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          展望存儲(chǔ)后市,三星、SK海力士與美光這樣看待

          • 受經(jīng)濟(jì)逆風(fēng)、消費(fèi)電子需求低迷、存儲(chǔ)芯片價(jià)格下跌等因素影響,存儲(chǔ)大廠普遍業(yè)績(jī)承壓,三星電子公布的最新財(cái)報(bào)同樣如此。三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)下滑,DRAM、NAND Flash表現(xiàn)不同4月27日,三星電子公布 2023 年第一季度的財(cái)報(bào)。一季度三星營(yíng)業(yè)收入為 63.7 萬(wàn)億韓元,同比下降 18%;營(yíng)業(yè)利潤(rùn)為6400億韓元,同比下降95%。該季三星DS部門業(yè)務(wù)收入13.73萬(wàn)億韓元,同比下滑49%,環(huán)比下降32%。其中存儲(chǔ)業(yè)務(wù)部門收入8.92萬(wàn)億韓元,同比下降56%,環(huán)比下跌27%。三星表示,存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)的業(yè)績(jī)與上一季度相比
          • 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)  三星  SK海力士  美光  

          SK海力士開(kāi)發(fā)出世界首款12層堆疊HBM3 DRAM

          • 2023年4月20日, SK海力士宣布,再次超越了現(xiàn)有最高性能DRAM(內(nèi)存)——HBM3*的技術(shù)界限,全球首次實(shí)現(xiàn)垂直堆疊12個(gè)單品DRAM芯片,成功開(kāi)發(fā)出最高容量24GB(Gigabyte,千兆字節(jié))**的HBM3 DRAM新產(chǎn)品,并正在接受客戶公司的性能驗(yàn)證。SK海力士強(qiáng)調(diào)“公司繼去年6月全球首次量產(chǎn)HBM3 DRAM后,又成功開(kāi)發(fā)出容量提升50%的24GB套裝產(chǎn)品。”,“最近隨著人工智能聊天機(jī)器人(AI Chatbot)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,高端存儲(chǔ)器需求也隨之增長(zhǎng),公司將從今年下半年起將其推向市場(chǎng),以滿足
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  堆疊HBM3  DRAM  

          AI服務(wù)器需求帶動(dòng)HBM供應(yīng)

          • AI服務(wù)器出貨動(dòng)能強(qiáng)勁帶動(dòng)HBM(high bandwidth memory)需求提升,據(jù)TrendForce集邦咨詢研究顯示,2022年三大原廠HBM市占率分別為SK海力士(SK hynix)50%、三星(Samsung)約40%、美光(Micron)約10%。此外,高階深度學(xué)習(xí)AI GPU的規(guī)格也刺激HBM產(chǎn)品更迭,2023下半年伴隨NVIDIA H100與AMD MI300的搭載,三大原廠也已規(guī)劃相對(duì)應(yīng)規(guī)格HBM3的量產(chǎn)。因此,在今年將有更多客戶導(dǎo)入HBM3的預(yù)期下,SK海力士作為目
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          SK海力士與Rambus延長(zhǎng)全面專利許可協(xié)議10年

          • 當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月4日,Rambus宣布,與SK海力士的全面專利許可協(xié)議延長(zhǎng)10年。據(jù)悉,該延長(zhǎng)的協(xié)議將于2024年7月1日生效,保持類似的財(cái)務(wù)條款,在2034年中期之前SK海力士可以廣泛使用完整的Rambus專利組合。資料顯示,Rambus是一家知名的芯片IP和芯片提供商,成立于1990年。Rambus創(chuàng)建之初便致力于高端存儲(chǔ)產(chǎn)品的研究與開(kāi)發(fā),擁有數(shù)千項(xiàng)專利。2013年,SK海力士和Rambus簽訂了一個(gè)為期5年的專利授權(quán)協(xié)議,SK海力士向Rambus支付2.4億美元的專利授權(quán)費(fèi),按照每季度1200萬(wàn)美元的方
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  Rambus  專利許可  

