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          fimicro將Ramtron的4Mb F-RAM存儲器用于智能I/O模塊設(shè)計中

          •   F-RAM和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation 宣布位于德國的嵌入式軟件和硬件供應(yīng)商 fimicro 已在其新型的 active104 系列 PC/104 兼容單板計算機(jī) (SBC) 和智能 I/O 擴(kuò)展模塊中,采用了 Ramtron 的非易失性 F-RAM 存儲器。fimicro 已在其 active104 SBC、RAID、以太網(wǎng)和 USB 板的設(shè)計中使用了 Ramtron 的 FM22L16 4兆位 (Mb) 并行 F-RAM,以取代
          • 關(guān)鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  單片機(jī)  F-RAM  半導(dǎo)體  I/O模塊  半導(dǎo)體材料  

          RAMTRON推出2KB鐵電存儲器微控制器

          • 非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出帶2KB非易失性F-RAM 以8051為基礎(chǔ)的微控制器 (MCU) -- VRS51L3072。Ramtron將F-RAM添加到其快速靈活的Versa 8501產(chǎn)品中,以進(jìn)行快速可靠的非易失性數(shù)據(jù)存儲與處理系統(tǒng),而這是存儲系統(tǒng)狀態(tài)、數(shù)據(jù)記錄及在多種應(yīng)用的非易失性變量的理想
          • 關(guān)鍵字: 模擬技術(shù)  電源技術(shù)  F-RAM  電存儲器  微控制器  存儲器  

          揚長補(bǔ)短發(fā)展FeRAM

          •   存儲器在半導(dǎo)體行業(yè)就是一塊萬能膏藥,或者嵌入到SoC里或者當(dāng)做單獨的存儲元件,有數(shù)據(jù)計算和程序存儲的要求就有它的用武之地。當(dāng)前的主流半導(dǎo)體存儲器可以簡單的分成易失性和非易失性兩部分,它們各有所長,應(yīng)用領(lǐng)域也因這一特性而是涇渭分明。   易失性的存儲器包括靜態(tài)存儲器SRAM和動態(tài)存儲器DRAM,SRAM和DRAM在掉電的時候均會失去保存的數(shù)據(jù),但是RAM 類型的存儲器易于使用、性能好。非易失性存儲器在掉電的情況下并不會丟失所存儲的數(shù)據(jù)。然而所有的主流的非易失性存儲器均源自于ROM(只讀存儲器)技術(shù),包
          • 關(guān)鍵字: DRAM  FeRAM  RAM  SRAM  存儲器  

          采用FPGA IP實現(xiàn)DDR的讀寫控制的設(shè)計與驗證

          • 摘要: 本文采用LatticeXP系列FPGA結(jié)合IP解決DDR RAM的讀寫控制。并且在硬件上面進(jìn)行了實際測試。關(guān)鍵詞: 嵌入式系統(tǒng);DDR RAM;FPGA;IP;LattcieXP 前言隨著高速處理器的不斷發(fā)展,嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用的領(lǐng)域越來越廣泛,數(shù)字信號處理的規(guī)模也越來越大,系統(tǒng)中RAM規(guī)模不斷增加,比如視頻監(jiān)控、圖像數(shù)據(jù)采集等領(lǐng)域,圖像處理的實時性對RAM帶寬的要求不斷增加,傳統(tǒng)的SDRAM在帶寬上已經(jīng)逐漸無法滿足應(yīng)用要求,DDR SDRAM(雙倍速率SDRAM)采用在時鐘CL
          • 關(guān)鍵字: 0702_A  DDR  FPGA  IP  LattcieXP  RAM  單片機(jī)  嵌入式系統(tǒng)  雜志_設(shè)計天地  存儲器  

          linux內(nèi)核編譯步驟

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: 內(nèi)核  RAM  

          Windows CE 進(jìn)程、線程和內(nèi)存管理(三)

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: ROM  RAM  

          微處理器實時時鐘芯片MM58167B原理與應(yīng)用

          • 本文詳細(xì)介紹了MM58167B的各功能模塊、性能及其應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字:   晶振  RAM  存儲    

          雙口RAM在自動化系統(tǒng)中的應(yīng)用

          • 對雙口RAM操作中共享沖突的幾種方式進(jìn)行了討論和分析。給出了防止這些共享沖突的基本方法,同時結(jié)合其在自動化系統(tǒng)中的應(yīng)用給出了雙口RAM和現(xiàn)場總線、工業(yè)以太網(wǎng)的接口應(yīng)用方案。
          • 關(guān)鍵字: RAM  雙口  自動化系統(tǒng)  中的應(yīng)用    

