- 例：FDH45N50F如下參數：有人可能會這樣計算：開通電流帶入數據得關斷電流帶入數據得于是乎得出這樣的結論，驅動電流只需 250mA左右即可。仔細想想這樣計算對嗎？這里必須要注意這樣一個條件細節，RG=25Ω。所以這個指標沒有什么意義。應該怎么計算才對呢？其實應該是這樣的，根據產品的開關速度來決定開關電流。根據I=Q/t，獲得了具體MOS管Qg數據，和我們線路的電流能力，就可以獲得Ton= Qg/I。比如45N50，它在Vgs=10V，VDS=400V，Id=48A的時候，Qg=105nC。如果用1A的
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MOS管 電路設計
- MOS管，即金屬（Metal）—氧化物（Oxide）—半導體（Semiconductor）場效應晶體管，是一種應用場效應原理工作的半導體器件。和普通雙極型晶體管相比，MOS管具有輸入阻抗高、噪聲低、動態范圍大、功耗小、易于集成等優勢，在開關電源、鎮流器、高頻感應加熱、高頻逆變焊機、通信電源等高頻電源領域得到了越來越普遍的應用。▉ 場效應管分類場效應管分為結型（JFET）和金屬-氧化物-半導體型（MOSFET）兩種類型。JFET的英文全稱是Junction Field-Effect Transistor，也
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MOS管 無源器件 模擬電路
- 相信很多工程師在使用電子測量儀器的時候大家都了解MOS管，下面一起看看MOS管究竟是什么。1. MOS的三個極怎么判定？MOS管符號上的三個腳，辨認要抓住關鍵地方 ：G極，不用說比較好認。S極，不論是P溝道還是N溝道，兩根線相交的就是。D極，不論是P溝道還是N溝道，是單獨引線的那邊。2. 是N溝道還是P溝道？三個腳的極性判斷完后，接下就該判斷是P溝道還是N溝道了：當然也可以先判斷溝道類型，再判斷三個腳極性。判斷溝道之后，再判斷三個腳極性。3. 寄生二極管的方向如何判定？接下來，是寄生二極管的方向判斷：它的
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MOS管 電路設計 模擬電路
- 如何從MOS管的驅動波形來判斷驅動好不好，到底是哪里出了問題？本文分享幾種常見的MOS管驅動波形?；A知識一般認為三極管是電流驅動型，所以驅動三極管，要在基極提供一定的電流。一般認為MOS管是電壓驅動型，所以驅動MOS管，只需要提供一定的電壓，不需要提供電流。實際是這樣嗎？由于MOS管的制作工藝，決定了本身GS之間有結電容以及GD之間有彌勒電容，DS也有寄生電容，這使得MOS管的驅動變得不那么簡單。備注：如下圖為軟件繪制，示意圖僅供參考，便于理解。1、MOS正常驅動波形描述：MOS一般是慢開快關，上升沿相
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MOS管 電路設計
- MOS管使用方法1、NMOS管的主回路電流方向為D→S，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為5~10V（G電位比S電位高）；2、PMOS管的主回路電流方向為S→D，導通條件為VGS有一定的壓差，一般為-5~-10V（S電位比G電位高）。1、使用NMOS當下管，S極直接接地（為固定值），只需將G極電壓固定值6V即可導通；2、若使用NMOS當上管，D極接正電源，而S極的電壓不固定，無法確定控制NMOS導通的G極電壓，因為S極對地的電壓有兩種狀態，MOS管截止時為低電平，導通時接近高電平VCC。當然NMOS也是
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MOS管 電路設計
- 今天咱們來聊聊為啥mos管開關得快點兒，還有怎么才能快點開關。mos管驅動有幾種方法，我們知道，其中有一種是用專門的驅動芯片驅動，我們就以這個驅動設計為主。說起mos管關斷，通常電壓會比開通時高，所以關斷的損失也會比開通時大，所以我們自然希望電路關斷的速度能更快些。那么，咱咋能讓mos管快些開關呢？咱們看看這張圖在mos管開通時，電阻R1和R4限制了電流，這樣就能給mos管電容充電；要注意的這兒，R1和R4的電阻值并非固定，而且，R1通常小于R4。當mos管關斷時，R4電阻上的電壓被限制在0.7V，一旦超
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MOS管 電路設計
- **1. 關于MOS管的極限參數說明：**在以上圖中，我們需要持續關注的參數主要有：a. **ID（持續漏極電流）**：該參數含義是mos可以持續承受的電流值，在設計中，產品的實際通過電流值應遠小于該值，至少應小于1/3以下，例：該mos管的使用持續電流應小于50A。b. **PD（mos管的最大耗散功率）**：該參數是指設計中，實際通過mos管的電流與漏源兩端的電壓差值乘積，不應大于該值。 所以該值的很大程度取決于mos管中實際流過的電流值。c. **Vgs（柵源電壓范圍）**：該值表示在mos管的實際
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MOS管 電路設計
- 三相逆變器的定義是將直流電能轉換為交流電能的轉換器，其基本原理就是SPWM，硬件架構為四個功率模塊組成單相、三相橋式電路，橋式輸出至負載間串接低通濾波元件，控制回路具有兩個信號產生源，一個是固定幅值的三角波（調制波）發生器，一個為正弦波發生器，利用三角波對正弦波進行調制，就會得到占空比按照正弦規律變化的方波脈沖列，調制比不同，一個正弦周期脈沖列數等于調制波頻率除以基博頻率）。再用方波脈沖列去控制上述橋式電路，在輸出上就得到了符合要求的正弦電壓電流了。一、前言 三相逆變是指轉換出的交流電壓為三相，
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RS瑞森半導體 碳化硅 MOS管