          美國(guó)允許 韓國(guó)芯片雙雄松了一口氣

          • 韓國(guó)貿(mào)易部周三表示,即使在華盛頓提議的旨在防止美國(guó)補(bǔ)貼在中國(guó)使用的規(guī)則實(shí)施之后,但三星電子和 SK 海力士將能夠維護(hù)和升級(jí)其在中國(guó)的制造設(shè)施——盡管幅度很小。美國(guó)商務(wù)部周二宣布,將限制《芯片與科學(xué)法案》資金的接受者在包括中國(guó)和俄羅斯在內(nèi)的“相關(guān)國(guó)家”投資擴(kuò)大半導(dǎo)體制造。   但該限制并非完全禁止在中國(guó)投資,因?yàn)樵摬块T允許接受公司將先進(jìn)芯片的產(chǎn)能擴(kuò)大 5%,將采用相對(duì)較舊制造工藝生產(chǎn)的芯片產(chǎn)能擴(kuò)大 10%。   貿(mào)易、工業(yè)和能源部在審查了所謂的芯片護(hù)欄細(xì)節(jié)和去年通過(guò)的
          • 關(guān)鍵字: 韓國(guó)  三星  SK海力士  芯片法案  

          存儲(chǔ)大廠展示300層NAND Flash,預(yù)計(jì)最快2024年問(wèn)世

          • 近日,在第70屆IEEE國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(ISSCC)上,韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠SK海力士展示了最新300層堆疊第八代3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器原型。SK海力士表示,新3D NAND Flash快閃存儲(chǔ)器預(yù)定兩年內(nèi)上市,有望打破紀(jì)錄。外媒報(bào)導(dǎo),SK海力士揭示有更快資料傳輸量和更高儲(chǔ)存等級(jí)的第八代3D NAND Flash開(kāi)發(fā),提供1TB(128GB)容量,20Gb/mm2單位容量、16KB單頁(yè)容量、四個(gè)平面和2,400MT/s的介面。最大資料傳輸量達(dá)194MB/s,較上一代238層堆疊和164MB/
          • 關(guān)鍵字: 300層  NAND Flash  SK海力士  

          存儲(chǔ)芯片價(jià)格較去年峰值腰斬 SK海力士錄得史上最大季度虧損

          • 由于存儲(chǔ)芯片價(jià)格暴跌,韓國(guó)芯片制造巨頭、蘋果供應(yīng)商SK海力士(SK Hynix Inc.)周三公布了有史以來(lái)最大的季度虧損。該公司仍堅(jiān)持將今年資本支出減半的計(jì)劃。財(cái)聯(lián)社2月1日訊(編輯 卞純)由于存儲(chǔ)芯片價(jià)格暴跌,韓國(guó)芯片制造巨頭、蘋果供應(yīng)商SK海力士(SK Hynix Inc.)周三公布了有史以來(lái)最大的季度虧損。該公司仍堅(jiān)持將今年資本支出減半的計(jì)劃。海力士公布,在截至去年12月的三個(gè)月,營(yíng)收下降38%,運(yùn)營(yíng)虧損1.7萬(wàn)億韓元(合14億美元)。分析師的平均預(yù)期是虧損1.1萬(wàn)億韓元。存儲(chǔ)芯片價(jià)格已經(jīng)較202
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  存儲(chǔ)芯片  虧損  價(jià)格  

          SK海力士副會(huì)長(zhǎng)樸正浩與高通CEO在CES 2023舉行會(huì)談, 探討加強(qiáng)半導(dǎo)體業(yè)務(wù)合作

          •  ·  副會(huì)長(zhǎng)樸正浩會(huì)見(jiàn)高通公司高層,廣泛探討合作機(jī)會(huì)·  SK海力士將繼續(xù)尋求與全球科技企業(yè)跨地域、跨行業(yè)展開(kāi)合作 韓國(guó)首爾,2023年1月6日 – SK海力士今日宣布,SK海力士副會(huì)長(zhǎng)兼聯(lián)合CEO樸正浩在美國(guó)拉斯維加斯CES 2023開(kāi)幕前一天與高通公司舉行會(huì)談探討加強(qiáng)合作。1月4日(美國(guó)時(shí)間),樸正浩副會(huì)長(zhǎng)與SK海力士社長(zhǎng)兼聯(lián)合CEO郭魯正及其他高層領(lǐng)導(dǎo),與高通公司總裁兼CEO安蒙(Cristiano Amon)在拉斯維加斯舉行了會(huì)談。雙方高層就眾多話題展開(kāi)討
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  高通  CES 2023  

