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內(nèi)置MOS全集成三相直流無刷電機(jī)BLDC驅(qū)動芯片方案

引言全球高速無刷電機(jī)行業(yè)正在經(jīng)歷持續(xù)的增長和發(fā)展。根據(jù)市場調(diào)研，亞洲市場占據(jù)了全球高速無刷電機(jī)行業(yè)的首位，市場規(guī)模占比達(dá)47%，并且預(yù)計(jì)未來增長將主要集中在亞洲地區(qū)。特別是在我國，無刷電機(jī)技術(shù)已逐漸成熟，電機(jī)和驅(qū)動器的價(jià)格均已下探到可以廣泛應(yīng)用的程度，也就拓展了無刷電機(jī)的使用場景。而控制芯片作為無刷電機(jī)系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，通過接收轉(zhuǎn)子位置的反饋信號，精確控制電機(jī)的電流和電壓，實(shí)現(xiàn)電機(jī)的高效運(yùn)轉(zhuǎn)和精確控制。目前直流無刷電機(jī)的控制主要分兩大類：方波控制（梯形波控制）與正弦波控制，這兩類控制方式的原理分別是什么呢
關(guān)鍵字： MOS 三相直流無刷電機(jī) BLDC 驅(qū)動芯片

一文了解SiC MOS的應(yīng)用

作為第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料，碳化硅MOSFET具有更高的開關(guān)頻率和使用溫度，能夠減小電感、電容、濾波器和變壓器等組件的尺寸，提高系統(tǒng)電力轉(zhuǎn)換效率，并且降低對熱循環(huán)的散熱要求。在電力電子系統(tǒng)中，應(yīng)用碳化硅MOSFET器件替代傳統(tǒng)硅IGBT器件，可以實(shí)現(xiàn)更低的開關(guān)和導(dǎo)通損耗，同時(shí)具有更高的阻斷電壓和雪崩能力，顯著提升系統(tǒng)效率及功率密度，從而降低系統(tǒng)綜合成本。圖 SiC/Si器件效率對比一、行業(yè)典型應(yīng)用碳化硅MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域包括：充電樁電源模塊、光伏逆變器、光儲一體機(jī)、新能源汽車空調(diào)、新能
關(guān)鍵字： SiC MOS 碳化硅 MOSFET

從內(nèi)部結(jié)構(gòu)到電路應(yīng)用，這篇文章把MOS管講透了。

MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管，是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管，屬于絕緣柵型，本文就結(jié)構(gòu)構(gòu)造、特點(diǎn)、實(shí)用電路等幾個(gè)方面用工程師的話詳細(xì)描述。其結(jié)構(gòu)示意圖：解釋1：溝道上面圖中，下邊的p型中間一個(gè)窄長條就是溝道，使得左右兩塊P型極連在一起，因此mos管導(dǎo)通后是電阻特性，因此它的一個(gè)重要參數(shù)就是導(dǎo)通電阻，選用mos管必須清楚這個(gè)參數(shù)是否符合需求。解釋2：n型上圖表示的是p型mos管，讀者可以依據(jù)此圖理解n型的，都是反過來即可，因此，不難理解，n型的如圖在柵極加正壓會導(dǎo)致導(dǎo)通，而p型的相反。解釋3：增強(qiáng)型相對于耗盡型
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哪吒 L 上市：號稱“充電速度最快的增程車型”

4 月 22 日消息，哪吒 L 車型今晚上市，號稱“充電速度最快的增程車型”，售價(jià) 12.99 萬元起。隨后預(yù)計(jì)還會推出純電動版本?！?220 閃充版：12.99 萬元（8 月上市）· 310 閃充版：13.69 萬元· 310 閃充 PRO 版：14.99 萬元· 310 閃充紅衣版：15.99 萬元這款新車該車定位中大型 SUV，采用五座布局，基于山海平臺打造。哪吒 L 車身尺寸為4770x1900x1660mm，軸距2810mm。該車配備三段式的 LED 日間行車燈組，采用隱藏式門把手設(shè)計(jì)來降低風(fēng)阻
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第五代 DM-i 混動技術(shù)加持，比亞迪秦 L 官圖公布

