2024年4月4日，SK海力士宣布，在美國印第安納州西拉斐特（West Lafayette）建造適于AI的存儲器先進封裝生產基地，同時與美國普渡（Purdue）大學等當地研究機構進行半導體研究和開發合作。公司計劃向該項目投資38.7億美元。當地時間4月3日，公司與印第安納州、普渡大學、美國政府有關人士在位于西拉斐特的普渡大學舉辦了投資簽約儀式活動，并在此發表了上述計劃。印第安納州州長埃里克·霍爾科姆（Eric Holcomb）、美國參議員（印第安納州）托德·楊（Todd
Young）、白宮科技政策辦公
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SK海力士 后端工藝
由于上海公司的銷售額持續下降，SK海力士的中國業務中心已轉移到無錫，因此決定清算上海銷售公司。據韓媒報道，韓國半導體公司SK海力士正在重組其在中國的業務。報道稱，該公司計劃關閉成立于2006年的上海公司，并將重點轉移到其半導體制造工廠所在地無錫，作為其在中國的新業務中心。據悉，SK海力士在中國有三家工廠，分別是無錫DRAM廠、大連NAND閃存廠和重慶封裝廠。由于上海公司的銷售額持續下降，且與無錫的地理位置相近，SK海力士的中國業務中心已轉移到無錫，因此公司決定清算上海銷售公司，提高效率降低風險。
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SK海力士
近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經售罄，已開始為2025年做準備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產能預計已全部售罄。生成式AI火熱發展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準HBM擴產。其中，三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應。此前2023年四季度三星內部消息顯示，已經向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產。到下半年，其占比預計將
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最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度財報，2023 年第四季度實現扭虧為盈，當季營業利潤 3460 億韓元（約合 2.6 億美元），而上年同期營業虧損 1.91 萬億韓元。這意味著，SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來一直持續的營業虧損情況。相比之下，同為韓國半導體巨頭的三星，業績卻不盡如人意。數據顯示，三星電子去年銷售額為 258.16 萬億韓元（1.4 萬億元人民幣），同比下滑 14.58%。受半導體部門業績不佳影響，三星電子全年營業利潤時隔 15 年再次跌至 10 萬億韓元（544
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SK海力士 HBM
據了解，CAMM是一種新型內存標準，厚度更薄，容量更大；速度更快，功耗也更低。該標準已經發展到第二代，即應用于筆電和輕薄型PC的LPCAMM2。SK海力士在CES 2024展會上指出，CAMM標準將進軍桌面計算機平臺，而首款支持桌面計算機CAMM產品也在研發中，但未透露具體細節。CAMM2將采用統一連接器設計，兼容DDR5和低功耗LPDDR5／X內存模塊。市場人士預計，CAMM內存的導入，將對主板設計帶來重大變革，目前主流主板采用2或4個DIMM插槽，使用最新64GB模塊，可獲得最高256GB容量。如果想
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據韓媒報道，韓國芯片巨頭SK海力士準備打破美國對華極紫外（EUV）光刻機出口相關限制，對其中國半導體工廠進行技術提升改造。這被外界解讀為，隨著半導體市場的復蘇以及中國高性能半導體制造能力提升，一些韓國芯片企業準備采取一切可以使用的方法來提高在華工廠制造工藝水平。韓國《首爾經濟》13日的報道援引韓國業內人士的話稱，SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分動態隨機存取存儲器（DRAM）生產設備提升至第四代10納米工藝。對于“無錫工廠將技術升級”的消息，SK海力士方面表示“無法確認工廠的具體運營計劃”。無錫工廠
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據韓媒，韓國SK海力士公司周四表示，將成立一個名為AI Infra的新部門，負責人工智能（AI）半導體相關業務，由現任全球銷售營銷部門負責人Kim Juseon管理。報道稱，新部門將整合分散在公司內部的高帶寬內存（HBM）能力和功能，還將主導新一代HBM芯片等人工智能技術的發展，尋找并開發新市場。
