sk海力士 文章 進入sk海力士技術(shù)社區(qū)
SK 海力士出席戴爾科技全球峰會，展示 PVC10 固態(tài)硬盤等存儲新品
- IT之家 5 月 22 日消息，在北京時間本月 21 日至 24 日舉行的戴爾科技全球峰會上，SK 海力士帶來了多款存儲領(lǐng)域新品，涵蓋內(nèi)存、固態(tài)硬盤品類。在消費級固態(tài)硬盤領(lǐng)域，SK 海力士展示了尚未正式公布的 PVC10 固態(tài)硬盤。PVC10 采用 PCIe Gen4x4 規(guī)格，支持 M.2 2230/2242/2280 三種物理規(guī)格，可選 256GB~1TB 容量。限于圖片分辨率，IT之家無法確認 PVC10 的具體讀寫性能，預(yù)計將強于此前推出的 BC901。而在企業(yè)級固態(tài)硬盤方面，SK 海力
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三星和SK海力士計劃今年下半年將停產(chǎn)DDR3
- 近兩年，DRAM市場已經(jīng)開始從DDR4內(nèi)存向DDR5內(nèi)存過渡，此外在存儲器市場經(jīng)歷低迷后，供應(yīng)商普遍減少了DDR3內(nèi)存的生產(chǎn)并降低了庫存水平。DDR3內(nèi)存的市場需求量進一步減少，更多地被DDR4和DDR5內(nèi)存所取代。據(jù)市場消息稱，全球頭部DRAM供貨商三星、SK海力士將在下半年停止供應(yīng)DDR3內(nèi)存，全力沖刺高帶寬內(nèi)存（HBM）與主流DDR5規(guī)格內(nèi)存。隨著三星和SK海力士停產(chǎn)DDR3內(nèi)存，很可能帶動DDR3內(nèi)存的價格上漲，預(yù)計漲幅最高可達20%。三星已經(jīng)通知客戶將在本季度末停產(chǎn)DDR3；而SK海力士則在去年
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消息稱 SK 海力士將為特斯拉代工生產(chǎn)電源管理芯片
- IT之家 5 月 16 日消息，韓國每日經(jīng)濟新聞報道稱，SK 海力士代工部門啟方半導(dǎo)體（SK Key Foundry）將于今年下半年開始為特斯拉生產(chǎn)電源管理（PMIC）芯片。▲ 圖源：SK Key Foundry業(yè)內(nèi)人士表示，SK 啟方半導(dǎo)體計劃最早于 7 月在忠清北道清州工廠的 8 英寸晶圓廠生產(chǎn)電源管理芯片，并安裝在特斯拉電動汽車上。除了特斯拉之外，SK 啟方半導(dǎo)體還在汽車功率半導(dǎo)體領(lǐng)域與多個全球車企展開合作，近期還通過了博世、大陸集團等全球領(lǐng)先汽車零部件公司的生產(chǎn)質(zhì)量審查。半導(dǎo)體
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DDR3內(nèi)存正式終結(jié)！三星、SK海力士停產(chǎn) 漲價20％
- 5月15日消息，據(jù)市場消息稱，三星、SK海力士將在下半年停止生產(chǎn)、供應(yīng)DDR3內(nèi)存，轉(zhuǎn)向利潤更豐厚的DDR5內(nèi)存、HBM系列高帶寬內(nèi)存。DDR3雖然在技術(shù)、性能上已經(jīng)落伍，PC、服務(wù)器都不再使用，但因為非常成熟，功耗和價格都很低，在嵌入式領(lǐng)域依然大有可為，尤其是Wi-Fi路由器、網(wǎng)絡(luò)交換機等。但對于芯片廠商來說，DDR3利潤微薄，無利可圖，形同雞肋。而在AI的驅(qū)動下，HBM高帶寬內(nèi)存需求飆升，產(chǎn)能遠遠無法滿足，2024年和2025年的大部分產(chǎn)能都已經(jīng)被訂滿，HBM2E、HBM3、HBM3E等的價格預(yù)計明年
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SK海力士出售無錫晶圓廠
- 據(jù)韓媒報道，SK海力士子公司SK海力士系統(tǒng)集成電路（SK Hynix System IC）計劃將其持有的無錫晶圓廠（SK Hynix System IC (Wuxi) Limited）49.9%的股權(quán)，轉(zhuǎn)讓給中國無錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團有限公司（以下簡稱“無錫產(chǎn)業(yè)發(fā)展集團”）。報道稱，交易將在今年10月份完成。這一戰(zhàn)略舉措旨在進一步加強無錫晶圓廠與中國市場的聯(lián)系，并擴大其在中國市場的業(yè)務(wù)布局。據(jù)悉，本次股權(quán)轉(zhuǎn)讓計劃分為兩個階段。第一階段，SK海力士系統(tǒng)集成電路將以約2054億韓元（約合10.87億元人民幣）的價格