          SSD跌成白菜價(jià) 三星急忙出手:閃存逆市漲價(jià)10%

          • 2022年內(nèi)存及閃存兩種存儲(chǔ)芯片的價(jià)格一直在下滑,以致于SSD硬盤跌成白菜價(jià)了,2TB不到700元,但是這樣的價(jià)格也讓閃存廠商很難受,三星已經(jīng)開(kāi)始出手逆轉(zhuǎn)價(jià)格,12月份閃存漲價(jià)10%。據(jù)電子時(shí)報(bào)援引供應(yīng)鏈消息,雖然市場(chǎng)需求低迷,但三星12月上半月依舊選擇上調(diào)NAND閃存價(jià)格,其中3D NAND閃存價(jià)格漲幅高達(dá)10%。三星是全球第一大閃存供應(yīng)商,Q2季度的銷售額59.8億美元,環(huán)比下滑5.4%,所占的份額也由上一季度的35.3%降至33%,依然遙遙領(lǐng)先其他廠商。a收購(gòu)Intel閃存業(yè)務(wù)之后,SK海力士成立了
          • 關(guān)鍵字: SSD  閃存  三星  SK海力士  美光  

          SK海力士研發(fā)全球最快內(nèi)存:超越DDR5-4800 80%!

          • SK海力士宣布,已經(jīng)研發(fā)出全新、全球最快的MCR DDR5 DIMM內(nèi)存, 起步速率就可以達(dá)到8Gbps,相比于標(biāo)準(zhǔn)的DDR5-4800快了多達(dá)80% ,也追平了DDR5內(nèi)存條的最高紀(jì)錄—— 芝奇剛剛發(fā)售DDR5-8000。這種新內(nèi)存由SK海力士聯(lián)合Intel、瑞薩共同研發(fā),面向服務(wù)器領(lǐng)域。MCR全稱“ Multiplexer Combined Ranks ”,多路復(fù)用器組合列的意思。它采用了Intel MCR技術(shù),通過(guò)在DRAM內(nèi)存模組、CPU處理器之間加入特殊的
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DDR5  DIMM  內(nèi)存  

          業(yè)界最快:SK 海力士開(kāi)發(fā)出數(shù)據(jù)傳輸速率達(dá) 8Gbps 的服務(wù)器 DDR5 內(nèi)存模組

          • IT之家 12 月 8 日消息,SK 海力士今日在官網(wǎng)宣布,成功開(kāi)發(fā)出 DDR5 多路合并陣列雙列直插內(nèi)存模組樣品,這是目前業(yè)界最快的服務(wù)器 DRAM 產(chǎn)品。該產(chǎn)品的最低數(shù)據(jù)傳輸速率也高達(dá) 8Gbps,較之目前 DDR5 產(chǎn)品 4.8Gbps 提高了 80% 以上。官方稱,該 MCR DIMM 產(chǎn)品采用了全新的方法來(lái)以提高 DDR5 的傳輸速度。雖然普遍認(rèn)為 DDR5 的運(yùn)行速度取決于單個(gè) DRAM 芯片的速度,但 SK 海力士工程師在開(kāi)發(fā)該產(chǎn)品時(shí)另辟蹊徑,提高了模塊的速度而非單個(gè) DRAM 芯
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  DRAM  

