x-gan 文章進(jìn)入x-gan技術(shù)社區(qū)

X-FAB新一代光電二極管顯著提升傳感靈敏度

全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）近日宣布，在其現(xiàn)有為光學(xué)傳感器而特別優(yōu)化的180nm CMOS半導(dǎo)體工藝平臺(tái)——XS018上，現(xiàn)推出四款新型高性能光電二極管。豐富了光電傳感器的產(chǎn)品選擇，強(qiáng)化了X-FAB廣泛的產(chǎn)品組合。2×2光電二極管排列布局示例圖此次推出的四款新產(chǎn)品中，兩款為響應(yīng)增強(qiáng)型光電二極管doafe和dobfpe，其靈敏度在紫外、可見(jiàn)光和紅外波長(zhǎng)（全光譜）上均有所提升；另外還有兩款先進(jìn)的紫外線專用光電二極管dosuv和dosu
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三相集成GaN技術(shù)如何更大限度地提高電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的性能

在應(yīng)對(duì)消費(fèi)類電器、樓宇暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)和工業(yè)驅(qū)動(dòng)裝置的能耗挑戰(zhàn)中，業(yè)界積極響應(yīng)，通過(guò)實(shí)施諸如季節(jié)性能效比(SEER)、最低能效標(biāo)準(zhǔn)(MEPS)、Energy Star 和Top Runner等項(xiàng)目推進(jìn)建立系統(tǒng)能效評(píng)級(jí)體系。變頻驅(qū)動(dòng)器(VFD) 可為加熱和冷卻系統(tǒng)提供出色的系統(tǒng)效率，特別是在這些系統(tǒng)具有范圍非常寬的精確速度控制的情況下。VFD使用逆變器控制電機(jī)轉(zhuǎn)速，并進(jìn)行高頻脈寬調(diào)制(PWM)開(kāi)關(guān)，可獲得真正的可變速度控制。雖然這些逆變器目前是使用絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效
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瑞薩三合一驅(qū)動(dòng)單元方案，助力電動(dòng)車輕盈啟航

如今，電動(dòng)汽車驅(qū)動(dòng)器正在從傳統(tǒng)的分布式系統(tǒng)過(guò)渡到集中式架構(gòu)。在傳統(tǒng)的電動(dòng)汽車設(shè)計(jì)中，逆變器、車載充電器、DC/DC轉(zhuǎn)換器等關(guān)鍵部件往往采用分布式布局，各自獨(dú)立工作，通過(guò)復(fù)雜的線束相互連接。這種設(shè)計(jì)方式不僅繁雜笨重，且維護(hù)起來(lái)也異常復(fù)雜。在這種情況下，X-in-1技術(shù)應(yīng)用而生。X-in-1技術(shù)是一種動(dòng)力傳動(dòng)系統(tǒng)的集成技術(shù)，?旨在將多個(gè)動(dòng)力傳動(dòng)組件集成到單一的系統(tǒng)中，?以提高整體性能、?減少體積和重量。?基于X-in-1技術(shù)，瑞薩推出三合一電動(dòng)汽車單元解決方案，該方案將多個(gè)分布式系統(tǒng)集成到一個(gè)實(shí)體中，包括車載
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Qualcomm Snapdragon X 芯片快照揭示巨大緩存大量 CPU 內(nèi)核

一個(gè)名叫 Piglin 的人在中國(guó)百度平臺(tái)上發(fā)布了一張據(jù)稱是高通驍龍 X 處理器的帶注釋的模具。該圖像顯示了大量的 CPU 內(nèi)核、中等大小的 GPU 和巨大的緩存。不幸的是，芯片沒(méi)有透露 45 TOPS 神經(jīng)處理單元（NPU），高通認(rèn)為該部件是該片上系統(tǒng)的主要賣點(diǎn)。芯片拍攝的泄密者表明，12 核 Snapdragon X Elite 的芯片尺寸為 169.6 mm^2。這比 Apple 的 10 核 M4 大一點(diǎn)，后者為 165.9 毫米^2。然而，應(yīng)該注意的是，高通的驍龍 X Elite 是采用臺(tái)積電
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ST更新軟件包, X-CUBE-MATTER支持 Matter 1.3

ST 高興地宣布X-CUBE-MATTER現(xiàn)已支持 Matter 1.3。幾個(gè)月前，我們發(fā)布了這個(gè)軟件包的公開(kāi)版，確保更多開(kāi)發(fā)者能夠使用這個(gè)軟件包。隨著今天新版本的發(fā)布，我們成為現(xiàn)在首批支持該標(biāo)準(zhǔn)最新版本的芯片廠商之一。在Matter 1.3新增的眾多功能中，值得一提的是能耗報(bào)告。顧名思義，這個(gè)功能可以讓設(shè)備更容易報(bào)告電能消耗情況，從而幫助用戶實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)能耗。另一個(gè)主要功能是間歇性連接設(shè)備，簡(jiǎn)稱ICD。簡(jiǎn)而言之，ICD功能可以讓 Matter 設(shè)備在特定間隔自動(dòng)打開(kāi)網(wǎng)絡(luò)連接，與其他設(shè)備通信，當(dāng)客戶端設(shè)備不可
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新潔能SiC/GaN功率器件及封測(cè)研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目延期