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SK海力士開發(fā)新一代移動端NAND閃存解決方案“ZUFS 4.0”
- · 作為業(yè)界最高性能產(chǎn)品，將于今年第3季度開始量產(chǎn)并搭載于端側(cè)AI手機· 與前一代產(chǎn)品相比，長期使用所導(dǎo)致的性能下降方面實現(xiàn)大幅改善，其使用壽命也提升40%· “繼HBM后，也在NAND閃存解決方案領(lǐng)域引領(lǐng)面向AI的存儲器市場”2024年5月9日，SK海力士宣布，公司開發(fā)出用于端側(cè)（On-Device）AI*的移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品“ZUFS**（Zoned UFS）4.0”。SK海力士表示：“ZUFS 4.0為新一代移動端NAND閃存解決方案產(chǎn)品，其產(chǎn)品實現(xiàn)業(yè)界最高
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累計上漲100%還不停！消息稱SK海力士將對內(nèi)存等漲價 至少上調(diào)20%
- 5月6日消息，供應(yīng)鏈爆料稱，SK海力士將對旗下LPDDR5、LPDDR4、NAND、DDR5等產(chǎn)品提價，漲幅均有15%-20%。按照消息人士的說法，海力士DRAM產(chǎn)品價格從去年第四季度開始逐月上調(diào)，目前已累計上漲約60%-100%不等，下半年漲幅將趨緩。靠著存儲漲價，三星電子2024年第一季營業(yè)利潤達到了6.606萬億韓元。財報顯示，三星電子一季度存儲業(yè)務(wù)營收17.49萬億韓元，環(huán)比增長11%，同比暴漲96%，在整體的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)營收當(dāng)中的占比高達75.58%。三星表示，一季度存儲市場總體需求強勁，特別是生
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SK海力士計劃在清州M15X工廠新建DRAM生產(chǎn)基地
- 自SK海力士官網(wǎng)獲悉，4月24日，SK海力士宣布，為應(yīng)對AI半導(dǎo)體需求的急劇增長，計劃擴大AI基礎(chǔ)設(shè)施核心組件HBM等下一代DRAM的生產(chǎn)能力。SK海力士表示，若理事會批準(zhǔn)該計劃，三星電子將在忠北清州M15X工廠建立新的DRAM生產(chǎn)基地，并投資5.3萬億韓元用于建設(shè)新工廠。該工廠計劃于4月底開始建設(shè)，目標(biāo)是在2025年11月完工，并進行早期批量生產(chǎn)。隨著設(shè)備投資的逐步增加，新生產(chǎn)基地的長期總投資將超過20萬億韓元。（圖源：SK海力士官網(wǎng)）SK海力士總經(jīng)理郭魯正(Kwak Noh-Jung)稱，M15X將成
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SK海力士與美國印第安納州簽約先進后端工藝領(lǐng)域投資合作
- 2024年4月4日，SK海力士宣布，在美國印第安納州西拉斐特（West Lafayette）建造適于AI的存儲器先進封裝生產(chǎn)基地，同時與美國普渡（Purdue）大學(xué)等當(dāng)?shù)匮芯繖C構(gòu)進行半導(dǎo)體研究和開發(fā)合作。公司計劃向該項目投資38.7億美元。當(dāng)?shù)貢r間4月3日，公司與印第安納州、普渡大學(xué)、美國政府有關(guān)人士在位于西拉斐特的普渡大學(xué)舉辦了投資簽約儀式活動，并在此發(fā)表了上述計劃。印第安納州州長埃里克·霍爾科姆（Eric Holcomb）、美國參議員（印第安納州）托德·楊（Todd Young）、白宮科技政策辦公
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SK海力士清算上海公司并轉(zhuǎn)向無錫，重組中國業(yè)務(wù)
