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block ram 文章進入block ram技術(shù)社區(qū)

4Gb手機RAM芯片出貨

　　從3月23日開始，三星出貨4Gb容量的LPDDR2 RAM，該芯片為30納米制程，采用該芯片的設(shè)備主要為手機和平板電腦，有望帶來手機和平板運行速度上的提升。　　　　
關(guān)鍵字：三星 RAM

雙RAM技術(shù)的LED顯示屏控制系統(tǒng)設(shè)計

針對顯示信息在垂直循環(huán)顯示時存儲器的使用效率低、存儲器占用量大等問題，基于雙RAM思想，用靜態(tài)顯示數(shù)據(jù)組織方式來組織動態(tài)顯示數(shù)據(jù)，達到降低存儲器占用率的目的。將組織好的數(shù)據(jù)按奇偶規(guī)則存放在一塊帶有SPI接口的串行Flash中，并使用高速單片機VRS51L3 074控制數(shù)據(jù)輸出顯示。
關(guān)鍵字：控制系統(tǒng) 設(shè)計顯示屏 LED 技術(shù) RAM

多光譜可見光遙感圖像壓縮系統(tǒng)設(shè)計

摘要：為了實現(xiàn)多光譜可見光遙感圖像高質(zhì)量壓縮的要求，提出以JPEG2000壓縮標準為理論，將FPGA與專用壓縮芯片ADV212相結(jié) 合的空間遙感圖像壓縮方法。該系統(tǒng)設(shè)計采用ADV212，通過小波變換及熵編碼實現(xiàn)對大數(shù)據(jù)量的空間
關(guān)鍵字： RAM FPGA AD

Ramtron和奧地利微電子公司合作提供MaxArias無線存儲器套件

　　世界領(lǐng)先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation (簡稱Ramtron) 和全球領(lǐng)先的高性能模擬IC設(shè)計商與生產(chǎn)商奧地利微電子公司(austriamicrosystems)宣布提供用于評測第三代數(shù)據(jù)豐富自動識別應(yīng)用的MaxArias無線存儲器套件。Ramtron的MaxArias無線存儲器評測套件在德國慕尼黑electronica 2010展會上首次展出。　　
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM RFID

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM)

為何電子式電能表需要使用鐵電存儲器(F-RAM),　　自從1889年匈牙利工程師 Otto Blathy 發(fā)明全世界第一個電能表 (瓦特瓦時表)原型之后，電能表經(jīng)過一個世紀多的演進：由機械式電表到今日的各種不同型式的電子電能表，包含新的預(yù)付費電能表 (pre-paid) 復費率電能
關(guān)鍵字：存儲器 F-RAM 使用需要電子電能表為何

幾種常用的單片機系統(tǒng)RAM測試方法

在各種單片機應(yīng)用系統(tǒng)中，存儲器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性，對系統(tǒng)的可靠性進行測試是十分必要的。通過測試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲器發(fā)生故障對系統(tǒng)帶來的破壞問題。本文針對
關(guān)鍵字： RAM 單片機系統(tǒng) 測試方法

存儲器大廠重兵部署Mobile RAM　明年激戰(zhàn)難免

　　高階智能型手機和平板計算機應(yīng)用逐漸侵蝕筆記型計算機(NB)市場，全球存儲器大廠包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場，由于生產(chǎn)標準型DRAM利潤減少，國際存儲器大廠持續(xù)將產(chǎn)能移往Mobile RAM產(chǎn)品。臺系DRAM廠加入Mobile RAM戰(zhàn)局時間點較晚，其中，南亞科Mobile RAM已送客戶認證，預(yù)計2011年第1季放量，茂德2011年亦將在爾必達授權(quán)下加入戰(zhàn)局，而華邦Mobile RAM更是目前營運
關(guān)鍵字：三星電子存儲器 RAM

存儲器大廠重兵部署Mobile RAM 臺廠加入戰(zhàn)局明年激戰(zhàn)難免

　　高階智能型手機和平板計算機應(yīng)用逐漸侵蝕筆記型計算機(NB)市場，全球存儲器大廠包括三星電子(Samsung Electronics)、爾必達(Elpida)、美光(Micron)紛重兵部署Mobile RAM市場，由于生產(chǎn)標準型DRAM利潤減少，國際存儲器大廠持續(xù)將產(chǎn)能移往Mobile RAM產(chǎn)品。臺系DRAM廠加入Mobile RAM戰(zhàn)局時間點較晚，其中，南亞科Mobile RAM已送客戶認證，預(yù)計2011年第1季放量，茂德2011年亦將在爾必達授權(quán)下加入戰(zhàn)局，而華邦Mobile RAM更是目前營運
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雙口RAM芯片CY7C028的INS/GPS組合導航系統(tǒng)