8月13日，新潔能發(fā)布公告稱，擬將此前募投項(xiàng)目中的“第三代半導(dǎo)體 SiC/GaN 功率器件及封測(cè)的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化”項(xiàng)目達(dá)到預(yù)定可使用狀態(tài)日期延期至2025年8月。此次延期是受宏觀環(huán)境等不可控因素的影響，項(xiàng)目的工程建設(shè)、設(shè)備采購(gòu)及人員安排等相關(guān)工作進(jìn)度均受到一定程度的影響，無(wú)法在計(jì)劃時(shí)間內(nèi)完成。據(jù)悉，此次延期項(xiàng)目屬新潔能二廠區(qū)擴(kuò)建項(xiàng)目，項(xiàng)目總投資約2.23億元，2022年開(kāi)建，原計(jì)劃2024年建設(shè)完成。項(xiàng)目建成后，將實(shí)現(xiàn)年產(chǎn) SiC/GaN 功率器件2640萬(wàn)只。新潔能稱，本次募投項(xiàng)目延期僅涉及項(xiàng)目進(jìn)度的
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CAGR達(dá)49%，2030全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)?；蛏?3.76億美元

根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告《2024全球GaN Power Device市場(chǎng)分析》顯示，隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。其中非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。AI應(yīng)用普及，GaN有望成為減熱增效的幕后英雄AI技術(shù)的演進(jìn)，帶動(dòng)算力需求持續(xù)攀升，C
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TrendForce：預(yù)計(jì)2030年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模上升至43.76億美元

8月15日消息，根據(jù)TrendForce集邦咨詢最新報(bào)告顯示，隨著英飛凌、德州儀器對(duì)GaN技術(shù)傾注更多資源，功率GaN產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023年全球GaN功率元件市場(chǎng)規(guī)模約2.71億美元，至2030年有望上升至43.76億美元，CAGR（復(fù)合年增長(zhǎng)率）高達(dá)49%。報(bào)告顯示，非消費(fèi)類應(yīng)用比例預(yù)計(jì)會(huì)從2023年的23%上升至2030年的48%，汽車、數(shù)據(jù)中心和電機(jī)驅(qū)動(dòng)等場(chǎng)景為核心。
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TrendForce：預(yù)計(jì) 2030 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規(guī)模 43.76 億美元，復(fù)合年均增長(zhǎng)率達(dá) 49%

IT之家 8 月 14 日消息，TrendForce 最新報(bào)告顯示，隨著英飛凌、德州儀器等對(duì) GaN（氮化鎵）技術(shù)傾注更多資源，功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的發(fā)展將再次提速。2023 年全球 GaN 功率元件市場(chǎng)規(guī)模約 2.71 億美元（IT之家備注：當(dāng)前約 19.39 億元人民幣），到 2030 年有望上升至 43.76 億美元（當(dāng)前約 313.14 億元人民幣），CAGR（復(fù)合年均增長(zhǎng)率）達(dá) 49%。據(jù)介紹，消費(fèi)電子是功率 GaN 產(chǎn)業(yè)的主戰(zhàn)場(chǎng)，并由快速充電器迅速延伸至家電、智能手
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萊迪思Avant-X：捍衛(wèi)數(shù)字前沿

現(xiàn)場(chǎng)可編程門陣列（FPGA）在當(dāng)今的眾多技術(shù)中發(fā)揮著重要作用。從航空航天和國(guó)防到消費(fèi)電子產(chǎn)品，再到關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車行業(yè)，F(xiàn)PGA在我們生活中不斷普及。與此同時(shí)對(duì)FPGA器件的威脅也在不斷增長(zhǎng)。想要開(kāi)發(fā)在FPGA上運(yùn)行（固件）的IP需要花費(fèi)大量資源，受這些FPGA保護(hù)的技術(shù)也是如此。這使得FPGA成為IP盜竊或破壞的潛在目標(biāo)。防止IP盜竊、客戶數(shù)據(jù)泄露和系統(tǒng)整體完整性所需的安全功能已經(jīng)不可或缺。它們是許多FPGA應(yīng)用的基礎(chǔ)，在某些地區(qū)有相應(yīng)法律要求（例如，歐盟的GDPR、美國(guó)的HIPAA、英國(guó)的2018年
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羅姆將亮相2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)