- 由于上海公司的銷售額持續(xù)下降，SK海力士的中國業(yè)務(wù)中心已轉(zhuǎn)移到無錫，因此決定清算上海銷售公司。據(jù)韓媒報道，韓國半導(dǎo)體公司SK海力士正在重組其在中國的業(yè)務(wù)。報道稱，該公司計劃關(guān)閉成立于2006年的上海公司，并將重點轉(zhuǎn)移到其半導(dǎo)體制造工廠所在地?zé)o錫，作為其在中國的新業(yè)務(wù)中心。據(jù)悉，SK海力士在中國有三家工廠，分別是無錫DRAM廠、大連NAND閃存廠和重慶封裝廠。由于上海公司的銷售額持續(xù)下降，且與無錫的地理位置相近，SK海力士的中國業(yè)務(wù)中心已轉(zhuǎn)移到無錫，因此公司決定清算上海銷售公司，提高效率降低風(fēng)險。
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兩家存儲大廠：今年HBM售罄
- 近期，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經(jīng)售罄，已開始為2025年做準(zhǔn)備。稍早之前，美光科技CEO Sanjay Mehrotra也對外透露，美光2024年的HBM產(chǎn)能預(yù)計已全部售罄。生成式AI火熱發(fā)展，推動了云端高性能AI芯片對于高帶寬內(nèi)存（HBM）的旺盛需求，存儲大廠積極瞄準(zhǔn)HBM擴產(chǎn)。其中，三星電子從2023年四季度開始擴大HBM3的供應(yīng)。此前2023年四季度三星內(nèi)部消息顯示，已經(jīng)向客戶提供了下一代HBM3E的8層堆疊樣品，并計劃在今年上半年開始量產(chǎn)。到下半年，其占比預(yù)計將
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SK海力士“狂飆”，HBM是“救命良藥”
- 最近，SK 海力士披露了亮眼的第四季度財報，2023 年第四季度實現(xiàn)扭虧為盈，當(dāng)季營業(yè)利潤 3460 億韓元（約合 2.6 億美元），而上年同期營業(yè)虧損 1.91 萬億韓元。這意味著，SK 海力士成功擺脫了從 2022 年第四季度以來一直持續(xù)的營業(yè)虧損情況。相比之下，同為韓國半導(dǎo)體巨頭的三星，業(yè)績卻不盡如人意。數(shù)據(jù)顯示，三星電子去年銷售額為 258.16 萬億韓元（1.4 萬億元人民幣），同比下滑 14.58%。受半導(dǎo)體部門業(yè)績不佳影響，三星電子全年營業(yè)利潤時隔 15 年再次跌至 10 萬億韓元（544
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SK海力士擬以CAMM內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn) 攻桌面計算機市場
- 據(jù)了解，CAMM是一種新型內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，厚度更薄，容量更大；速度更快，功耗也更低。該標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)發(fā)展到第二代，即應(yīng)用于筆電和輕薄型PC的LPCAMM2。SK海力士在CES 2024展會上指出，CAMM標(biāo)準(zhǔn)將進軍桌面計算機平臺，而首款支持桌面計算機CAMM產(chǎn)品也在研發(fā)中，但未透露具體細節(jié)。CAMM2將采用統(tǒng)一連接器設(shè)計，兼容DDR5和低功耗LPDDR5／X內(nèi)存模塊。市場人士預(yù)計，CAMM內(nèi)存的導(dǎo)入，將對主板設(shè)計帶來重大變革，目前主流主板采用2或4個DIMM插槽，使用最新64GB模塊，可獲得最高256GB容量。如果想
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韓國芯片巨頭SK海力士計劃升級在華工廠
- 據(jù)韓媒報道，韓國芯片巨頭SK海力士準(zhǔn)備打破美國對華極紫外（EUV）光刻機出口相關(guān)限制，對其中國半導(dǎo)體工廠進行技術(shù)提升改造。這被外界解讀為，隨著半導(dǎo)體市場的復(fù)蘇以及中國高性能半導(dǎo)體制造能力提升，一些韓國芯片企業(yè)準(zhǔn)備采取一切可以使用的方法來提高在華工廠制造工藝水平。韓國《首爾經(jīng)濟》13日的報道援引韓國業(yè)內(nèi)人士的話稱，SK海力士計劃今年將其中國無錫工廠的部分動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）生產(chǎn)設(shè)備提升至第四代10納米工藝。對于“無錫工廠將技術(shù)升級”的消息，SK海力士方面表示“無法確認工廠的具體運營計劃”。無錫工廠
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