Altera公司今天發(fā)布宣布，第一季度銷售額達到4.023億美元，比2009年第四季度增長10%，比2009年第一季度增長52%。新產品銷售持續(xù)增長29%。今年第一季度凈收入達到1.532億美元，每股攤薄后收益為0.5美元，而2009年第四季度凈收入為1.03億美元，每股攤薄后收益0.34美元，2009年第一季度凈收入為0.44億美元，每股攤薄后收益0.15美元。
運營現(xiàn)金流為1.327億美元。Altera本季度末流動資金和短期投入達到17億美元。
Altera董事會宣布，每股0.05美元
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Altera FPGA 65nm 40nm
SRAM行業(yè)的領導者賽普拉斯，與領先的核心數(shù)據(jù)傳輸及交換功能IC的供應商TPACK日前聯(lián)合宣布，為超高速以太網(wǎng)交換和排隊管理應用推出一款參考設計。全新的Springbank參考設計結合了TPACK的 TPX4004高容量集成包處理器和流量管理器，以及賽普拉斯的CY7C15632KV18 72-Mbit Quad Data Rate™II+ (QDR™II+)SRAM，從而能提供最快的速度，并且未來升級非常簡單。TPACK參考設計還提供對各類FPGA的便捷接口，擁有強大的應用支持
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Cypress SRAM 65nm
恒憶(Numonyx)今天宣布推出業(yè)界首款 65nm 多路輸入輸出串行閃存系列產品，從而進一步擴大了恒憶為滿足嵌入式市場嚴格的代碼和數(shù)據(jù)存儲可靠性要求而設計的強大的存儲器產品陣容。新的 Numonyx® Forté™ N25Q 系列串行閃存可為當今電腦、機頂盒和通信設備上的主流嵌入式應用提供最高的讀寫性能、設計靈活性和應用可靠性。
Numonyx Forté N25Q系列是不斷擴大的 Forté 串行外設接口(SPI)閃存產品家族
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Numonyx 65nm 存儲器 串行閃存
Intel公司宣布，位于我國大連市的“Fab 68”晶圓廠將于今年10月份正式投入生產。
Fab 68工廠將使用65nm工藝制造芯片組產品，這也是Intel能在中國使用的最先進的半導體工藝，但是Intel暫時沒有在中國制造處理器的計劃。
該工廠總經理柯必杰表示：“芯片組分為兩類，一類用在處理器中，一類是用于支持鼠標等電腦設備的中間件。今明兩年，65nm工藝的芯片組仍然是中間件的主流產品，需求量很大。”
Intel大連芯片廠于2008年年
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Intel 晶圓 65nm
目前IC設計中，軟件工作量越來越大(圖1)，在65nm設計成本統(tǒng)計中，軟件已占50%，驗證占30%，其他還有樣機、確認(Validation)、物理、架構。隨著工藝節(jié)點向45nm、32nm、22nm發(fā)展，軟件的比例將超過50%，同時驗證工作量將維持30%左右?？梢姡捎谲浖脑鲩L將使軟硬件協(xié)同仿真成為一個重要環(huán)節(jié)。當前，CPU、圖形、無線、DTV/STB、數(shù)碼相機/攝像機、多功能打印機等芯片需要軟硬件協(xié)同仿真。
在Gary Smith EDA公司《2009年RTL市場趨勢分析報告》中指出，E
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IC設計 EDA 65nm 201001
EDA工具加速IC測試
隨著IC制程節(jié)點從90nm向65nm和45nm延伸，需要測試的數(shù)據(jù)量會激增，相應地會帶來測試成本的提高(圖1)。例如，從90nm到65nm時，由于增加了門數(shù)，傳統(tǒng)的測試量急劇增加;同時，在速(at-speed)測試也成倍增加，這是由于時序和信號完整性的敏感需求;到了45nm時代，在前兩者的基礎上，又增加了探測新缺陷的測試。
為了提高測試效率，對測試數(shù)據(jù)的壓縮持續(xù)增長。據(jù)ITRS(國際半導體技術發(fā)展路線圖)預測(圖2)，2010年的壓縮需求比2009年翻番。
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EDA IC測試 65nm 45nm 201001
一月初，Intel發(fā)布了最新一代H55、H57主板芯片組，H55、H57是P55的整合平臺版本，從這一代開始，圖形顯示核心實際上已經從主板芯片轉 移到CPU內部。
Intel5系列主板芯片組仍然采用65nm工藝制程，到6系列芯片組發(fā)布才會采用45nm工藝。
Intel6系列主板芯片組將升級DMI總線到2.0版本，大概在第二季度X68主板芯片組就將問世，它仍然采用雙芯片設計，搭載ICH11南橋。
一直到2011年的P65、H65以及Q65我們才有可能看到Intel導入USB3.0、SA
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Intel USB3.0 65nm
據(jù)臺積電公司高級副總裁劉德音最近在一次公司會議上表示，臺積電40nm制程工藝的良率已經提升至與現(xiàn)有65nm制程相同的水平，他并表示公司已經完美解決了先前造成40nm制程良率不佳的工藝腔匹配(Chamber matching)問題.