4 月 17 日消息，比亞迪汽車今日公布了旗下新款中級轎車秦 L 的官圖，新車旨在填補(bǔ)秦 PLUS 與漢車型之間的市場空白。新車在設(shè)計(jì)上與秦 Plus 有著顯著不同，前進(jìn)氣格柵更寬大，車標(biāo)設(shè)計(jì)與宋 L 相似，提高了辨識度。尾部采用貫穿式尾燈和漢同款的“中國結(jié)”樣式，顏值更高。秦 L 的車身尺寸為 4830mm x 1900mm x 1495mm，軸距為 2790mm。內(nèi)飾方面，根據(jù)此前曝光的圖片顯示，新車配備全液晶儀表盤 + 大尺寸中控屏幕，中控屏下方則是兩個(gè)無線充電面板，方向盤上保留了大量物理按鍵?！?
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【科技和移動性亮點(diǎn)】L&T Technology Services與英特爾合作擴(kuò)展邊緣-人工智能解決方案

Source:?Getty Images/metamorworksL&T Technology Services于3月4日宣布與英特爾公司達(dá)成合作，為包括蜂窩車聯(lián)網(wǎng)（CV2X）應(yīng)用在內(nèi)的一系列用例開發(fā)和提供可擴(kuò)展的邊緣-人工智能解決方案。LTTS在網(wǎng)聯(lián)汽車和智能交通系統(tǒng)領(lǐng)域的專業(yè)知識對于遠(yuǎn)程信息處理、高級駕駛輔助系統(tǒng)和蜂窩車聯(lián)網(wǎng)等先進(jìn)通信技術(shù)的開發(fā)及實(shí)施過程至關(guān)重要。該公司表示，通過利用英特爾的邊緣計(jì)算平臺，包括內(nèi)置OpenVINO?工具可進(jìn)行實(shí)時(shí)的人工智能推理優(yōu)化，LTTS將為智慧城市
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徹底弄清MOS管（NMOS為例

來自專欄芯片基礎(chǔ)課說來慚愧，大二學(xué)了一遍模電數(shù)電，考研專業(yè)課又學(xué)了一遍模電數(shù)電，但拿到如下這張mos管結(jié)構(gòu)圖，讓我立馬說出：【這是什么型mos管，標(biāo)準(zhǔn)符號襯底的箭頭指向哪里，簡化符號柵極有沒有小圓圈，襯底該接高接低，柵極高電平導(dǎo)通還是低電平導(dǎo)通，導(dǎo)通電流方向是什么】的答案，時(shí)不時(shí)還真有點(diǎn)卡殼。這真的不能怪我們，是真的太繞了，比如PMOS管柵極居然是低電平有效，簡化圖上輸入帶圈，這真的太反人性了。今天就用一篇文章把這些關(guān)系徹底理順，開始吧！首先，你應(yīng)該已經(jīng)懂得：硅中參雜電子多的話，會在那里寫個(gè)N，參雜空穴多
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MOS 管的死區(qū)損耗計(jì)算

MOS 管在逆變電路，開光電源電路中經(jīng)常是成對出現(xiàn)，習(xí)慣上稱之為上管和下管，如圖Figure 1中的同步Buck 變換器，High-side MOSFET　為上管， Low-side MOSFET為下管．如果上管和下管同時(shí)導(dǎo)通，就會導(dǎo)致電源短路，ＭOS 管會損壞，甚至?xí)r電源損壞，這種損壞是災(zāi)難行動，必須避免．由于MOS 的開通和關(guān)斷都是有時(shí)沿的，為了避免上管和下管同時(shí)導(dǎo)通，造成短路現(xiàn)象，從而引入了死區(qū)的概念，也就是上下管同時(shí)關(guān)斷的區(qū)間，如圖Figure2 中的E 和 F.死區(qū)E---tDf: 上
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超高壓MOS在變頻器上的應(yīng)用

一、變頻器的定義及應(yīng)用領(lǐng)域變頻器的定義變頻器是應(yīng)用變頻技術(shù)與微電子技術(shù)，通過改變電機(jī)工作電源頻率方式來控制交流電動機(jī)的電力控制設(shè)備。變頻器主要由整流（交流變直流）、濾波、逆變（直流變交流）、制動單元、驅(qū)動單元、檢測單元、微處理單元等組成。變頻器的應(yīng)用領(lǐng)域鋼鐵、軋鋼制線、電力、石油、造紙業(yè)等。變頻器的作用1、調(diào)整電機(jī)的功率，實(shí)現(xiàn)電機(jī)的變速運(yùn)行，達(dá)到省電的目的。2、降低電力線路中電壓的波動，避免一旦電壓發(fā)生異常而導(dǎo)致設(shè)備的跳閘或者出現(xiàn)異常運(yùn)行的現(xiàn)象。3、減少對電網(wǎng)的沖擊，從而有效地減少無功損耗，增
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高壓MOS/低壓MOS在單相離線式不間斷電源上的應(yīng)用

