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嵌入式核心板開發(fā)之ESD靜電保護
- 在電子產(chǎn)品開發(fā)中ESD靜電防護是不可或缺的一環(huán)，下面就為大家簡單介紹一下，核心板產(chǎn)品開發(fā)時有用的ESD二極管知識和技巧。ESD管的介紹ESD（Electrostatic Discharge Protection Devices），靜電保護元器件，又稱瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列（TVS Array），是由多個TVS晶粒或二極管采用不同的布局設(shè)計成具有特定功能的多路或單路ESD保護器件，主要應(yīng)用于各類通信接口靜電保護，比如USB、HDMI、RS485、RS232、VGA、RJ11、RJ45、BNC、SIM、SD等
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Nexperia宣布面向高速數(shù)據(jù)線的TrEOS系列ESD保護器件再添兩款新產(chǎn)品
- 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布Nexperia TrEOS產(chǎn)品組合再添新產(chǎn)品，即PESD4V0Y1BBSF和PESD4V0X2UM極低鉗位電壓ESD保護二極管。這些器件兼具高浪涌耐受性、非常低的觸發(fā)電壓和極低的鉗位電壓以及寬通帶，浪涌抗擾度出眾，出眾的IEC61000-4-5浪涌等級。 Nexperia高級產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider表示：“Nexperia開發(fā)了TrEOS產(chǎn)品組合，專門用于為我們的客戶提供一系列適用于USB3.2、USB4?、Thunderbolt
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實驗出真知！可充分發(fā)揮ESD保護元件性能的電路設(shè)計
- TDK的多層貼片式壓敏電阻產(chǎn)品陣容齊全，可保護設(shè)備因受ESD（靜電放電）影響而引發(fā)的故障和誤動作，能幫助客戶有效解決ESD問題。但隨著用戶設(shè)備的小型化、輕量化和高功能化，以前效果出眾的多層貼片式壓敏電阻產(chǎn)品也出現(xiàn)了無法充分發(fā)揮保護效果的情況。為了查明原因，我們以客戶設(shè)備的小型化為前提進行了ESD實驗，本期推文就來為您詳細介紹通過此次實驗得出的各數(shù)據(jù)與結(jié)果。5G技術(shù)的發(fā)展實現(xiàn)了設(shè)備之間的相互協(xié)作和實時通信，也對設(shè)備的設(shè)計提出了更高的要求，比如更小、更輕、更低功耗、更高功能、長期運行、高可靠性、更高的EMC耐
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經(jīng)典解析靜電放電（ESD）原理與設(shè)計-靜電來源及保護方法-KIA MOS管
- ESD，是靜電放電(Electrostatic Discharge)是指具有不同靜電電位的物體互相靠近或直接接觸引起的電荷轉(zhuǎn)移。ESD是一種常見的近場危害源，可形成高電壓，強電場，瞬時大電流，并伴有強電磁輻射，形成靜電放電電磁脈沖。靜電的來源在電子制造業(yè)中，靜電的來源是多方面的，如人體、塑料制品、有關(guān)的儀器設(shè)備以及電子元器件本身。人體是最重要的靜電源，這主要有三個方面的原因：1、人體接觸面廣，活動范圍大，很容易與帶有靜電荷的物體接觸或摩擦而帶電，同時也有許多機會將人體自身所帶的電荷轉(zhuǎn)移到器件上或者通過器件
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基本ESD模型及功能參數(shù)
- 將一個電容充電到高電壓（一般是2kV至8kV），然后通過閉合開關(guān)將電荷釋放進準備承受ESD沖擊的“受損”器件（圖1）。電荷的極性可以是正也可以是負，因此必須同時處理好正負ESD兩種情況?！ ?1)HBM(Human Body Model)，人體放電模型； 指帶電荷的人體與集成電路產(chǎn)品的管腳接觸并發(fā)生靜電荷轉(zhuǎn)移時，產(chǎn)生的ESD現(xiàn)象?！ ∪梭w等效電阻約1500歐姆，等效電容值為lOOpF，Ls與Cs寄生電感和電容。該ESD放電產(chǎn)生電流波形的上升時間在2~10ns范圍內(nèi)，持續(xù)時間在150~200ns范圍內(nèi)
