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X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其現(xiàn)有為光學傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導體工藝平臺——XS018上，現(xiàn)推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，強化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產(chǎn)品中，兩款為響應(yīng)增強型光電二極管doafe和dobfpe，其靈敏度在紫外、可見光和紅外波長（全光譜）上均有所提升；另外還有兩款先進的紫外線專用光電二極管dosuv和dosu
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Intel出售愛爾蘭工廠49%股份：獲110億美元緩解財務(wù)壓力
- 6月6日消息，據(jù)媒體報道，英特爾近期宣布，已同意以110億美元的價格將其位于愛爾蘭的Fab 34芯片工廠49%的股份出售給阿波羅全球管理公司。這一舉措旨在為英特爾的大規(guī)模擴張計劃引入更多外部資金，同時緩解公司的財務(wù)壓力。根據(jù)英特爾的聲明，通過此次交易，英特爾將出售Fab 34芯片工廠相關(guān)實體中49%的股份，而保留51%的股份，保持對工廠的控股權(quán)。Fab 34工廠是英特爾在歐洲唯一一家使用極紫外線（EUV）光刻技術(shù)的芯片制造工廠，對采用Intel 4和Intel 3制程的晶圓提供支持，迄今為止，英特爾已在該
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X-Fab增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案
- Source:Yulia Shaihudinova/iStock/Getty Images Plus via Getty Images模擬/混合信號和專業(yè)晶圓代工廠X-Fab Silicon Foundries SE（X-Fab）日前推出了其XP018高壓互補型金屬氧化物半導體（CMOS）制造平臺的更新。5月16日發(fā)布的一篇新聞稿表示，該平臺現(xiàn)在包括全新的40 V和60 V高壓基礎(chǔ)器件，可提供可擴展的安全工作區(qū)（安全工作區(qū)）以提高運行穩(wěn)健性。這些第二代器件在RDSon數(shù)據(jù)上也有顯著降低，與此前版本相比降低
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聯(lián)電新加坡Fab 12i P3新廠首批設(shè)備到廠
- 據(jù)聯(lián)電（UMC）官網(wǎng)消息，5月21日，聯(lián)電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠的上機典禮，首批設(shè)備到廠，象征公司擴產(chǎn)計劃建立新廠的重要里程碑。據(jù)悉，聯(lián)電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進半導體晶圓代工廠之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和車用電子等領(lǐng)域需求，總投資金額為50億美元。據(jù)了解，聯(lián)電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠的擴建計劃。當時消息稱，新廠第一期月產(chǎn)能規(guī)劃30,000片晶圓，2024年底開始量產(chǎn)，后又在2022年底稱，在過程中因缺工缺料及
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X-FAB增強其180納米車規(guī)級高壓CMOS代工解決方案
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導體制造平臺，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴展SOA，提高運行穩(wěn)健性。與上一代平臺相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達50%，為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中。XP018平臺作為一款模塊化180納米高壓EPI技術(shù)解決方案，基于低掩模數(shù)5V單柵極核心模塊，支持-40°C
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X-FAB引入圖像傳感器背照技術(shù)增強CMOS傳感器性能
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，其光學傳感器產(chǎn)品平臺再添新成員——為滿足新一代圖像傳感器性能的要求，X-FAB現(xiàn)已在其備受歡迎的CMOS傳感器工藝平臺XS018（180納米）上開放了背照（BSI）功能。BSI工藝截面示意圖通過BSI工藝，成像感光像素性能將得到大幅增強。這一技術(shù)使得每個像素點接收到的入射光不會再被后端工藝的金屬層所遮擋，從而大幅提升傳感器的填充比，最高可達100%。由于其能夠獲得更高的像素感光靈敏度，因而在暗
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格科微發(fā)布系列5000萬像素圖像傳感器
- 12月22日，科創(chuàng)板上市公司格科微（688728.sh）成功舉辦以“Fab-Lite新模式·引領(lǐng)中國芯未來”為主題的20周年慶典暨臨港工廠投產(chǎn)儀式，及2023年產(chǎn)品推介會暨CEO交流會。圖1 格科微20周年慶典暨臨港工廠投產(chǎn)儀式.JPG以讓世界看見中國的創(chuàng)新為使命，格科微經(jīng)過二十年的發(fā)展，成功實現(xiàn)了從Fabless到Fab-Lite的戰(zhàn)略轉(zhuǎn)型，迎來了歷史最佳的經(jīng)營局面。值此良機，格科微高端產(chǎn)品再傳佳訊，公司推出三款全新單芯片高階產(chǎn)品，為未來加速核心技術(shù)產(chǎn)品化，邁向嶄新的發(fā)展階段奠定了基礎(chǔ)。整個活動，政府領(lǐng)
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總投資573億元！中芯國際12英寸晶圓代工生產(chǎn)線新進展
