7納米 文章 進(jìn)入7納米技術(shù)社區(qū)
臺積電準(zhǔn)備為聯(lián)發(fā)科試產(chǎn)7納米12核心處理器？
- 臺積電7納米研發(fā)還在如火如荼進(jìn)行中，不過消息傳出，臺積電已準(zhǔn)備運(yùn)用7納米技術(shù)，為聯(lián)發(fā)科試產(chǎn)12核心處理器。 聯(lián)發(fā)科目前最高端處理器HelioX30采10核心架構(gòu)，但戰(zhàn)力似乎不太夠，聯(lián)發(fā)科共同營運(yùn)長朱尚祖(JeffreyJu)日前曾坦承接單狀況不理想，預(yù)期會采用新處理器的手機(jī)不到十支。 另外，臺積電10納米傳良率不佳，導(dǎo)致聯(lián)發(fā)科出貨延后，這顯然影響到聯(lián)發(fā)科信心，并加速進(jìn)階至7納米的腳步。由于臺積電7納米預(yù)估將在2018年初進(jìn)入量產(chǎn)，這意味著聯(lián)發(fā)科12核心處理器可能在明年上半年問世。 無
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英特爾重啟Fab 42非為擴(kuò)產(chǎn) 或鎖定導(dǎo)入7納米制程用EUV設(shè)備
- 為響應(yīng)川普(Donald Trump)新政，英特爾(Intel)宣布將投入70億美元重啟位于亞歷桑納州的Fab 42晶圓廠。分析師認(rèn)為，英特爾啟用Fab 42的主要目的或許不在于擴(kuò)大產(chǎn)能，而是要引進(jìn)7納米制程所需的極紫外光(EUV)設(shè)備。 根據(jù)EE Times報導(dǎo)，F(xiàn)ab 42啟用后，會將目標(biāo)瞄準(zhǔn)7納米制程，并可望在3~4年內(nèi)創(chuàng)造3,000個高科技、高薪資的工作機(jī)會。盡管英特爾尚未透露將于哪個時間點(diǎn)開始采用EUV微影技術(shù)，IC Insights分析師認(rèn)為，EUV微影將是英特爾7納米成功的關(guān)鍵，因
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遵循摩爾定律 英特爾計劃今年試驗7納米制程
- 英特爾(Intel)此前在遵循摩爾定律(Moore’s Law)的進(jìn)程上稍稍落后，但英特爾仍不打算放棄追尋摩爾定律的發(fā)展腳步。2日財報電話會議上，英特爾宣布正投建一座7納米制程試驗廠房，將借此廠房測試及探索7納米制程技術(shù)量產(chǎn)的可能。這也可望打破部分專家認(rèn)為摩爾定律已告終結(jié)的說法，并讓英特爾加入7納米制程競賽行列。 根據(jù)Computerworld報導(dǎo)，英特爾尚未對外透露何時將開始以7納米制程技術(shù)量產(chǎn)芯片，不過應(yīng)不會在未來2~3年發(fā)生，因目前英特爾10納米芯片仍未正式面市。該試驗廠房產(chǎn)能
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7納米以下技術(shù)候選人：IMEC看好GAA NWFET技術(shù)
- 比利時微電子(IMEC)在2016國際電子元件會議(IEEE International Electron Devices Meeting ; IEDM)中首度提出由硅納米線垂直堆疊的環(huán)繞式閘極(GAA)金屬氧化物半導(dǎo)體場效電晶體(MOSFETs)的CMOS集成電路，其關(guān)鍵技術(shù)在于雙功率金屬閘極，使得n型和p型裝置的臨界電壓得以相等，且針對7納米以下技術(shù)候選人，IMEC看好環(huán)繞式閘極納米線電晶體(GAA NWFET)會雀屏中選。 比利時微電子研究中心與全球許多半導(dǎo)體大廠、系統(tǒng)大廠均為先進(jìn)制程和創(chuàng)
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GF：7納米將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長壽的制程世代
- GlobalFoundries收購IBM資產(chǎn)后，雙方技術(shù)、晶圓廠、人力進(jìn)行大規(guī)模的整合。已經(jīng)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有超過30年資歷，之前服務(wù)IBM約8年時間的GaryPatton，在2015年7月加入GlobalFoundries擔(dān)任技術(shù)長一職后，一肩扛起7納米制程的研發(fā)重任，整合IBM資產(chǎn)后的GlobalFoundries發(fā)展的方向更明確，先進(jìn)的FinFET制程與低成本的FD-SOI制程并進(jìn)，本報記者特地專訪Patton講述未來GlobalFoundries發(fā)展的藍(lán)圖規(guī)劃。 記者：GlobalFound