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esd是指什么？靜電放電是什么？
- ESD（Electrostatic discharge），中文釋義為靜電放電?！ ≡斐伸o電放電有多種原因，但最常見的是靜電和靜電感應(yīng)。靜電通常是通過摩擦充電產(chǎn)生的，而靜電感應(yīng)則是作為物體的電荷重新排列而產(chǎn)生的。通常，當一個物體的表面獲得負電子而另一個物體失去電子并帶正電時，就會產(chǎn)生摩擦充電。當帶相反電荷的物體相互接觸時，電子傳遞能量然后分離，形成一種電荷接觸帶電?！ ≡诠I(yè)生產(chǎn)中靜電放電會導致兩種類型的電氣設(shè)備損壞，具體如下： 災(zāi)難性的：造成永久性傷害?！ 摲缘模簬缀鯔z測不到，已經(jīng)對組件造成損傷
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ESD簡介（簡單明了！）
- 記得小學時候的自然課上老師用冬天脫毛衣時的火花向年少的我們描述靜電的情形，那時候不禁對大自然肅然起敬。沒想到很多年之后學習集成電路課程，又一次跟靜電有了接觸，只是這一次沒有年少時的輕松與愉悅。靜電放電（Electrostatic Discharge, ESD）很容易造成電子元件或電子系統(tǒng)遭受過度電應(yīng)力而被永久破壞。靜電放電破壞的產(chǎn)生，大多數(shù)是由于人為因素造成的，但又很難避免。在芯片制造、生產(chǎn)、測試、搬運等過程中，靜電會積累在人體、儀器、設(shè)備之中，甚至芯片本身也會積累靜電，這些靜電一旦在某些情況下形放電通路
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Nexperia超低電容ESD保護二極管保護汽車數(shù)據(jù)接口
- 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布擴展其超低鉗位和超低電容ESD保護二極管系列產(chǎn)品組合。該產(chǎn)品組合旨在保護USB 3.2、HDMI 2.0、LVDS、汽車A/V監(jiān)視器、顯示器和攝像頭等高速數(shù)據(jù)線。此外，該產(chǎn)品組合還旨在解決未來高速視頻鏈路以及開放技術(shù)聯(lián)盟MGbit以太網(wǎng)應(yīng)用。 新晉產(chǎn)品包括2引腳單線器件PESD5V0C1BLS-Q和PESD5V0C1ULS-Q，采用超緊湊型DFN1006BD-2封裝，同時優(yōu)化了布線靈活性。此外，還有兩款采用DFN1006-3封裝的3引腳
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Nexperia的USB4 ESD二極管件實現(xiàn)了保護和性能的出色平衡
- 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今日宣布推出兩款經(jīng)優(yōu)化的靜電放電(ESD)保護二極管件，適用于高速數(shù)據(jù)線中的重定時器和信號中繼器。PESD2V8Y1BSF專為保護USB4 (Thunderbolt)接口而設(shè)計，而PESD4V0Y1BCSF可適用于USB4以及HDMI 2.1。這兩款產(chǎn)品均使用Nexperia的成熟TrEOS技術(shù)，集低鉗位、低電容和高穩(wěn)健性優(yōu)勢于一身。 重定時器和信號中繼器是設(shè)計高速USB4接口常用的器件。它們需要電路板走線變更短，從而降低寄生電感，但也會意外地降低整體系統(tǒng)
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功率半導體IGBT失效分析與可靠性研究
- 高端變頻空調(diào)在實際應(yīng)用中出現(xiàn)大量外機不工作，經(jīng)過大量失效主板分析確認是主動式PFC電路中IGBT擊穿失效，本文結(jié)合大量失效品分析與電路設(shè)計分析，對IGBT失效原因及失效機理分析，分析結(jié)果表明：經(jīng)過對IGBT失效分析及IGBT工作電路失效分析及整機相關(guān)波形檢測、熱設(shè)計分析、IGBT極限參數(shù)檢測對比發(fā)現(xiàn)IGBT失效由多種原因?qū)е拢琁GBT在器件選型、器件可靠性、閂鎖效應(yīng)、驅(qū)動控制、ESD能力等方面存在不足，逐一分析論證后從IGBT本身及電路設(shè)計方面全部提升IGBT工作可靠性。
- 關(guān)鍵字： 主動式PFC升壓電路 IGBT SOA 閂鎖效應(yīng) ESD 熱擊穿失效 202108 MOSFET
