65納米文章進(jìn)入65納米技術(shù)社區(qū)

任重而道遠(yuǎn)：中芯國際將力爭在今年實(shí)現(xiàn)45納米小批量試產(chǎn)

　　據(jù)中芯國際集成電路制造有限公司資深研發(fā)副總季明華撰文披露，2010年，中芯國際將加強(qiáng)65納米的嵌入式工藝平臺和32納米關(guān)鍵模塊的研發(fā);同時力爭實(shí) 現(xiàn)45納米和40納米技術(shù)的小批量試產(chǎn)。　　在第四屆(2009年度)中國半導(dǎo)體創(chuàng)新產(chǎn)品和技術(shù)評選中，中芯國際有兩項(xiàng)技術(shù)獲獎，其一是 “65納米邏輯集成電路制造工藝技術(shù)”，其二是“0.11微米CMOS圖像傳感器工藝技術(shù)”。　　據(jù)介紹，目前，中芯國際已經(jīng)完成了65納米CMOS技術(shù)的認(rèn)證，并于2009年第三季度
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泰景信息科技推出第三代模擬移動電視接收芯片

　　日前，移動電視接收芯片提供商泰景信息科技宣布，該公司研發(fā)出的第三代模擬移動電視接收CMOS單芯片TLG1121 是泰景第一款基于65納米工藝的產(chǎn)品，較其上一代產(chǎn)品功耗更低、體積更小。憑借該款產(chǎn)品，泰景信息科技將繼續(xù)把創(chuàng)新和領(lǐng)先技術(shù)源源不斷地注入移動電視市場。　　泰景信息科技總裁兼首席執(zhí)行官盛偉表示：“在鞏固畫面和移動性能的同時，泰景信息科技的第三代模擬移動電視技術(shù)實(shí)現(xiàn)了體積及功耗方面的技術(shù)突破。TLG1121將賦予下一代移動電視設(shè)備更長的播放時間和更多的創(chuàng)新設(shè)計(jì)，能夠滿足消費(fèi)者在靜止和
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英特爾大連廠十月投產(chǎn) 65納米工藝生產(chǎn)芯片組

　　英特爾近日宣布，其大連芯片廠將在2010年10月份如期投產(chǎn)。大連芯片廠將采用65納米工藝生產(chǎn)300毫米芯片組。　　2007年3月，英特爾宣布投資25億美元在大連建立一個生產(chǎn)300毫米的晶圓廠。　　當(dāng)時，英特爾總裁兼CEO保羅·歐德寧表示，“英特爾大連廠是英特爾15年來第一次在全新的地點(diǎn)興建晶圓廠。在根植中國的22年中，英特爾在封裝測試和研發(fā)等領(lǐng)域在中國的投資已經(jīng)累計(jì)超過13億美元。此次新投資將使我們在中國的投資總額達(dá)到了40億美元，從而使英特爾稱為中國投資額最大的跨國
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晶圓雙雄再掀12寸廠投資潮　業(yè)界擔(dān)憂恐造成產(chǎn)能過剩

　　繼臺積電提高2010年資本支出達(dá)48億美元，晶圓專工大廠聯(lián)電3日亦宣布，提高2010年資本支出達(dá)12億~15億美元，其中約有94%將用于擴(kuò)充12寸先進(jìn)制程產(chǎn)能。聯(lián)電執(zhí)行長孫世偉表示，聯(lián)電65納米成長會非常迅速，45/40納米世代占營收比重將增加，同時良率已很穩(wěn)健。值得注意的是，臺積電、聯(lián)電紛上看2010年晶圓代工產(chǎn)業(yè)將成長3成，樂觀預(yù)期公司可望同步跟著成長，并加碼資本支出，透露在兩大龍頭廠帶領(lǐng)下，將再度掀起12寸廠投資熱潮。　　孫世偉表示，對于2010年展望非常樂觀，預(yù)估半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)可望成長13~1
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晶圓代工廠：擴(kuò)大資本支出積極擴(kuò)充產(chǎn)能

　　市場對65納米、40納米先進(jìn)制程技術(shù)的需求不斷看漲，全球前三大晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電、特許紛紛在2010年擴(kuò)大資本支出，并在第一季度同步擴(kuò)充產(chǎn)能。　　三大代工積極擴(kuò)充產(chǎn)能　　臺積電2009年向設(shè)備商訂購的機(jī)器總額已超過30億美元，預(yù)計(jì)臺積電2010年資本支出最高將達(dá)40億美元，創(chuàng)5年來最高。事實(shí)上，臺積電2009年曾三度調(diào)高資本支出，從年初的13億美元一路調(diào)高到27億美元，調(diào)幅超過一倍。臺積電還將擴(kuò)大新竹12英寸廠第五期、南科12英寸廠第三期產(chǎn)能，擴(kuò)充后月產(chǎn)
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晶圓代工廠：擴(kuò)大先進(jìn)制程資本支出