單相離線式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS，市電直接供電給用電設(shè)備再為電池充電，一旦市電供電品質(zhì)不穩(wěn)或停電時(shí)，市電的回路會自動切斷，電池的直流電會被轉(zhuǎn)換成交流電接手供電的任務(wù)，直到市電恢復(fù)正常。UPS只有在市電停電了才會介入供電，不過從直流電轉(zhuǎn)換的交流電是方波，只限于供電給電容型負(fù)載，如電腦和監(jiān)視器等。一、前言單相離線式不間斷電源只是備援性質(zhì)的UPS，市電直接供電給用電設(shè)備再為電池充電，一旦市電供電品質(zhì)不穩(wěn)或停電時(shí)，市電的回路會自動切斷，電池的直流電會被轉(zhuǎn)換成交流電接手供電的任務(wù)，直到市電恢復(fù)正
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耗盡型功率MOSFET：被忽略的MOS產(chǎn)品

功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零時(shí)，功率MOSFET需要作為?！伴_”開關(guān)運(yùn)行。在VGS=0V時(shí)作為常 "開 "開關(guān)的功率MOSFET，稱為耗盡型(depletion-mode ) MOSFET。功率MOSFET最常用于開關(guān)型應(yīng)用中，發(fā)揮著開關(guān)的作用。然而，在諸如SMPS的啟動電路、浪涌和高壓保護(hù)、防反接保護(hù)或固態(tài)繼電器等應(yīng)用中，當(dāng)柵極到源極的電壓VGS為零
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如何在電源上選擇MOS管

在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時(shí)候，在很多電源設(shè)計(jì)人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗(yàn)證。在開關(guān)電源應(yīng)用MOS管的時(shí)候，在很多電源設(shè)計(jì)人員的都將采用一套公式，質(zhì)量因數(shù)(柵極電荷QG ×導(dǎo)通阻抗RDS(ON))。來對mos管來驗(yàn)證。那么柵極電荷和導(dǎo)通阻抗很重要，這都是對電源的效率有直接的影響，主要是傳導(dǎo)損耗和開關(guān)損耗。還有在電源中第二重要的是MOS管參數(shù)包括輸出電容、閾值電壓、柵極阻抗和雪崩能量。用于針對N+1冗余拓?fù)涞牟⑿须娫纯刂频腗OS管在ORing F
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功率放大器電路中的三極管和MOS管，究竟有什么區(qū)別？

學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？學(xué)習(xí)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)，和電子技術(shù)相關(guān)領(lǐng)域的朋友，在學(xué)習(xí)構(gòu)建功率放大器電路時(shí)最常見的電子元器件就是三極管和場效應(yīng)管（MOS管）了。那么三極管和MOS管有哪些聯(lián)系和區(qū)別呢？在構(gòu)建功率放大器電路時(shí)我們要怎么選擇呢？首先我們明確一下二者的概念三極管：全稱應(yīng)為半導(dǎo)體三極管，也稱雙極型晶體管、晶體三極管，是一種控
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短溝道 MOS 晶體管中的漏電流成分

MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。MOS 晶體管正在按比例縮小，以限度地提高集成電路內(nèi)的封裝密度。這導(dǎo)致氧化物厚度的減少，進(jìn)而降低了 MOS 器件的閾值電壓。在較低的閾值電壓下，漏電流變得很大并有助于功耗。這就是為什么了解 MOS 晶體管中各種類型的漏電流至關(guān)重要。在我們嘗試了解各種漏電流成
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功率MOS管損壞的典型

如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。第一種：雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓，而且達(dá)到擊穿電壓V(BR)DSS （根據(jù)擊穿電流其值不同），并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質(zhì)負(fù)載的開關(guān)運(yùn)行斷開時(shí)產(chǎn)生的回掃電壓，或者由漏磁電感產(chǎn)生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進(jìn)入擊穿區(qū)而導(dǎo)致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路：第二種：器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引
關(guān)鍵字： MOS