一種非對稱雙向可控硅靜電防護器件的設(shè)計*
- 非對稱雙向可控硅（ADDSCR）是在考慮了保護環(huán)結(jié)構(gòu)之后，為使I-V特性曲線對稱而設(shè)計的非對稱結(jié)構(gòu)，但是其維持電壓較低，容易閂鎖。為了提高傳統(tǒng)ADDSCR的維持電壓，基于0.18 μm BCD工藝，設(shè)計維持電壓高的HHVADDSCR。經(jīng)TCAD仿真，證明HHVADDSCR具有高維持電壓，避免了閂鎖，且器件適用于傳輸電平在18~60 V的芯片信號端口的靜電保護。
- 關(guān)鍵字： 202107 非對稱可控硅 維持電壓 ESD 閂鎖效應(yīng)
Nexperia推出適用于汽車應(yīng)用中高速接口的新型ESD保護器件
- 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的專家Nexperia宣布推出一系列ESD保護器件，專門用于保護汽車應(yīng)用中越來越多的高速接口，特別是與信息娛樂和車輛通訊相關(guān)的車載網(wǎng)絡(luò)(IVN)。 隨著數(shù)據(jù)傳輸速率的提高和車載電子含量的增加，EMC保護的需求變得越來越重要，提供正確的保護類型已成為設(shè)計工程師的巨大挑戰(zhàn)。Nexperia的TrEOS技術(shù)優(yōu)化了ESD保護的三大關(guān)鍵參數(shù)（信號完整性、系統(tǒng)保護和魯棒性），以提供具有低電容、低鉗位電壓和高ESD魯棒性的理想組合的器件。 全新的PESD4USBx系列總共包括十二款采用Tr
- 關(guān)鍵字： Nexperia 高速接口 ESD
Nexperia推出用于HDMI 2.1和DP端口的具有ESD保護的共模濾波器
- 半導體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出全新產(chǎn)品PCMFxHDMI2BA-C，這款集成了ESD保護功能的共模濾波器具有超過10 GHz差分帶寬。它適用于高達12Gbps 的最新HDMI 2.1標準，能夠輕松通過眼圖測試。 Nexperia高速保護和濾波產(chǎn)品經(jīng)理Stefan Seider說：“HDMI 2.1使顯示器具有更高的分辨率和更出色的色彩。但是，這需要更優(yōu)秀的抗干擾保護，尤其是在緊湊的無線應(yīng)用中，這些2合1的ESD和濾波組合器件的性能和小尺寸非常適合對性能和空間有要求
- 關(guān)鍵字： Nexperia ESD
Nexperia全新車用TrEOS ESD保護器件兼具高信號完整性、低鉗位電壓和高浪涌抗擾度
- 半導體基礎(chǔ)元器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia推出四款全新的TrEOS ESD保護器件，這些器件通過了AEC-Q101認證，適用于車規(guī)級應(yīng)用，并且可承受高達175°C的高溫。同時，與所有TrEOS器件一樣，這些新的車用器件具有很低的電容，可確保高信號完整性，并具有很低的鉗位電壓和高穩(wěn)健性，適用于新的車載接口。具體的車載應(yīng)用包括采用USB 3.2、HDMI、LVDS、SerDes和SD卡接口的信息娛樂、多媒體與ADAS系統(tǒng)。 Nexperia的TrEOS ESD保護技術(shù)利用有源可控硅整流來克服傳統(tǒng)保護
- 關(guān)鍵字： Nexperia 車用TrEOS ESD
Microchip推出3kW瞬態(tài)電壓抑制二極管陣列產(chǎn)品，實現(xiàn)嚴苛環(huán)境下出色的電路保護
- 航空航天系統(tǒng)依賴于引擎控制單元、環(huán)境控制、儀器和執(zhí)行器中的數(shù)字和邏輯功能與電路才能完成關(guān)鍵的工作。數(shù)據(jù)中心、5G基礎(chǔ)設(shè)施和通信系統(tǒng)同樣依賴于復雜的電路，而這些電路需要得到妥善保護。即便有閃電、太陽活動和電磁事故引起的電壓浪涌和尖峰，系統(tǒng)仍必須保持連續(xù)運行。Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）今日宣布推出其最新瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）垂直陣列產(chǎn)品組合 — MDA3KP瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）。?該3kW二極管系列擁有超過25款產(chǎn)品，具有不同的篩選級別、極性和認證標
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