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聯(lián)電看準CPU和閃存市場機會 有意多方出擊
- 為了實現(xiàn)產(chǎn)品多樣化，臺灣晶圓廠聯(lián)華電子（UMC，簡稱聯(lián)電）有意利用自己的65納米和45納米技術(shù)進軍CPU和NAND閃存產(chǎn)品的生產(chǎn)領(lǐng)域。聯(lián)電稱他們正在洽談一宗CPU生產(chǎn)協(xié)議，但對于出擊大容量閃存市場的問題則顯得出言謹慎。 聯(lián)電首席執(zhí)行官胡國強稱聯(lián)電“難以忽視”發(fā)展迅速的閃存市場，因此計劃在NAND、NOR和SRAM領(lǐng)域追逐訂單，但不會涉足DRAM（內(nèi)存）市場。胡國強不愿透露具體細節(jié)，但暗示聯(lián)電不會在目前激烈混戰(zhàn)的閃存產(chǎn)品市場涉足過深。 “NAND和NOR的價格起伏太大了，所以我們對此不得不深思熟慮，”胡國強
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IBM讓芯片堆疊連接 導線作古CPU讀內(nèi)存快千倍
- 據(jù)國外媒體報道，周四，美國半導體巨頭IBM公司宣布，他們研發(fā)出了一種垂直方向上以堆疊方式連接不同芯片的技術(shù)，這種技術(shù)可以大大減少處理器和內(nèi)存之間的距離，從而加速數(shù)據(jù)的傳輸，并節(jié)省手機或者電腦的功耗。 利用IBM公司的研發(fā)成果，今天的不同芯片之間的導線將失去作用。眾所周知的是，在電腦或者手機中，微處理器和內(nèi)存芯片之間依然靠導線來傳輸數(shù)據(jù)，相對于芯片內(nèi)部的晶體管相比，這種“遙遠”的導線距離延緩了數(shù)據(jù)的傳輸，使得內(nèi)存訪問成為系統(tǒng)性能的一個瓶頸。 在IBM公司的方案中，兩個芯片將被上下堆疊在一起，兩者之間的距離只
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CPU+GPU，敏感時期的平臺化戰(zhàn)略
- AMD本是個相對低調(diào)的公司，但最近似乎圍繞AMD的消息特別的集中，在與Intel紛繁復雜的戰(zhàn)局面前，AMD不得不改變自己的策略。 從目前的結(jié)果來看，AMD與Intel的競爭沒有勝利者，如果硬要說獲利者的話，那就是廣大消費者。在過去的12個月中，cpu以一種難以想象的速度貶值，性能方面卻不斷提升，更重要的是，一向吝嗇于技術(shù)革新的Intel竟然在12個月之內(nèi)連推3個新架構(gòu)，這不得不說是競爭帶來的新壓力。 我們無法預知AMD在價格戰(zhàn)面前還能持續(xù)多久，因為收購ATI已經(jīng)為AMD的財務帶來了不小的壓
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