　　隨著市場對65納米、40納米先進(jìn)制程技術(shù)的需求不斷看漲，全球前三大晶圓代工廠臺積電、聯(lián)電、特許紛紛在2010年擴(kuò)大資本支出，并在第一季度同步擴(kuò)充產(chǎn)能。　　三大代工積極擴(kuò)充產(chǎn)能　　臺積電2009年向設(shè)備商訂購的機(jī)器總額已超過30億美元，預(yù)計(jì)臺積電2010年資本支出最高將達(dá)40億美元，創(chuàng)5年來最高。事實(shí)上，臺積電2009年曾三度調(diào)高資本支出，從年初的13億美元一路調(diào)高到27億美元，調(diào)幅超過一倍。臺積電還將擴(kuò)大新竹12英寸廠第五期、南科12英寸廠第三期產(chǎn)能，擴(kuò)充后月產(chǎn)能將達(dá)20萬片。　　聯(lián)電預(yù)計(jì)
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SEMI：中國半導(dǎo)體產(chǎn)出在未來十年內(nèi)將翻倍

　　按SEMI近期的研究報(bào)告指出，中國力圖收窄IC在消耗及產(chǎn)出之間的鴻溝，預(yù)計(jì)在未來的十年內(nèi)中國的半導(dǎo)體設(shè)備與材料市場將增加一倍。　　由假設(shè)的鴻溝數(shù)字出發(fā)，由于中央與地方政府都相應(yīng)出臺了鼓勵政策，促進(jìn)在未來十年中設(shè)備及材料的采購會大幅增加。　　除此之外，隨著中國的芯片制造與封裝測試設(shè)備的大量進(jìn)口也大大促進(jìn)了中國研發(fā)和工藝技術(shù)人材的需求迅速增加。　　自1997年中國半導(dǎo)體市場超過美國與日本之后，中國的政策制訂者開始極力強(qiáng)調(diào)要縮小供需之間的鴻溝。在2008年中國消費(fèi)了全球芯片的1/4，但是國內(nèi)產(chǎn)出
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臺積電協(xié)助巨積降低下一世代產(chǎn)品25%的漏電功耗

　　TSMC6日宣布，客戶美商巨積公司(LSI Corporation)使用TSMC65納米低功耗工藝的降低功耗(PowerTrim)技術(shù)，有效減少下一世代產(chǎn)品的總漏電耗能達(dá)百分之二十五以上。　　TSMC這項(xiàng)降低功耗的技術(shù)與服務(wù)獲得Tela Innovations公司獨(dú)家專利授權(quán)，是將設(shè)計(jì)技術(shù)與先進(jìn)半導(dǎo)體工藝巧妙整和的創(chuàng)新技術(shù)，能有效降低每個產(chǎn)品的漏電耗能。　　降低功耗軟件(PowerTrim Software)分析巨積公司的設(shè)計(jì)，并些微增加對時序較不敏感的路徑上的閘極長度，以代替本來的元件。而閘
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臺積電與清華大學(xué)合作65/90納米制程晶圓共乘

　　臺積電繼宣布明年調(diào)薪15%，強(qiáng)化人才誘因， 23日又宣布與北京清華大學(xué)合作，共同邀請?jiān)诎雽?dǎo)體領(lǐng)域表現(xiàn)杰出的清大校友，在2010年舉辦一系列半導(dǎo)體創(chuàng)新人才演講及座談會，并提供清大先進(jìn)65納米與90納米制程晶圓共乘服務(wù)，協(xié)助系統(tǒng)單芯片等技術(shù)的創(chuàng)新開發(fā)。　　臺積電表示，將與清大共同邀請?jiān)诎雽?dǎo)體領(lǐng)域占有一席之地的重要領(lǐng)導(dǎo)人物，每季 2位返校分享全球及中國半導(dǎo)體業(yè)發(fā)展趨勢、前瞻技術(shù)概況、當(dāng)前市場競爭樣貌及個人創(chuàng)業(yè)歷程，為學(xué)界和產(chǎn)業(yè)界搭起雙向溝通橋梁，以承先啟后，同時對學(xué)校研究項(xiàng)目提出產(chǎn)業(yè)界建議。　　這項(xiàng)
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中國龍芯3處理器首次采用65nm技術(shù)

　　龍芯3在新思科技(EDA集團(tuán)美國新思科技公司)的幫助下，已經(jīng)將設(shè)計(jì)移植到65納米制程。龍芯科技有限公司是中國中科院投資組建，該公司的龍芯3多核心處理器是與新思科技合作設(shè)計(jì)，首次采用65納米技術(shù)。　　新思科技提供了重要的設(shè)計(jì)工具幫助，但是并沒有涉及到流片的相關(guān)信息，龍芯3可能會選擇四核心或八核心65納米工藝進(jìn)行流片實(shí)施。　　龍芯3的單核心運(yùn)行頻率計(jì)劃為 1G到1.2G左右，四核心龍芯3的功耗計(jì)劃控制在10W以下。　　龍芯采用 MIPS指令，已經(jīng)于2009年取得MIPS授權(quán)，可以將采用MIPS
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張汝京在紅藍(lán)兩色中搖晃：是非功過向上帝交賬