臺積電19日舉辦了一場慶祝Phase5新廠房完工的慶典儀式，這間廠房隸屬于新竹科技園區(qū)的臺積電Fab12工廠.據(jù)悉新完工的Phase5廠房將于今年第三季度起開始批量投產28nm制程產品。
另據(jù)劉德音表示，臺積電正在計劃興建Fab12 Phas
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臺積電 40nm 65nm
爾必達公司近日宣布完成了基于其新65nm XS(extra-shink)制程1Gb DDR3內存芯片產品的開發(fā)工作，并稱使用這種新制程技術制作出的內存芯片在制作成本方面要比現(xiàn)有的50nm制程內存芯片更低。當應用在300mm尺寸晶 圓上時，這種65nm XS制程相比其前代65nm S(shrink)制程(08年開發(fā)完成)的產出量能提升25%。新的65nm XS制程除了可以進一步縮小芯片的尺寸之外，還可以顯著減小廠方在制造設備上的費用投資。
這種65nm XS制程技術的1Gb DDR3內存芯片面向的
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爾必達 65nm DDR3
據(jù)美國新思科技公司透露，在其幫助下，中國國產CPU龍芯已經轉向65nm生產制程。中國院主導的龍芯已經成功生產出首款65nm多核“龍芯3”處理器。
在生產過程中，美國新思科公司提供了電子設計自動化工具，但沒有透露更多細節(jié)，也無法確定龍芯是否已經具備生產4-8核技術。2007年，中科院與意法半導體達成協(xié)議，由其代產龍芯，而“龍芯3”由誰生產依然成謎。
根據(jù)計劃，龍芯3號于2009年生產，中國希望在2010年在此基礎上生產出千萬億次的計算機。采用6
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龍芯 CPU 65nm MIPS32 MIPS64
產業(yè)進入了季節(jié)性調整?還是可怕的二次觸底?iSuppli最近的分析顯示，純代工廠商的業(yè)績再度放緩，同時還受到價格壓力。
純代工廠商在通訊產品和電腦產品(除了上網(wǎng)本)領域遇到了季節(jié)性需求放緩。
代工廠商稱在先進節(jié)點上遇到了價格下行壓力，如65nm。然而，成熟工藝的價格保持穩(wěn)定，如0.18微米。
iSuppli預計第四季度全球代工市場收入較第三季度增長6%，第四季度代工廠商的產能利用率上升至83%，而第一季度僅為72%。
第四季度全球純代工市場收入為56億美元，與去年同期相比增長5
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半導體 65nm 代工
中芯國際日前宣布，與臺積電簽訂和解協(xié)議，將向臺積電分期四年支付2億美元現(xiàn)金，同時向臺積電發(fā)行新股及授予認股權證，交易完成后臺積電將持有中芯國際10%股份。
根據(jù)和解協(xié)議，雙方將解除所有已經或者可能已經訴諸待決訴訟的指控;終止中芯國際根據(jù)前份和解協(xié)議應支付的剩余約4000萬美元付款責任;中芯國際向臺積電支付共2億美元，和解協(xié)議執(zhí)行時先支付1500萬美元現(xiàn)金，剩余將在四年內分期支付，2009年12月31日前須支付1500萬美元，2010年12月31日前支付8000萬美元，2011年到2013年每年1
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中芯國際 90nm 65nm 45nm
中芯國際昨日宣布CEO張汝京離職，王寧國接任。此前中芯國際已連續(xù)十個季度出現(xiàn)虧損，上周在美國被判竊取臺積電商業(yè)機密。
中芯國際董事會昨日宣布委任王寧國為董事會執(zhí)行董事、集團總裁兼CEO，委任即時生效。張汝京由于個人理由辭任集團職務。
中芯國際在提交給香港證交所的聲明中寫道：“董事會宣布，張汝京將不再按照上市規(guī)則擔任公司代表，決議即刻生效。江上舟已經被指定為公司在交易所的代表，決議即刻生效。”
由于將發(fā)布影響股價的相關信息，中芯國際股票自11月4日起停牌至今。
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中芯國際 90nm 65nm 45nm
近日，針對中芯國際因為非法使用臺積電的商業(yè)機密將向臺積電支付10億美元的巨額賠償金，臺積電還要去法院永久禁止中芯國際在美國出售使用相關涉案技術產品。iSuppli的高級分析師顧文軍表示，中國企業(yè)在遇到這種知識產權糾紛的官司時，不要采取鴕鳥政策或者一味“金錢換和平”，或者不愿付出高昂的律師訴訟等費用而最后被判負，而應該積極應對。
該消息稱美國加利福尼亞州高級法院近日就臺積電與中芯國際之間的商業(yè)機密案作出裁定，中芯國際因違反他們與臺積電先前達成的相關協(xié)議，非法使用了臺積電的商
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中芯國際 90nm 65nm 45nm
Open-Silicon、業(yè)界標準處理器架構與內核領導廠商 MIPS 科技公司和Virage Logic 三家公司共同宣布，已成功開發(fā)一款測試芯片，充分展現(xiàn)出構建高性能處理器系統(tǒng)的業(yè)界領先技術。該處理器測試芯片實現(xiàn)了1.1GHz的頻率速度，成功通過了65nm 芯片測試，使其成為65nm ASIC 中最快的處理器之一。同時，后續(xù)40nm器件的開發(fā)工作也已經開始進行，目標是超過2.5GHz頻率，并提供超過5000 DMIPS的性能。這項開發(fā)計劃采用了Open-Silicon的CoreMAXTM技術，以及超
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MIPS ASIC 測試芯片 65nm 40nm
65nm介紹
半導體制造工藝，指集成電路內電路與電路間的距離。在處理器領域，制造工藝可以看作是處理器核心中每一個晶體管的大小。早期制作工藝采用微米作為單位，隨著近兩年工藝技術的進步，包括處理器、內存、顯卡等芯片的制作工藝已經全面采用更小的納米單位，而65nm工藝是處理器領域中先進的制造工藝。
在生產中一般采用的生產方式是光刻，光刻是在掩模板上進行的，宏觀上講，只要提高掩模板的分辨律就能刻出更多MOS管了， [
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