- 據(jù)臨港新片區(qū)管委會官網(wǎng)披露文件顯示，日前，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項目城鎮(zhèn)污水排入排水管網(wǎng)許可順利獲批。據(jù)悉，中芯國際臨港12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項目由中芯國際和中國（上海）自由貿(mào)易試驗區(qū)臨港新片區(qū)管理委員會合作規(guī)劃建設(shè)。根據(jù)協(xié)議，雙方共同成立合資公司，規(guī)劃建設(shè)產(chǎn)能為10萬片/月的12英寸晶圓代工生產(chǎn)線項目，聚焦于提供28納米及以上技術(shù)節(jié)點的集成電路晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。據(jù)中芯國際發(fā)布的公告顯示，該項目計劃投資約88.7億美元（折合人民幣約573億元），這也是中芯國際在上海的第一個按照Twin Fa
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X-FAB推出針對近紅外應(yīng)用的新一代增強性能SPAD器件
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，推出專用近紅外版本的單光子雪崩二極管（SPAD）器件組合。與2021年發(fā)布的前一代SPAD保持同步，新版本也是基于X-FAB 180納米工藝的XH018平臺。得益于在制造過程中增加的額外工藝流程，在保持同樣低的本底噪聲水平的同時，顯著增強信號，而且不會對暗計數(shù)率、后脈沖和擊穿電壓等參數(shù)產(chǎn)生負面影響。X-FAB通過推出這一最新版本的產(chǎn)品，成功豐富了其SPAD產(chǎn)品的選擇范圍，提升了解決眾多視近紅外
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X-FAB在制造工藝上的突破為電隔離解決方案增加CMOS集成選項
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在電隔離技術(shù)領(lǐng)域取得重大進展——X-FAB在2018年基于其先進工藝XA035推出針對穩(wěn)健的分立電容或電感耦合器優(yōu)化之后，現(xiàn)又在此平臺上實現(xiàn)了將電隔離元件與有源電路的直接集成。這是X-FAB對半導體制造工藝上的又一重大突破。這一集成方法使隔離產(chǎn)品的設(shè)計更加靈活，從而應(yīng)對可再生能源、EV動力系統(tǒng)、工廠自動化和工業(yè)電源領(lǐng)域的新興機遇。XA035基于350納米工藝節(jié)點，非常適合制造車用傳感器和高壓工
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X-FAB最新的無源器件集成技術(shù)擁有改變通信行業(yè)游戲規(guī)則的能力
- 全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，新增集成無源器件（IPD）制造能力，進一步增強其在射頻（RF）領(lǐng)域的廣泛實力。公司在歐洲微波展（9月17至22日，柏林）舉辦前夕推出XIPD工藝；參加此次活動的人員可與X-FAB技術(shù)人員（位于438C展位）就這一創(chuàng)新進行交流。X-FAB XIPD晶圓上的電感器測試結(jié)構(gòu)XIPD源自廣受歡迎的X-FAB XR013 130nm RF SOI工藝——該技術(shù)利用工程基底和厚銅金屬化層，讓客戶能夠在其器
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紅外熱成像機芯新力量：艾睿光電Micro Ⅲ Lite紅外熱成像輕薄時代！
- 艾睿光電重磅發(fā)布 Micro Ⅲ Lite超小體積、超低重量、微型高性能紅外熱成像機芯。
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X-FAB領(lǐng)導歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價值鏈產(chǎn)業(yè)化
- 中國北京，2023年6月15日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，正在開展photonixFAB項目---該項目旨在為中小企業(yè)和大型實體機構(gòu)在光電子領(lǐng)域的創(chuàng)新賦能，使其能夠輕松獲得具有磷化銦（InP）和鈮酸鋰（LNO）異質(zhì)集成能力的低損耗氮化硅（SiN）與絕緣體上硅（SOI）光電子平臺。在此過程中，模擬/混合信號晶圓代工領(lǐng)域的先進廠商X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）牽頭發(fā)起一項戰(zhàn)略倡議，旨在推
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X-FAB率先向市場推出110納米BCD-on-SOI代工解決方案
- 中國北京，2023年6月2日——全球公認的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，X-FAB成為業(yè)界首家推出110納米BCD-on-SOI解決方案的代工廠，由此加強了其在BCD-on-SOI技術(shù)領(lǐng)域的突出地位。全新XT011 BCD-on-SOI平臺反映了模擬應(yīng)用中對更高數(shù)字集成和處理能力日益增長的需求。其將SOI和DTI極具吸引力的特性結(jié)合在一起，因此與傳統(tǒng)Bulk BCD工藝相比，高密度數(shù)字邏輯和模擬功能可以更容易地集成至單個芯片。X-F
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碳化硅擴產(chǎn)、量產(chǎn)消息不斷，瑞薩、X-FAB跟進
- 近期，一眾國內(nèi)廠商擴產(chǎn)、量產(chǎn)碳化硅的消息頻繁發(fā)布。如博世收購了美國半導體代工廠TSI以在2030年底之前擴大自己的SiC產(chǎn)品組合；安森美半導體考慮投資20億美元擴產(chǎn)碳化硅芯片；SK集團宣布，旗下SK powertech位于釜山的新工廠結(jié)束試運行，將正式量產(chǎn)碳化硅，產(chǎn)能將擴大近3倍。除此之外，據(jù)外媒報道，日本半導體巨頭瑞薩和德國晶圓代工廠X-FAB也于近日宣布了擴產(chǎn)碳化硅的計劃。其中，瑞薩電子將于2025年開始生產(chǎn)使用碳化硅 (SiC）來降低損耗的下一代功率半導體產(chǎn)品。報道指出，按照計劃，瑞薩電子擬在目
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