全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）將于8月28日～30日參加在深圳國(guó)際會(huì)展中心（寶安新館）舉辦的2024深圳國(guó)際電力元件、可再生能源管理展覽會(huì)（以下簡(jiǎn)稱PCIM Asia）（展位號(hào)：11號(hào)館D14）。屆時(shí)，將聚焦碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等寬禁帶半導(dǎo)體，展示其面向工業(yè)設(shè)備和汽車領(lǐng)域的豐富產(chǎn)品陣容及解決方案。同時(shí)，羅姆工程師還將在現(xiàn)場(chǎng)舉辦的“寬禁帶半導(dǎo)體器件— 氮化鎵及碳化硅論壇”以及“電動(dòng)汽車論壇”等同期論壇上發(fā)表演講，分享羅姆最新的功率電子技術(shù)成果。展位效果圖羅姆擁有世界先進(jìn)的碳化硅
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第三代半導(dǎo)體，距離頂流差了什么

潮流就是即便你放棄了我，也不妨礙我越來(lái)越火。距離特斯拉宣布放棄碳化硅已經(jīng)過(guò)去了一年，這個(gè)市場(chǎng)非但沒(méi)有被拋棄，反而以 GaN、SiC 為代表的第三代半導(dǎo)體發(fā)展備受關(guān)注：Yole 數(shù)據(jù)顯示，2026 年 GaN 市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)可達(dá) 6.72 億美元。SiC 碳化硅 2027 年全球 SiC 功率半導(dǎo)體市場(chǎng)規(guī)模有望突破 60 億美元。預(yù)測(cè)是人算不如天算，第三代半導(dǎo)體優(yōu)勢(shì)已經(jīng)被講的翻來(lái)覆去了，市場(chǎng)的反饋是最真實(shí)和殘酷的—很火但不是主流。碳化硅與新能源車能不能齊飛？新能源是第三代半導(dǎo)體應(yīng)用的重要驅(qū)動(dòng)力。新能源車的最大
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基于Diodes AP43776Q+PI3DBS16222Q+PI3DPX1207Q的車載USB3.X和DP數(shù)據(jù)通信方案

汽車的智能化不僅帶來(lái)了駕駛安全系數(shù)的提升，也豐富了車機(jī)的娛樂(lè)系統(tǒng)，使大家有更好的、更便利的用車體驗(yàn)。在各種的座艙設(shè)計(jì)中，USB口作為一個(gè)傳統(tǒng)的車機(jī)外設(shè)接口，功能也一直不斷的在提升，主要體現(xiàn)在充電功率的增大、數(shù)據(jù)傳輸?shù)亩鄻有院蛡鬏斔俣鹊脑黾樱汗β蕪?V/0.5A到60W、100W，數(shù)據(jù)從USB2.0升級(jí)為USB3.X、DP投屏等。功能的提升離不開(kāi)硬件的支持，Diodes推出的AP43776Q+PI3DPX1207Q+PI3DBS16222Q方案，支持PD協(xié)議、USB3.1 Gen2 數(shù)據(jù)傳輸和DP投
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英飛凌加速氮化鎵布局，引領(lǐng)低碳高效新紀(jì)元

近年來(lái)，隨著科技的不斷進(jìn)步和全球?qū)G色低碳發(fā)展的需求日益增長(zhǎng)，半導(dǎo)體行業(yè)迎來(lái)了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。氮化鎵（GaN）作為一種新型半導(dǎo)體材料，以其高功率、高效率、耐高溫等特性，在消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車、可再生能源等多個(gè)領(lǐng)域展現(xiàn)出巨大的應(yīng)用潛力。作為全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者，英飛凌在氮化鎵領(lǐng)域持續(xù)深耕，通過(guò)戰(zhàn)略布局、技術(shù)創(chuàng)新、市場(chǎng)應(yīng)用拓展等不斷鞏固其市場(chǎng)地位。近日，英飛凌在上海慕尼黑展會(huì)期間舉辦了一場(chǎng)專門的氮化鎵新品媒體溝通會(huì)，會(huì)上英飛凌科技大中華區(qū)消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)市場(chǎng)總監(jiān)程文濤先生以及英飛凌科技
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氮化鎵為何被如此看好，能否替代硅基材料大放異彩？

氮化鎵材料相較于硅基材料，顯著優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)在節(jié)能、成本節(jié)約及材料省用上。其核心亮點(diǎn)在于其超快的開(kāi)關(guān)速度，在硅、碳化硅與氮化鎵三者中獨(dú)占鰲頭。這一特性直接促進(jìn)了開(kāi)關(guān)頻率的大幅提升，進(jìn)而允許大幅縮減被動(dòng)元器件及散熱器的尺寸與數(shù)量，有效降低了物料消耗，彰顯了氮化鎵在物料節(jié)省方面的卓越能力。此外，在效率層面，氮化鎵與碳化硅并駕齊驅(qū)，通過(guò)實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通阻抗（即單位面積上可達(dá)到的最小電阻），相較于硅材料實(shí)現(xiàn)了數(shù)量級(jí)的優(yōu)化。這種高效的導(dǎo)電性能，是氮化鎵提升系統(tǒng)效率的關(guān)鍵所在。綜合上述兩方面優(yōu)勢(shì)，氮化鎵的應(yīng)用不僅促進(jìn)了系統(tǒng)性
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