臺積電7納米制程先下一城，芯片業(yè)者AppliedMicro正式宣布將采用臺積電7納米制程技術生產云端運算與網路通訊芯片。
AppliedMicro總裁兼執(zhí)行長Paramesh Gopi表示，該公司很高興有機會擴大與臺積電的合作關系，往后會努力將先進科技帶到高效能運算市場中，并且更密集地與臺積電合作，以促使AppliedMicro旗下的矽產品，都能受益于臺積電的優(yōu)良制程技術。同時，7納米制程技術的導入，將對正快速成長的數(shù)據(jù)中心市場帶來重要變革，對運算效能、網路速度、能源效率等都將帶來顯著提升，并降
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臺積電 7nm
據(jù)Digitimes報道，ARM今天宣布與IMEC(歐洲為電子研究中心)深化合作，前者將加入代號為INSITE的項目。
INSITE致力于優(yōu)化晶體電路設計、系統(tǒng)層面架構的功耗表現(xiàn)、提高性能和降低成本。
報道特別提到，本次合作的重點是7nm及以上半導體芯片，這點稍有模糊，不知道是說5nm級別，還是10nm級別，但7nm是肯定的。
根據(jù)最近一次爆料，今年10~12月，臺積電會量產10nm FinFET工藝的聯(lián)發(fā)科Helio X30和華為麒麟970，后者有望用于11月份的Mate 9。
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ARM 7nm
臺積電本周四(14日)將舉行法說會，臺積電表示，相關人才招募行動已趁近期畢業(yè)生投入職場，積極進行中;董事長張忠謀也將于法說會中，針對臺積電如何實現(xiàn)研發(fā)支出及先進制程挑戰(zhàn)目標的問題來提出更詳細說明。
臺積電研發(fā)支出占年度營收約8%，以去年營收8,434.97億元，公司釋出今年挑戰(zhàn)年增5%至10%的目標估算，今年營收將突破9,000億元，換算今年度研發(fā)支出將逾720億元，遠超越去年的655億元，更是七年前的六倍之多。從這些數(shù)據(jù)來看足以證明臺積電為了發(fā)展下了多大的功夫。
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臺積電 7nm
臺積電深耕臺灣，透過增加研發(fā)支出與持續(xù)征才、擴大研發(fā)團隊編制等方式多管齊下，今年研發(fā)支出與研發(fā)大軍總數(shù)都將創(chuàng)新高，目標明年在7奈米關鍵戰(zhàn)役中勝出，為奪下全球半導體霸主的目標全力沖刺。
臺積電本周四(14日)將舉行法說會，臺積電表示，相關人才招募行動已趁近期畢業(yè)生投入職場，積極進行中;董事長張忠謀也將于法說會中，針對研發(fā)支出及先進制程挑戰(zhàn)目標，提出更詳細說明。
臺積電研發(fā)支出占年度營收約8%，以去年營收8，434.97億元，公司釋出今年挑戰(zhàn)年增5%至10%的目標估算，今年營收將突破9，000
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臺積電 7nm
在“2016 Symposia on VLSI Technology”(6月13日～17日于美國檀香山舉辦)上，繼“Plenary Session”(全體會議)之后，在Session T2“Technology Highlighted Session”上，也涌現(xiàn)出了許多關于10nm工藝技術的論文。在本屆Symposium采納的86篇論文中，有12篇被選為焦點論文，其中4篇在 Session T2的Highlighted Sessi
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10nm 7nm
7奈米制程節(jié)點將是半導體廠推進摩爾定律(Moore’s Law)的下一重要關卡。半導體進入7奈米節(jié)點后，前段與后段制程皆將面臨更嚴峻的挑戰(zhàn)，半導體廠已加緊研發(fā)新的元件設計架構，以及金屬導線等材料，期兼顧尺寸、功耗及運算效能表現(xiàn)。
臺 積電預告2017年第二季10奈米晶片將會量產，7奈米制程的量產時間點則將落在2018年上半。反觀英特爾(Intel)，其10奈米制程量產時間確定 將延后到2017下半年。但英特爾高層強調，7奈米制程才是決勝關鍵，因為7奈米的制程技術與材料將會有重大改變。
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半導體 7nm
三星電子在6月7日該公司與美國新思科技(Synopsys)聯(lián)合舉辦的會議上公開了該公司代工業(yè)務的工藝路線圖。此次會議與第53屆設計自動化大會(53rdDesignAutomationConference，DAC2016，2016年6月5日～10日舉行)同在美國奧斯汀舉行。
會議的主題是“ReadytoDesignat10nm!SynopsysandSamsungFoundry10nmEnablementforTapeoutSuccess”。來自三星的演講嘉賓是Foundr
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三星 7nm
