chǎn)。目前我們各方面正在向這個(gè)目標(biāo)努力。” 2007年3月26日，英特爾宣布投資25億美元在中國(guó)大連設(shè)立芯片廠。2007年9月8日，英特爾大連芯片廠奠基并開(kāi)土動(dòng)工。 2009年3月份，英特爾大連芯片廠遷入主體功能大樓
- 關(guān)鍵字： 英特爾 32納米 65納米
中芯國(guó)際寧先捷：65納米技術(shù)國(guó)際領(lǐng)先
- 寧先捷創(chuàng)業(yè)感言：在半導(dǎo)體芯片行業(yè)，國(guó)內(nèi)企業(yè)與國(guó)際廠商最大的差距還是人才儲(chǔ)備，比培養(yǎng)人才更難的是留住人才。北京市以及開(kāi)發(fā)區(qū)對(duì)人才的重視解除了高科技企業(yè)的后顧之憂，對(duì)于歸國(guó)的海外學(xué)人來(lái)說(shuō)，最重要的就是感到受重視。 虎年春節(jié)，寧先捷終于和家人一起過(guò)了年。身為中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司技術(shù)開(kāi)發(fā)中心負(fù)責(zé)人，他此前三個(gè)春節(jié)幾乎都是在車(chē)間里度過(guò)的。是什么讓中芯國(guó)際從海外請(qǐng)來(lái)的這位技術(shù)大腕以廠為家，即使過(guò)年也要堅(jiān)守崗位? 寧先捷和他的研發(fā)團(tuán)隊(duì)歷經(jīng)三個(gè)寒暑，終于使中芯國(guó)際的65納米半導(dǎo)體產(chǎn)品達(dá)到國(guó)
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英特爾大連12寸晶圓廠10月投產(chǎn)
- 據(jù)中國(guó)臺(tái)灣媒體報(bào)道，英特爾中國(guó)區(qū)董事總經(jīng)理戈峻近日稱，英特爾大連12寸晶圓廠將于10月投產(chǎn)，采用65納米制程切入，生產(chǎn)芯片組產(chǎn)品。 臺(tái)積電、日月光、硅統(tǒng)等臺(tái)系廠商將面臨挑戰(zhàn)，友尚等英特爾產(chǎn)品重要伙伴，則可望與英特爾合作擴(kuò)大搶進(jìn)大陸內(nèi)需商機(jī)，成為受惠一族。大陸半導(dǎo)體年度盛會(huì) “SEMICONChina”正在上海舉行，戈峻代表英特爾中國(guó)區(qū)出席會(huì)場(chǎng)。戈峻宣布大連廠10月開(kāi)始投產(chǎn)，是英特爾在全球第八個(gè)、亞洲第一個(gè)12寸晶圓廠。 分析人士稱，大陸半導(dǎo)體內(nèi)需市場(chǎng)需求強(qiáng)勁，但內(nèi)地
- 關(guān)鍵字： 英特爾 65納米 晶圓
代工-半導(dǎo)體市場(chǎng)晴雨表
- 隨著半導(dǎo)體分工的細(xì)化，F(xiàn)oundry領(lǐng)域已經(jīng)成為全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中不可缺少的一環(huán)，對(duì)于全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的健全帶來(lái)正面的影響，其重要性將會(huì)與日俱增，我們就以Foundry的領(lǐng)導(dǎo)者臺(tái)積電(TSMC)的觀點(diǎn)作為本次展望的總結(jié)。 臺(tái)積電(中國(guó))有限公司總經(jīng)理陳家湘認(rèn)為，F(xiàn)oundry領(lǐng)域未來(lái)的挑戰(zhàn)包括如何繼續(xù)成長(zhǎng)以及如何保持獲利，需要積極把握進(jìn)入新的集成電路應(yīng)用市場(chǎng)的機(jī)會(huì)，此外，要能提供更多樣的制程技術(shù)，進(jìn)入其它尚未使用專(zhuān)業(yè)集成電路制造服務(wù)的半導(dǎo)體市場(chǎng)，也就是說(shuō)，除了互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體邏輯制程之外，F(xiàn)oun
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 模擬集成電路 65納米
65納米介紹
從1965年Intel公司的Moore提出著名的摩爾定律到今年4月,正好是40年。40年來(lái),半導(dǎo)體器件的發(fā)展歷程一直遵循著這一定律。進(jìn)入2005年,IBM、德國(guó)英飛凌、韓國(guó)三星和新加坡特許半導(dǎo)體公司聯(lián)合的團(tuán)隊(duì)以及美國(guó)德州儀器公司等廠商,都推出了65納米工藝制作的半導(dǎo)體集成電路樣品。我國(guó)臺(tái)灣省的臺(tái)積電也將在2005年年底批量生產(chǎn)65納米器件。
與上一代的90納米工藝相比,65納米工藝可以使 [ 查看詳細(xì) ]
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