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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> 7nm

          AppliedMicro宣布采用臺積電7nm制程

          •   臺積電7納米制程先下一城,芯片業(yè)者AppliedMicro正式宣布將采用臺積電7納米制程技術(shù)生產(chǎn)云端運算與網(wǎng)路通訊芯片。   AppliedMicro總裁兼執(zhí)行長Paramesh Gopi表示,該公司很高興有機會擴大與臺積電的合作關(guān)系,往后會努力將先進(jìn)科技帶到高效能運算市場中,并且更密集地與臺積電合作,以促使AppliedMicro旗下的矽產(chǎn)品,都能受益于臺積電的優(yōu)良制程技術(shù)。同時,7納米制程技術(shù)的導(dǎo)入,將對正快速成長的數(shù)據(jù)中心市場帶來重要變革,對運算效能、網(wǎng)路速度、能源效率等都將帶來顯著提升,并降
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  7nm  

          ARM發(fā)力7nm芯片:手機功耗、性能春天!

          •   據(jù)Digitimes報道,ARM今天宣布與IMEC(歐洲為電子研究中心)深化合作,前者將加入代號為INSITE的項目。   INSITE致力于優(yōu)化晶體電路設(shè)計、系統(tǒng)層面架構(gòu)的功耗表現(xiàn)、提高性能和降低成本。   報道特別提到,本次合作的重點是7nm及以上半導(dǎo)體芯片,這點稍有模糊,不知道是說5nm級別,還是10nm級別,但7nm是肯定的。   根據(jù)最近一次爆料,今年10~12月,臺積電會量產(chǎn)10nm FinFET工藝的聯(lián)發(fā)科Helio X30和華為麒麟970,后者有望用于11月份的Mate 9。
          • 關(guān)鍵字: ARM  7nm  

          臺積電2016年研發(fā)支出將逾720億元 為了7nm制程也是拼了

          •   臺積電本周四(14日)將舉行法說會,臺積電表示,相關(guān)人才招募行動已趁近期畢業(yè)生投入職場,積極進(jìn)行中;董事長張忠謀也將于法說會中,針對臺積電如何實現(xiàn)研發(fā)支出及先進(jìn)制程挑戰(zhàn)目標(biāo)的問題來提出更詳細(xì)說明。        臺積電研發(fā)支出占年度營收約8%,以去年營收8,434.97億元,公司釋出今年挑戰(zhàn)年增5%至10%的目標(biāo)估算,今年營收將突破9,000億元,換算今年度研發(fā)支出將逾720億元,遠(yuǎn)超越去年的655億元,更是七年前的六倍之多。從這些數(shù)據(jù)來看足以證明臺積電為了發(fā)展下了多大的功夫。
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  7nm  

          迎7nm制程戰(zhàn) 臺積電擴編研發(fā)大軍

          •   臺積電深耕臺灣,透過增加研發(fā)支出與持續(xù)征才、擴大研發(fā)團(tuán)隊編制等方式多管齊下,今年研發(fā)支出與研發(fā)大軍總數(shù)都將創(chuàng)新高,目標(biāo)明年在7奈米關(guān)鍵戰(zhàn)役中勝出,為奪下全球半導(dǎo)體霸主的目標(biāo)全力沖刺。   臺積電本周四(14日)將舉行法說會,臺積電表示,相關(guān)人才招募行動已趁近期畢業(yè)生投入職場,積極進(jìn)行中;董事長張忠謀也將于法說會中,針對研發(fā)支出及先進(jìn)制程挑戰(zhàn)目標(biāo),提出更詳細(xì)說明。   臺積電研發(fā)支出占年度營收約8%,以去年營收8,434.97億元,公司釋出今年挑戰(zhàn)年增5%至10%的目標(biāo)估算,今年營收將突破9,000
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  7nm  

          工藝超10nm后,器件性能還會繼續(xù)提高

          •   在“2016 Symposia on VLSI Technology”(6月13日~17日于美國檀香山舉辦)上,繼“Plenary Session”(全體會議)之后,在Session T2“Technology Highlighted Session”上,也涌現(xiàn)出了許多關(guān)于10nm工藝技術(shù)的論文。在本屆Symposium采納的86篇論文中,有12篇被選為焦點論文,其中4篇在 Session T2的Highlighted Sessi
          • 關(guān)鍵字: 10nm  7nm  