- MOS管具有三個內在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點在MOS管的規格書中可以體現（規格書常用Ciss、Coss、Crss這三個參數代替）。MOS管之所以存在米勒效應，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個寄生電容。MOS管內部寄生電容示意IRF3205寄生電容參數1.MOS管的米勒效應MOS管驅動之理想與現實理想的MOS管驅動波形應是方波，當Cgs達到門檻電壓之后， MOS管就會進入飽和導通狀態。而實際上在MOS管的柵極驅動過程中，會存在一個米勒平臺。米勒平臺實際上就是MOS管處于“放大區”的
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MOS管
- MOS管因為其導通內阻低，開關速度快，因此被廣泛應用在開關電源上。而用好一個MOS管，其驅動電路的設計就很關鍵。下面分享幾種常用的驅動電路。電源IC直接驅動電源IC直接驅動是最簡單的驅動方式，應該注意幾個參數以及這些參數的影響?！?查看電源IC手冊的最大驅動峰值電流，因為不同芯片，驅動能力很多時候是不一樣的?！?了解MOS管的寄生電容，如圖C1、C2的值，這個寄生電容越小越好。如果C1、C2的值比較大，MOS管導通的需要的能量就比較大，如果電源IC沒有比較大的驅動峰值電流，那么管子導通的速度就比較慢，就達
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MOS管 驅動 電路 設計
- 服務器電源是指使用在服務器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開關電源，指能夠將交流電轉換為服務器所需直流電的電源。一、前言 服務器電源是指使用在服務器上的電源（POWER），它和PC電源一樣，都是一種開關電源，指能夠將交流電轉換為服務器所需直流電的電源。服務器電源按照標準可以分為ATX電源和SSI電源等。ATX標準使用較為普遍，主要用于臺式機、工作站和低端服務器；而SSI標準是隨著服務器技術的發展而產生的，適用于各種檔次的機架式服務器。 二、產品應用及工作原理
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瑞森半導體 MOS管
- MOS管輸入電阻很高，為什么一遇到靜電就不行了？MOS管一個ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應而帶電，又因在靜電較強的場合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿一般分為兩種類型：電壓型，即柵極的薄氧化層發生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路；功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開路或者是源極開路。MOS管被擊穿的原因及解決方案？· MOS管本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場或靜電的感應
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MOS管 電阻 靜電
- 關于MOS管驅動電路設計，本文談一談如何讓MOS管快速開啟和關閉。一般認為MOSFET（MOS管）是電壓驅動的，不需要驅動電流。然而，在MOS管的G極和S極之間有結電容存在，這個電容會讓驅動MOS變的不那么簡單。下圖的3個電容為MOS管的結電容，電感為電路走線的寄生電感：如果不考慮紋波、EMI和沖擊電流等要求的話，MOS管開關速度越快越好。因為開關時間越短，開關損耗越小，而在開關電源中開關損耗占總損耗的很大一部分，因此MOS管驅動電路的好壞直接決定了電源的效率。怎么做到MOS管的快速開啟和關閉呢？對于一個
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MOS管 驅動電路 設計
- 我們把單片機的一個IO口接到這個MOS管的gate端口，就可以控制這個燈泡的亮滅了。當然別忘了供電。當這個單片機的IO口輸出為高的時候，NMOS就等效為這個被閉合的開關，指示燈光就會被打開；那輸出為低的時候呢，這個NMOS就等效為這個開關被松開了，那此時這個燈光就被關閉，是不很簡單。當說到MOS管的時候呢，你的腦子里可能是一團糨糊的。DIAN CHAO在大部分的教材里都會告訴你長長的一段話：MOS管全稱金屬氧化半導體場效應晶體管，英文名Metal-Oxide-Semiconductor Field-Eff
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MOS管
- 晶體管、MOS管、IGBT管是常見的電力電子控制器件。電流觸發晶體管只能控制開啟，不能控制關閉屬于半可控件;電壓觸發MOS管、IGBT管既可以控制開啟，也可以控制關斷屬于全可控件。搞懂控件的特點對電力電子器件維修尤為重要，小編根據所學及理解做如下總結，希望能給大家一些幫助。一、晶閘管 1、別名：可控硅是一種大功率半導體器件，常用做交流開關，觸發電流>50毫安 2、特點：體積小、重量輕、無噪聲、壽命長、容量大、耐高壓、耐大電流、大功率 3、主要應用領域：整流、逆變、變頻、斬波（直流-
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IGBT 晶體管 MOS管
mos管介紹
mos管是金屬(metal)—氧化物(oxid)—半導體(semiconductor)場效應晶體管?；蛘叻Q是金屬—絕緣體(insulator)—半導體。
雙極型晶體管把輸入端電流的微小變化放大后，在輸出端輸出一個大的電流變化。雙極型晶體管的增益就定義為輸出輸入電流之比（beta）。另一種晶體管，叫做場效應管（FET），把輸入電壓的變化轉化為輸出電流的變化。FET的增益等于它的transc [
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