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GF：7納米將是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)長壽的制程世代
- GlobalFoundries收購IBM資產(chǎn)后，雙方技術(shù)、晶圓廠、人力進(jìn)行大規(guī)模的整合。已經(jīng)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)有超過30年資歷，之前服務(wù)IBM約8年時間的Gary Patton，在2015年7月加入GlobalFoundries擔(dān)任技術(shù)長一職后，一肩扛起7納米制程的研發(fā)重任，整合IBM資產(chǎn)后的GlobalFoundries發(fā)展的方向更明確，先進(jìn)的FinFET制程與低成本的FD-SOI制程并進(jìn)，本報記者特地專訪Patton講述未來GlobalFoundries發(fā)展的藍(lán)圖規(guī)劃。 記者：GlobalFoun
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10納米制程工藝手機(jī)涌現(xiàn) 7納米還會遠(yuǎn)嗎？
- 在智能手機(jī)行業(yè)蓬勃發(fā)展的今日，手機(jī)為我們的生活乃至工作協(xié)助了太多，不可否認(rèn)手機(jī)制造業(yè)從每五年的大跨步到現(xiàn)如今每年都有黑科技產(chǎn)出，并且在廠商的相互競爭下還在高速向前，飛速進(jìn)步之中。這其中讓手機(jī)性能提升最為顯著的因素就要數(shù)處理器了，回首以往，處理器方面的進(jìn)步確實歷歷在目。 對于廣大國產(chǎn)手機(jī)來說，常用的處理器無非高通驍龍、聯(lián)發(fā)科以及麒麟這三大陣營。以高通驍龍為例，回顧以往產(chǎn)品可以看到從最初的驍龍430，逐漸進(jìn)步到驍龍625，后來提升到驍龍652以及650，最后來到了現(xiàn)在的驍
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ARM 加速推動 7 納米芯片進(jìn)程，終端預(yù)計于 2018 年問世
- 全球 IP 矽智財授權(quán)廠商 ARM 于 12 日宣布，將參與 IMEC (歐洲微電子研究中心)代號為 INSITE 的計劃，借此以強(qiáng)化雙方的合作。據(jù)了解，INSITE 計劃乃是致力于優(yōu)化集成電路設(shè)計、系統(tǒng)層面架構(gòu)的功耗表現(xiàn)，并且產(chǎn)品提高性能與降低成本。 ? ARM 表示，本次合作的重點(diǎn)是 7 納米制程及其以上的半導(dǎo)體芯片為主。未來，兩者進(jìn)一步合作后，預(yù)計將可透過學(xué)習(xí)新技術(shù)與設(shè)計目標(biāo)，加速半導(dǎo)體芯片的性能提升，使其在 INSITE 計劃下的戰(zhàn)略性產(chǎn)品能夠盡早進(jìn)入市場。
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趕2017年7納米制程量產(chǎn) 臺積電將擴(kuò)大研發(fā)資本支出
- 14日即將舉行法說會的晶圓代工龍頭臺積電，為了確保2017年能在7納米制程的爭奪戰(zhàn)中勝出，并且達(dá)成登上全球半導(dǎo)體龍頭的寶座，預(yù)料將在法說會中宣布，未來將大幅度增加研發(fā)的資本支出，并且大幅度招聘人才，擴(kuò)大研發(fā)團(tuán)隊的規(guī)模與數(shù)量。 根據(jù)媒體報導(dǎo)，6月份繳出營收達(dá)到史上第3高數(shù)字的臺積電，預(yù)計在14日的法說會中，由董事長張忠謀說明研發(fā)支出的相關(guān)金額，以及先進(jìn)制程的相關(guān)計劃之外，目前也將針對研發(fā)團(tuán)隊加緊招聘人馬。尤其，是針對即將畢業(yè)的社會新鮮人，將也運(yùn)用各種招聘活動尋找適合的人選加入臺積電。據(jù)了解，臺積電
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全球半導(dǎo)體搶攻7納米 各大廠商表現(xiàn)大不同