臺積電(TSMC)在美國奧斯汀舉行的“Collaborating to Enable Design with the Latest Processors and FinFET Processes, including 7nm”(由美國新思科技、英國ARM和臺積電于6月6日聯(lián)合舉辦)上，介紹了采用10nm FinFET及7nm FinFET工藝的設計和生產進展情況。演講人跟上年一樣。
(設計暨技術平臺副處長)
初次使用三重曝光的10nm工藝
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臺積電 7nm
三星電子(Samsung Electronics)與臺積電在新一代晶圓代工戰(zhàn)局進入白熱化，雙方紛將10納米制程量產目標訂在2016年底，近期三星更進一步擴大投資，向荷蘭微影設備大廠ASML訂購極紫外光微影制程(EUV)掃描機，提前搶灘7納米制程，最快2017年底可用于量產晶圓，業(yè)界紛關注臺積電后續(xù)可能采取的反擊策略，恐將牽動雙方未來在晶圓代工版圖變化。
業(yè)界認為EUV設備是突破微影制程界限的重要王牌，目前還沒有半導體業(yè)者真正將EUV設備導入量產，因為龐大的設備投資讓晶圓代工業(yè)者退卻，亦無法得知使
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三星 7nm
根據(jù)亞系外資所出具的報告預期，在掌握新一代處理器的生產訂單，并且在非蘋訂單的強勁成長需求下，晶圓代工廠臺積電16納米產能直至9月都將滿載。而且，未來臺積電的7納米將獲驗證，有機會成為第一家推出相關產品的廠商下，看好未來2016年第3季的臺積電營收動能。
亞系外資在新出爐的報告中表示，目前市場過度關注上半年蘋果整體iPhone智能手機需求疲軟所產生的負面效應。然而在臺積電掌握新一代蘋果處理器的情況下，加上非蘋陣營包括繪圖、移動及虛擬現(xiàn)實等應用需求的訂單強勁成長，2016年合計將可能占用臺積電16納
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臺積電 7nm
臺積電法說會本周四(14日)登場，揭開半導體族群法說會序幕。半導體設備廠透露，臺積電在16納米拉開與三星差距，10納米超車英特爾之后，預料本次法說會，將宣告加速7納米制程腳步，向全球展現(xiàn)其半導體先進制程領先群倫的氣勢。
相較英特爾宣布2020年才產出7納米制程產品，凸顯臺積電將在于今年下半年以10納米制程試產聯(lián)發(fā)科等相關產品之后，未來在7納米一舉拉開與兩只700磅大猩猩(指三星與英特爾)差距，稱霸全球半導體產業(yè)。
臺積電近期已指示相關設備廠，加速7納米生產線建置。從臺積電罕見在3月初于美西
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臺積電 7nm
MentorGraphics藉由完成臺積電(TSMC)10奈米FinFETV1.0認證，進一步增強和優(yōu)化Calibre平臺和AnalogFastSPICE(AFS)平臺。除此之外，Calibre和AnalogFastSPICE平臺已可應用在基于TSMC7奈米FinFET制程最新設計規(guī)則手冊(DRM)和SPICE模型的初期設計開發(fā)和IP設計。
為協(xié)助共同客戶能準備好使用先進制程做設計，Mentor為TSMC10奈米制程改進物理驗證工具，加速CalibrenmDRCsign-off工具的執(zhí)行時間，使
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Mentor 7nm
安謀(ARM)與臺積電共同宣布一項為期多年的協(xié)議，針對7納米FinFET制程技術進行合作，包括支援未來低功耗、高效能運算系統(tǒng)單晶片(SoC)的設計解決方案。 這項協(xié)議延續(xù)先前采用ARM Artisan 基礎實體IP之16納米與10納米FinFET的合作。
事實上，以臺積電目前先進制程之生產時程來看，屬于同一世代的10納米、7納米進度已經追上，甚至超越競爭對手英特爾(Intel)。
臺積電先進制程10納米、7納米、5納米等部分，所有制程皆on schedule10納米制程2016第1季完成產
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臺積電 7nm
在14/16nm工藝上落后于三星著實讓臺積電吃了悶虧，雖然三星的14nm工藝并沒有臺積電的16nmFF+工藝強悍，但半年的時間領先已經足夠讓三星去游說很多客戶了。好在蘋果的A9芯片沒有給臺積電丟臉，從各種續(xù)航測試來看的確將三星甩在身后。過去半年一直被壓著打的臺積電總算是翻身吐氣了，為了不重蹈覆轍，臺積電似乎要加速推送7nm工藝量產。
10nm還沒出來就要推動7nm了？實際上臺積電準備在2017年量產10nm工藝，然后在2018年下半年量產7nm。目前的進度來看，臺積電已經完成了10nm工藝的
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臺積電 7nm
剛收購了Atmel，然后又宣布自研7nm/10nm。。。。
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格羅方德 7nm
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