          元件設(shè)計/新材料整合難度大增 半導(dǎo)體決戰(zhàn)關(guān)鍵7nm

          •   7奈米制程節(jié)點將是半導(dǎo)體廠推進(jìn)摩爾定律(Moore’s Law)的下一重要關(guān)卡。半導(dǎo)體進(jìn)入7奈米節(jié)點后,前段與后段制程皆將面臨更嚴(yán)峻的挑戰(zhàn),半導(dǎo)體廠已加緊研發(fā)新的元件設(shè)計架構(gòu),以及金屬導(dǎo)線等材料,期兼顧尺寸、功耗及運算效能表現(xiàn)。   臺 積電預(yù)告2017年第二季10奈米晶片將會量產(chǎn),7奈米制程的量產(chǎn)時間點則將落在2018年上半。反觀英特爾(Intel),其10奈米制程量產(chǎn)時間確定 將延后到2017下半年。但英特爾高層強調(diào),7奈米制程才是決勝關(guān)鍵,因為7奈米的制程技術(shù)與材料將會有重大改變。
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  7nm  

          三星:7nm工藝代工業(yè)務(wù)將采用EUV

          •   三星電子在6月7日該公司與美國新思科技(Synopsys)聯(lián)合舉辦的會議上公開了該公司代工業(yè)務(wù)的工藝路線圖。此次會議與第53屆設(shè)計自動化大會(53rdDesignAutomationConference,DAC2016,2016年6月5日~10日舉行)同在美國奧斯汀舉行。   會議的主題是“ReadytoDesignat10nm!SynopsysandSamsungFoundry10nmEnablementforTapeoutSuccess”。來自三星的演講嘉賓是Foundr
          • 關(guān)鍵字: 三星  7nm  

          臺積電:7nm工藝已簽下20多個合同

          •   臺積電(TSMC)在美國奧斯汀舉行的“Collaborating to Enable Design with the Latest Processors and FinFET Processes, including 7nm”(由美國新思科技、英國ARM和臺積電于6月6日聯(lián)合舉辦)上,介紹了采用10nm FinFET及7nm FinFET工藝的設(shè)計和生產(chǎn)進(jìn)展情況。演講人跟上年一樣。        (設(shè)計暨技術(shù)平臺副處長)   初次使用三重曝光的10nm工藝
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  7nm  

          7nm成下代技術(shù)熱點 三星、臺積電競爭日益激烈

          •   三星電子(Samsung Electronics)與臺積電在新一代晶圓代工戰(zhàn)局進(jìn)入白熱化,雙方紛將10納米制程量產(chǎn)目標(biāo)訂在2016年底,近期三星更進(jìn)一步擴大投資,向荷蘭微影設(shè)備大廠ASML訂購極紫外光微影制程(EUV)掃描機,提前搶灘7納米制程,最快2017年底可用于量產(chǎn)晶圓,業(yè)界紛關(guān)注臺積電后續(xù)可能采取的反擊策略,恐將牽動雙方未來在晶圓代工版圖變化。   業(yè)界認(rèn)為EUV設(shè)備是突破微影制程界限的重要王牌,目前還沒有半導(dǎo)體業(yè)者真正將EUV設(shè)備導(dǎo)入量產(chǎn),因為龐大的設(shè)備投資讓晶圓代工業(yè)者退卻,亦無法得知使
          • 關(guān)鍵字: 三星  7nm  

          臺積電形勢大好 16nm產(chǎn)能滿載且7nm將獲驗證

          •   根據(jù)亞系外資所出具的報告預(yù)期,在掌握新一代處理器的生產(chǎn)訂單,并且在非蘋訂單的強勁成長需求下,晶圓代工廠臺積電16納米產(chǎn)能直至9月都將滿載。而且,未來臺積電的7納米將獲驗證,有機會成為第一家推出相關(guān)產(chǎn)品的廠商下,看好未來2016年第3季的臺積電營收動能。   亞系外資在新出爐的報告中表示,目前市場過度關(guān)注上半年蘋果整體iPhone智能手機需求疲軟所產(chǎn)生的負(fù)面效應(yīng)。然而在臺積電掌握新一代蘋果處理器的情況下,加上非蘋陣營包括繪圖、移動及虛擬現(xiàn)實等應(yīng)用需求的訂單強勁成長,2016年合計將可能占用臺積電16納
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  7nm  