　　張汝京微佝僂著背走進(jìn)中芯花園的服務(wù)中心，大大的腦袋扛在肩膀上，和5年前我們第一次采訪他時相比，歲月的痕跡毫不留情地出現(xiàn)在他身上，按照他自己的話來說，“這幾年折舊很快”——這當(dāng)然不止是指中芯國際晶圓廠的設(shè)備折舊。　　過去17個季度中，中芯國際就有16個季度出現(xiàn)虧損，這很大程度上是因?yàn)槊磕旮哌_(dá)8億美元的折舊，折舊占到他們銷售額的50%左右，早年一度還超過60%。　　也正是因?yàn)檫@樣長達(dá)4年的虧損，張汝京常常被股東質(zhì)疑。11月4日中芯國際敗訴停盤，11月
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臺積電勝訴中芯或被罰10億美元

　　一對老冤家——臺積電與中芯國際，再次在法庭上打了起來。臺積電先勝一輪。　　臺積電的委托律師杰弗里•查寧表示，美國加州法院周二裁定中芯違反了2005年和解協(xié)議條款，因盜竊、使用商業(yè)秘密將面臨處罰。并強(qiáng)調(diào)，處罰額度或超10億美元。　　這一數(shù)字超過了中芯年度總營收，顯然難以承受，它不太可能妥協(xié)行事。昨天，中芯上海總部官方對CBN強(qiáng)調(diào)，中芯對美國加州法院的判決表示“遺憾”，但訴訟尚未最終結(jié)束，中芯仍會繼續(xù)捍衛(wèi)公司和股東的權(quán)益，并考慮繼續(xù)上訴等行
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英飛凌攜手臺積電開發(fā)65納米嵌入式閃存工藝

　　英飛凌科技股份公司與臺灣積體電路制造股份有限公司今日共同宣布，雙方將在研發(fā)和生產(chǎn)領(lǐng)域擴(kuò)大合作，攜手開發(fā)面向下一代汽車、芯片卡和安全應(yīng)用的65納米(nm)嵌入式閃存(eFlash)制造工藝。根據(jù)該項(xiàng)協(xié)議，英飛凌與臺積電將攜手開發(fā)65納米工藝技術(shù)，用于生產(chǎn)符合汽車行業(yè)嚴(yán)格的質(zhì)量要求及芯片卡和安全行業(yè)苛刻的安全要求的嵌入式閃存微控制器(MCU)。　　與TSMC擴(kuò)大合作符合英飛凌制造外包及通過合作大力開發(fā)65納米以下工藝的戰(zhàn)略。對于汽車應(yīng)用而言，65納米嵌入式閃存工藝可確保最高的功能集成度，實(shí)現(xiàn)即將出臺的
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中芯國際與Cadence共推65納米低功耗解決方案

　　電子設(shè)計(jì)企業(yè)Cadence設(shè)計(jì)系統(tǒng)公司今天宣布推出一款全面的低功耗設(shè)計(jì)流程，面向基于中芯國際65納米工藝的設(shè)計(jì)工程師。該流程以Cadence低功耗解決方案為基礎(chǔ)，通過使用一個單一、全面的設(shè)計(jì)平臺，可以更加快速地實(shí)現(xiàn)尖端、低功耗半導(dǎo)體產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。　　“目前，功耗已成為一個關(guān)鍵的設(shè)計(jì)制約因素，從技術(shù)和成本的角度來說，它同時序和面積一樣重要”，SMIC設(shè)計(jì)服務(wù)中心副總裁劉明剛表示，“SMIC-Cadence Reference Flow 4.0具有先進(jìn)的自動化低功耗設(shè)
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賽普拉斯推出業(yè)界首款65納米144-Mbit SRAM

　　SRAM行業(yè)的領(lǐng)先者賽普拉斯半導(dǎo)體公司日前推出了業(yè)界首款單片具有144-Mbit密度的SRAM，該產(chǎn)品成為其65納米SRAM產(chǎn)品系列中的最新成員。新的144-Mbit QDRII, QDRII+, DDRII 和 DDRII+存儲器采用65納米工藝技術(shù)，由臺灣聯(lián)華電子(UMC)的芯片工廠代工生產(chǎn)。該產(chǎn)品擁有市場上最快的時鐘，速率可達(dá)550MHz，在36-bit I/O寬度的QDRII+器件中，整體數(shù)據(jù)率達(dá)到80 Gbps，并且其功耗只有采用90納米工藝的SRAM器件的一半。這些產(chǎn)品是諸如互聯(lián)網(wǎng)核心與邊
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65納米介紹

　　從1965年Intel公司的Moore提出著名的摩爾定律到今年4月,正好是40年。40年來,半導(dǎo)體器件的發(fā)展歷程一直遵循著這一定律。進(jìn)入2005年,IBM、德國英飛凌、韓國三星和新加坡特許半導(dǎo)體公司聯(lián)合的團(tuán)隊(duì)以及美國德州儀器公司等廠商,都推出了65納米工藝制作的半導(dǎo)體集成電路樣品。我國臺灣省的臺積電也將在2005年年底批量生產(chǎn)65納米器件。　　與上一代的90納米工藝相比,65納米工藝可以使 [ 查看詳細(xì) ]

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