　　在眾多組合導般系統(tǒng)中，INS/GPS組合導航系統(tǒng)更是發(fā)展迅速，在軍用和民用領(lǐng)域均已獲得廣泛應(yīng)用，而且愈來愈受到重視。就INS/GPS組合導航系統(tǒng)而言，除了要完成大量的導航解算工作外，還要完成控制、人機接口、與外
關(guān)鍵字：組合導航系統(tǒng) INS/GPS CY7C028 RAM 芯片雙口

使用用CPLD和Flash實現(xiàn)FPGA的配置

電子設(shè)計自動化EDA(ElectronicDesignAutomation)是指以計算機為工作平臺，以EDA軟件為開發(fā)環(huán)境，以硬件描...
關(guān)鍵字： CPLD FPGA Flash RAM EDA VHDL

基于FPGA的雙口RAM與PCI9O52接口設(shè)計

摘要：為了解決PCI9052和雙口RAM之間讀寫時序不匹配的問題，本設(shè)計采用可編程器件來實現(xiàn)它們之間的接口電路。此電路可以使系統(tǒng)更加緊湊。核心邏輯部分采用有限狀態(tài)機實現(xiàn)，使控制邏輯直觀簡單，提高了設(shè)計效率。
通
關(guān)鍵字： FPGA PCI9 RAM PCI

雙端口RAM的并口設(shè)計應(yīng)用

雙端口RAM的并口設(shè)計應(yīng)用,摘要：IDT7132/IDT7142是一種高速2k×8雙端口靜態(tài)RAM,它擁有兩套完全獨立的數(shù)據(jù)、地址和讀寫控制線。文中分析了雙端口RAM（DPRAM）的設(shè)計方案。并以IDT7132/7142為例介紹了雙端口RAM的時序、競爭和并行通訊接口設(shè)計以
關(guān)鍵字：應(yīng)用設(shè)計并口 RAM 雙端口

F-RAM與BBSRAM功能和系統(tǒng)設(shè)計之比較

　　引言　　高性能和環(huán)保是當前技術(shù)創(chuàng)新的兩大要求。二者共同推動半導體元器件的發(fā)展，同時也為全球眾多企業(yè)和消費者所耳熟能詳。　　若系統(tǒng)設(shè)計需要采用半導體存儲器技術(shù)，工程師有(但不限于)以下選擇：電池備份靜態(tài)隨機存儲器(battery backed static random access memory, BBSRAM);非易失性SRAM;鐵電隨機存取存儲器(F-RAM);以及其它noVRAM技術(shù)。在從工廠自動化和電信到計量和醫(yī)療技術(shù)的每一種應(yīng)用中，要確定最適合的存儲器選擇，是一項重要的設(shè)計考慮事項。
關(guān)鍵字： Ramtron F-RAM BBSRAM

在MAXQ8913微控制器中從RAM執(zhí)行應(yīng)用程序

MAXQ8913及其它MAXQ®微控制器采用的Harvard存儲器映射架構(gòu)為用戶提供了極大的靈活性，可根據(jù)需要將不同的物理內(nèi)存(例如數(shù)據(jù)SRAM)映射為程序或數(shù)據(jù)內(nèi)存空間。在特定環(huán)境下，從數(shù)據(jù)SRAM執(zhí)行一個程序的部分代碼能夠
關(guān)鍵字： MAXQ 8913 RAM 微控制器

基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計方法

基于0.13微米CMOS工藝下平臺式FPGA中可重構(gòu)RAM模塊的一種設(shè)計方法,1. 引言

對于需要大的片上存儲器的各種不同的應(yīng)用，F(xiàn)PGA 需要提供可重構(gòu)且可串聯(lián)的存儲器陣列。通過不同的配置選擇，嵌入式存儲器陣列可以被合并從而達到位寬或字深的擴展并且可以作為單端口，雙端口
關(guān)鍵字： RAM 重構(gòu) 模塊設(shè)計方法 FPGA 平臺 0.13 微米 CMOS 工藝

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block ram介紹

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block ram電路

隨機存取存儲器(RAM)一般結(jié)構(gòu)和讀寫過程
基于STC12C5A60S2的U盤音頻播放器電路設(shè)計
擴展存儲器電路圖設(shè)計
讀／寫存儲器RAM7489組成

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block ram資料下載

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