          臺積電將在7nm制程拉開與三星、英特爾差距 稱霸半導(dǎo)體

          •   臺積電法說會本周四(14日)登場,揭開半導(dǎo)體族群法說會序幕。半導(dǎo)體設(shè)備廠透露,臺積電在16納米拉開與三星差距,10納米超車英特爾之后,預(yù)料本次法說會,將宣告加速7納米制程腳步,向全球展現(xiàn)其半導(dǎo)體先進(jìn)制程領(lǐng)先群倫的氣勢。   相較英特爾宣布2020年才產(chǎn)出7納米制程產(chǎn)品,凸顯臺積電將在于今年下半年以10納米制程試產(chǎn)聯(lián)發(fā)科等相關(guān)產(chǎn)品之后,未來在7納米一舉拉開與兩只700磅大猩猩(指三星與英特爾)差距,稱霸全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。   臺積電近期已指示相關(guān)設(shè)備廠,加速7納米生產(chǎn)線建置。從臺積電罕見在3月初于美西
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  7nm  

          Mentor增強7nm制程初期設(shè)計開發(fā)

          •   MentorGraphics藉由完成臺積電(TSMC)10奈米FinFETV1.0認(rèn)證,進(jìn)一步增強和優(yōu)化Calibre平臺和AnalogFastSPICE(AFS)平臺。除此之外,Calibre和AnalogFastSPICE平臺已可應(yīng)用在基于TSMC7奈米FinFET制程最新設(shè)計規(guī)則手冊(DRM)和SPICE模型的初期設(shè)計開發(fā)和IP設(shè)計。   為協(xié)助共同客戶能準(zhǔn)備好使用先進(jìn)制程做設(shè)計,Mentor為TSMC10奈米制程改進(jìn)物理驗證工具,加速CalibrenmDRCsign-off工具的執(zhí)行時間,使
          • 關(guān)鍵字: Mentor  7nm  

          7nm制程將成臺積電力壓英特爾主戰(zhàn)場

          •   安謀(ARM)與臺積電共同宣布一項為期多年的協(xié)議,針對7納米FinFET制程技術(shù)進(jìn)行合作,包括支援未來低功耗、高效能運算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設(shè)計解決方案。 這項協(xié)議延續(xù)先前采用ARM Artisan 基礎(chǔ)實體IP之16納米與10納米FinFET的合作。   事實上,以臺積電目前先進(jìn)制程之生產(chǎn)時程來看,屬于同一世代的10納米、7納米進(jìn)度已經(jīng)追上,甚至超越競爭對手英特爾(Intel)。   臺積電先進(jìn)制程10納米、7納米、5納米等部分,所有制程皆on schedule10納米制程2016第1季完成產(chǎn)
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  7nm  

          臺積電為何想要在2018年量產(chǎn)7nm工藝?

          • 在14/16nm工藝上落后于三星著實讓臺積電吃了悶虧,雖然三星的14nm工藝并沒有臺積電的16nmFF+工藝強悍,但半年的時間領(lǐng)先已經(jīng)足夠讓三星去游說很多客戶了。好在蘋果的A9芯片沒有給臺積電丟臉,從各種續(xù)航測試來看的確將三星甩在身后。過去半年一直被壓著打的臺積電總算是翻身吐氣了,為了不重蹈覆轍,臺積電似乎要加速推送7nm工藝量產(chǎn)。      10nm還沒出來就要推動7nm了?實際上臺積電準(zhǔn)備在2017年量產(chǎn)10nm工藝,然后在2018年下半年量產(chǎn)7nm。目前的進(jìn)度來看,臺積電已經(jīng)完成了10nm工藝的
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  7nm  

          收購Atmle后格羅方德宣布閉門自研7nm/10nm

          • 剛收購了Atmel,然后又宣布自研7nm/10nm。。。。
          • 關(guān)鍵字: 格羅方德  7nm  
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