- 在全球晶圓代工廠積極搶攻 7 納米先進(jìn)制程，都想在 7 納米制程領(lǐng)域搶下龍頭寶座的情況之下，三大陣營臺積電 (TSMC) 、三星、以及由 IBM 提供協(xié)助的格羅方德 (GlobalFoundries) 誰最后終將出線，結(jié)果將牽動全球半導(dǎo)體市場的生態(tài)。 根據(jù)外媒表示： 2016 年晶圓代工的主流制程是 14 及 16 納米的 FinFET 制程，其主要業(yè)者包含了英特爾 (Intel) 、臺積電及三星 / 格羅方德三大陣營，而且戰(zhàn)場延伸到下一代 10 納米先進(jìn)制程，同樣的此三大陣營都宣布將在 201
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三星加速引進(jìn)EUV設(shè)備拚2017年量產(chǎn)7納米
- 三星電子(Samsung Electronics)決定引進(jìn)極紫外光微影制程(EUV)設(shè)備，加速發(fā)展晶圓代工事業(yè)，意圖加速超越臺積電等競爭者。不僅如此，最近三星電子還開放為韓系中小型IC設(shè)計業(yè)者代工200mm(8吋)晶圓，積極擴(kuò)展晶圓代工客戶。 據(jù)韓媒ET News報導(dǎo)，三星集團(tuán)(Samsung Group)從2016年初對三星電子系統(tǒng)LSI事業(yè)部進(jìn)行經(jīng)營診斷，原本計劃3月底結(jié)束診斷作業(yè)，因故延長至4月，最終評估后決定引進(jìn)EUV設(shè)備，目標(biāo)2017年量產(chǎn)7納米制程。 經(jīng)營診斷過程中有部分意見認(rèn)
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臺積電明年上半年試產(chǎn)7納米工藝芯片 2018年量產(chǎn)
- 北京時間4月19日消息，據(jù)臺灣《電子時報》報道，臺積電董事長張忠謀今天在一封致股東報告書中稱，公司計劃在明年上半年試產(chǎn)7納米工藝。 臺積電聯(lián)席CEO劉德音在4月14日舉行的投資者大會上表示，超過20家客戶已開始洽談7納米工藝代工事宜，預(yù)計2017年有15家客戶完成產(chǎn)品設(shè)計定案(tape out)。劉德音稱，臺積電計劃在2018年上半年實現(xiàn)7納米工藝的量產(chǎn)。 據(jù)劉德音介紹，7納米技術(shù)使用的設(shè)備95%與10納米相同，臺積電的7納米技術(shù)開發(fā)進(jìn)展順利。“7納米工藝是10納米工藝的進(jìn)一步
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iPhone 8處理器或?qū)⒉捎?納米工藝制造
- 芯片制造商臺積電(TSMC)17日表示，正與ARM合作開發(fā)7納米FinFET(鰭式場效晶體管)芯片制造工藝，最快將在2018用于生產(chǎn)蘋果iPhone 8上的A12芯片組。 根據(jù)臺積電公布的時間表，7納米FinFET工藝芯片將在明年投產(chǎn)，而大規(guī)模生產(chǎn)則需要一段時間，最早可能將于2018年正式量產(chǎn)，按照慣例，蘋果iPhone 8將會在2018年亮相，其搭載的A12處理器或?qū)⒉捎门_積電7納米工藝制造。 更先進(jìn)的制程工藝意味著在更小的芯片上集成更多的晶體管，這將可以降低功耗。而FinFET技術(shù)通過
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IMEC：7納米制程發(fā)展仍待觀察
- SEMICON Taiwan 2015期間，除了設(shè)備、材料、晶圓代工與封測業(yè)者們齊聚一堂外，今年也很罕見地看到第三方中立機(jī)構(gòu)來臺發(fā)聲，通常這類機(jī)構(gòu)集結(jié)了全球各地產(chǎn)學(xué)研的研發(fā)人 才，扮演先進(jìn)技術(shù)的開發(fā)與研究的重要角色。其中位于比利時魯汶的IMEC(愛美科)便是一例。 全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在兩三年前，就已經(jīng)有了18寸晶圓廠的呼聲，雖然18寸晶圓廠需要龐大的資金與技術(shù)投入，甚至必須要采取結(jié)盟策略，以分擔(dān)高額開發(fā)成本所帶來的沉重負(fù)擔(dān)，在當(dāng)時，市場不斷討論18寸晶圓廠導(dǎo)入的可能性。 但 時至今日，這個題議
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