          雙口RAM通訊在電機(jī)控制中的應(yīng)用

          • 在冶金行業(yè)中,絕大部分控制信息的傳遞基本上都是依靠總線進(jìn)行的,通過總線還可以實現(xiàn)對各個生產(chǎn)加工環(huán)節(jié)的實時監(jiān)控,所以總線技術(shù)無處不在,其中VME計算機(jī)因其支持多個CPU,64位的尋址和數(shù)據(jù)傳輸能力,IEC 297 歐卡標(biāo)準(zhǔn),機(jī)械性能可靠和穩(wěn)定,并具有可靠的接插件,帶電熱插拔,多廠商支持等優(yōu)點得到廣泛應(yīng)用。
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  控制  應(yīng)用  電機(jī)  通訊  RAM  雙口  

          用FPGA技術(shù)實現(xiàn)某新型通信設(shè)備中PCM碼流處理

          • 摘    要:本文根據(jù)FPGA器件的特點,介紹了應(yīng)用FPGA設(shè)計某通信設(shè)備中PCM碼流處理模塊的一種方案。并就設(shè)計中遇到的問題進(jìn)行了分析。關(guān)鍵詞:FPGA;RAM引言由于FPGA器件可實現(xiàn)所有數(shù)字電路功能 ,具有結(jié)構(gòu)靈活、設(shè)計周期短、硬件密度高和性能好等優(yōu)點,在高速信號處理領(lǐng)域顯示出愈來愈重要的作用。本文研究了基于FPGA技術(shù)對PCM碼流進(jìn)行處理的實現(xiàn)方法。變換后的數(shù)據(jù)寫入RAM,與DSP配合可完成復(fù)雜的信號處理功能。設(shè)計方案某新型通信設(shè)備中,在完成調(diào)度功能的板子上,需要進(jìn)行
          • 關(guān)鍵字: FPGA  RAM  存儲器  

          在MPC555中實現(xiàn)從RAM的快速引導(dǎo)

          • 介紹了PowerPC系列微處理器的異常和中斷。同時以MPC555為例對嵌入式系統(tǒng)從ROM和RAM中的引導(dǎo)特點及技術(shù)實現(xiàn)方法進(jìn)行了比較,給出了MPC555從RAM快速引導(dǎo)的實現(xiàn)方法。
          • 關(guān)鍵字: MPC  RAM    

          用塊RAM實現(xiàn)卷積交織解交織

          • 摘 要: 本文詳細(xì)介紹了用塊RAM來實現(xiàn)卷積交織-解交織的原理和設(shè)計,以J.83標(biāo)準(zhǔn)中的卷積交織器例進(jìn)行了說明。在此基礎(chǔ)上找到了用塊RAM實現(xiàn)卷積交織-解交織器的一般規(guī)律。關(guān)鍵詞: 卷積交織-解交織;FIFO移位寄存器;RAM為了糾正數(shù)據(jù)在信道中傳輸時由于受到突發(fā)干擾而產(chǎn)生的突發(fā)錯誤,常用的方法是采用交織-解交織措施,也就是通過在發(fā)射端將所要發(fā)射的數(shù)據(jù)通過交織將其順序打亂,接收后解調(diào)的時隙輸出經(jīng)過一次解交織的反向處理重新組合,使其變?yōu)樵瓉眄樞虻男蛄?,這樣就可以將相鄰的突發(fā)錯誤分散到糾錯解碼可以糾錯的范
          • 關(guān)鍵字: FIFO移位寄存器  RAM  卷積交織-解交織  存儲器  

          英特爾將推出1GB手持式記憶體

          • 英特爾在今年臺北舉辦的英特爾科技論壇(IDF)中宣布,將生產(chǎn)最高可達(dá)到1GB容量的手持式裝置專用記憶系統(tǒng)。英特爾資深??總裁Ron Smith表示,此產(chǎn)品的技術(shù)架構(gòu)采最新的高階堆疊式封裝,可將英特爾的StataFlash記憶體和動態(tài)記憶體(RAM)堆疊在一起,做成大小只有8x11公厘的記憶體模組
          • 關(guān)鍵字: 英特爾  嵌入式  RAM  
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          block ram介紹

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