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據外媒報道，在OpenAI訓練的人工智能聊天機器人ChatGPT大火，谷歌等一眾科技巨頭紛紛加入生成式人工智能和大型語言模型的賽道之后，外媒就預計對AI服務器的需求將大幅增加，高性能GPU、高帶寬存儲器的需求也將隨之增加，半導體行業的多家廠商，將迎來新的發展機遇。市場研究公司Omdia的最新分析顯示，存儲芯片廠商SK海力士就已從人工智能應用需求增加中獲益，他們三季度在全球DRAM市場的份額達到了35%，占據了超過三分之一的份額。也是SK海力士自成立以來，在全球DRAM市場份額最高的一個季度。由于生成式人工
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SK海力士日前宣布，向客戶供應LPDDR5T（Low Power Double Data Rate 5 Turbo）16GB容量的產品，該款產品是迄今最快的行動DRAM產品，可達每秒9.6Gpbs的傳輸速度。LPDDR5X DRAM是第七代產品，此系列產品以1-2-3-4-4X-5的順序開發而成。LPDDR5T則是SK海力士首次開發的產品，也是第八代LPDDR6問世之前，將第七代LPDDR（5X）性能進一步升級的產品。SK海力士表示，LPDDR5T可以最大幅度地提升智能型手機效能，其速率達到了前所未有的高
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據報道，近日，韓國芯片制造商SK海力士周一表示，已開始向中國智能手機制造商Vivo供應其最新款移動DRAM芯片。據悉，SK海力士表示，今年1月開發的16GB低功耗雙數據速率5 Turbo （LPDDR5T）封裝將與臺灣芯片制造商聯發科的下一代移動應用處理器（AP）一起安裝在Vivo最新的智能手機型號X100和X100 Pro上。據了解，這是LPDDR5T技術的首次商業化。LPDDR5T是繼LPDDR5X之后移動DRAM技術的最新成果，是目前最快的移動DRAM，可實現 9.6Gpbs的傳輸速度。
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鎧俠控股（原東芝存儲器）宣布，在其四日市和北上工廠共同開發和生產 NAND 閃存的公司與美國西部數據公司（以下簡稱「西部數據」）正在進行業務整合，定檔 2023 年 9 月。據日經新聞 10 月 13 日報道，兩家公司將成立一家控股公司，其中包括 西部數據 的內存部門和 鎧俠 Holdings（圖 1）。屆時，鎧俠總裁早坂伸夫將出任新公司總裁，鎧俠將持有董事會多數席位。另外，注冊總部將在美國，總部地點將在日本。此外，新公司將在美國納斯達克市場上市，并計劃在東京證券交易所上市。圖 1 鎧俠與西部數據管理整合
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韓國芯片制造商 SK 海力士（SK Hynix）在經歷了又一個利潤率和收入下降的季度后，表現得很勇敢，強調了需求的逐步恢復，以及在今年早些時候削減資本支出后，計劃在 2024 年增加資本支出。在第三季度財報電話會議上，首席財務官 Kim Woohyun 指出，對高性能存儲芯片的需求不斷增長，降低了銷售額的下降率。然而旗艦智能手機的發布和人工智能服務器部署的激增推動了芯片需求。"我們相信，內存行業終于度過了嚴重的低迷期，正在進入全面復蘇階段"。Kim指出，該公司的目標是通過考慮投資效率和
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SK海力士公司近日宣布，其在第三季度實現了盈利，結束了連續四個季度的虧損。這得益于人工智能產業的蓬勃發展，帶動了用于高性能芯片的需求。SK海力士表示，其DRAM業務在第三季度重新實現了盈利，并預計隨著生成型人工智能的繁榮而繼續改善。盡管NAND閃存業務仍在虧損，但與今年第一季度和第二季度相比已經有了好轉。值得一提的是，內存芯片行業自去年以來一直處于下滑態勢。分析師們預測，SK海力士銷售數據存儲所需的NAND閃存芯片業務可能在第三季度虧損約2萬億韓元。然而，在高帶寬內存（HBM）芯片方面需求卻保持穩定。SK
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與上一季度47%的收入相比，SK海力士本季度收入下降了17%，最近智能手機和PC的市場需求一直處于低迷狀態。SK海力士股份有限公司報告稱，第三季度收入下降較為溫和，并表示將增加資本支出，這表明全球半導體市場在經歷了一年多的挑戰后可能正在復蘇。彭博社匯編的分析師預測顯示，海力士收入下降了17%，下降至9.07萬億韓元，而預期為8.14萬億韓元。這比前三個月47%的下滑有所改善，而前一個季度則下降了58%以上。其運營虧損縮減至1.79萬億韓元，而預計虧損為1.7萬億韓元。其凈虧損2.2萬億韓元，比預計虧損1.
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IT之家?10 月 26 日消息，全球第二大內存芯片制造商 SK 海力士公司表示，人工智能的熱潮將推動芯片利潤增長，該公司在第三季度的虧損比上一季度大幅縮小。該公司在周四表示，用于人工智能的高級芯片的強勁需求，緩解了由于智能手機和電腦等設備中使用的普通芯片需求持續低迷而造成的影響。SK 海力士表示，其銷售用于科技設備的 DRAM 芯片的業務，在第三季度重新盈利，而今年前兩個季度都是虧損的。該芯片制造商在一份聲明中說：“DRAM 業務…… 預計隨著生成型人工智能的繁榮而繼續改善。仍然虧損的 NAN
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