          1TB降到100元可期!SSD還要降價(jià) 原廠顆粒賣不動(dòng):內(nèi)存閃存市場(chǎng)價(jià)繼續(xù)走跌

          • 很顯然內(nèi)存市場(chǎng)的需求依然很淡,不少消費(fèi)者依然沒(méi)有出手,當(dāng)然還是覺(jué)得廠商能繼續(xù)降價(jià)。調(diào)研機(jī)構(gòu)TrendForce現(xiàn)發(fā)布了最新的研究報(bào)告,表明目前DRAM現(xiàn)貨報(bào)價(jià)仍在保持下跌的趨勢(shì),主要買家對(duì)未來(lái)皆抱持跌價(jià)心態(tài),整體市況仍因大環(huán)境因素影響價(jià)格難以止跌。具體來(lái)說(shuō):DDR4 1Gx8 2666/3200 部分,SK 海力士 DJR-XNC 一般成交價(jià)在 1.95~2.00 美元左右;三星WC-BCWE報(bào)價(jià)下調(diào)至 2.08~2.10 美元,WC-BCTD 因月底即將到貨而降至 2.00~2.03 美元。
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)存  DRAM,三星  SK海力士  

          速度優(yōu)勢(shì)是HBM產(chǎn)品成功的關(guān)鍵

          • 高帶寬存儲(chǔ)器(HBM, High Bandwidth Memory)是一種可以實(shí)現(xiàn)高帶寬的高附加值DRAM產(chǎn)品,適用于超級(jí)計(jì)算機(jī)、AI加速器等對(duì)性能要求較高的計(jì)算系統(tǒng)。隨著計(jì)算技術(shù)的發(fā)展,機(jī)器學(xué)習(xí)的應(yīng)用日漸廣泛,而機(jī)器學(xué)習(xí)的基礎(chǔ)是自20世紀(jì)80年代以來(lái)一直作為研究熱點(diǎn)的神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)模型。作為速度最快的DRAM產(chǎn)品,HBM在克服計(jì)算技術(shù)的局限性方面發(fā)揮著關(guān)鍵的作用。HBM的高帶寬離不開(kāi)各種基礎(chǔ)技術(shù)和先進(jìn)設(shè)計(jì)工藝的支持。由于HBM是在3D結(jié)構(gòu)中將一個(gè)邏輯die與4-16個(gè)DRAM die堆疊在一起,因此開(kāi)發(fā)過(guò)
          • 關(guān)鍵字: 速度  HBM  SK海力士  

          韓國(guó)芯片出口暴降30%!SSD腰斬白菜價(jià)甩賣:SK海力士、三星虧到家

          • 作為韓國(guó)的重要支柱,芯片出口的多少,直接關(guān)系著幾大財(cái)團(tuán)的營(yíng)收,比如三星、SK海力士等等。據(jù)國(guó)外媒體報(bào)道,消費(fèi)電子產(chǎn)品需求下滑,導(dǎo)致對(duì)芯片的需求下滑,尤其是存儲(chǔ)芯片,需求與價(jià)格雙雙下滑。韓國(guó)關(guān)稅廳最新公布的數(shù)據(jù)顯示,在11月份的前20天,韓國(guó)芯片出口52.8億美元,同比下滑 29.4%。除了芯片,韓國(guó)重要的出口產(chǎn)品還有智能手機(jī)等移動(dòng)設(shè)備,但這一類產(chǎn)品的出口額在前 20 天的出口額,也同比下滑20.6%,降至13.6億美元。比較有標(biāo)志性的一個(gè)現(xiàn)象是,全球智能手機(jī)老大已經(jīng)在不停的砍單了,至少在3000萬(wàn)部,這也
          • 關(guān)鍵字: 三星  SK海力士  DRAM  NAND  

          SK海力士全球首次在移動(dòng)端DRAM制造上采用HKMG工藝

          • Warning: file_get_contents(): php_network_getaddresses: getaddrinfo failed: Name or service not known in /var/www/html/www.edw.com.cn/www/rootapp/controllerssitemanage/ManagecmsController.php on line 2013 Warning: file_get_contents(https://img.dramx.co
          • 關(guān)鍵字: SK海力士  移動(dòng)端  DRAM  HKMG  
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          sk海力士介紹

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