block ram 文章 進(jìn)入block ram技術(shù)社區(qū)
AgigA推出首款高速、高密度、非易失性 RAM 系統(tǒng)
- 日前,賽普拉斯半導(dǎo)體公司的子公司美國(guó)技佳科技有限公司 (AgigA Tech Inc.) 推出了業(yè)界首款高速、高密度、非易失性 RAM 系統(tǒng)。該新型 AGIGARAM? 非易失性系統(tǒng) (NVS) 技術(shù)所實(shí)現(xiàn)的密度介于 4MB (32Mb) 到2GB (16Gb) 之間,傳輸峰值速度與 DRAM 的相當(dāng)。AGIGARAM 是多種系統(tǒng)的理想選擇,如存儲(chǔ)、網(wǎng)絡(luò)、通信、工業(yè)計(jì)算和控制、醫(yī)療設(shè)備、游戲系統(tǒng)、ATM 和銷售點(diǎn)終端、打印機(jī)、掃描儀、復(fù)印機(jī)、汽車和軍事系統(tǒng)等。 至今,高速、非易失性存
- 關(guān)鍵字: cypress RAM AGIGARAM NVS
混合動(dòng)力是新能源汽車切入點(diǎn) IGBT成驅(qū)動(dòng)核心
- 目前,混合動(dòng)力汽車是大規(guī)模應(yīng)用新能源汽車的切入點(diǎn)。功率半導(dǎo)體器件與模塊在混合動(dòng)力汽車中起著不可替代的作用。除降低成本之外,混合動(dòng)力汽車還需要在電池、電動(dòng)、傳動(dòng)及電氣系統(tǒng)等方面得到改善。 節(jié)能和環(huán)保的雙重需求使得新能源汽車在全球范圍內(nèi)日益引起業(yè)界的重視,在最近的國(guó)際汽車展上,多家汽車企業(yè)推出了電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車,這預(yù)示著新能源汽車即將進(jìn)入真正的商用階段。如今,中國(guó)對(duì)于新能源汽車的推廣也進(jìn)入了一個(gè)關(guān)鍵時(shí)期,今年2月,財(cái)政部、科技部發(fā)出《關(guān)于開展節(jié)能與新能源汽車示范推廣試點(diǎn)工作的通知》,推廣節(jié)能與
- 關(guān)鍵字: 新能源 IGBT F-RAM 混合動(dòng)力
雙口RAM在組合導(dǎo)航系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 雙口RAM在組合導(dǎo)航系統(tǒng)中的應(yīng)用,導(dǎo)航系統(tǒng)是負(fù)責(zé)將載體從起始點(diǎn)引導(dǎo)到目的地的系統(tǒng)裝置。近年來,隨著計(jì)算機(jī)技術(shù)和衛(wèi)星通信技術(shù)的發(fā)展和實(shí)際應(yīng)用,使得導(dǎo)航系統(tǒng)的精確性和可靠性達(dá)到了更高的要求,促使導(dǎo)航系統(tǒng)向綜合化和容錯(cuò)化方向發(fā)展,進(jìn)而發(fā)展了
- 關(guān)鍵字: 系統(tǒng) 應(yīng)用 導(dǎo)航 組合 RAM 雙口 雙口RAM TMS320VC33 TMS320F240 組合導(dǎo)航系統(tǒng) CY7C028
RAMTRON 宣布與 IBM 達(dá)成代工協(xié)議
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達(dá)成代工服務(wù)協(xié)議,兩家企業(yè)計(jì)劃在 IBM 位于美國(guó) 佛蒙特 州伯靈頓市的先進(jìn)晶圓制造設(shè)施內(nèi)增設(shè) Ramtron 的 F-RAM 半導(dǎo)體工藝技術(shù),一旦安裝完畢,這一新代工服務(wù)將成為 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半導(dǎo)體產(chǎn)品的基礎(chǔ)。 Ramtron首席運(yùn)營(yíng)官 Bob Djokovich 稱:“我們期
- 關(guān)鍵字: Ramtron F-RAM IBM
RAMTRON 宣布與 IBM 達(dá)成代工協(xié)議
- 世界頂尖的非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商 Ramtron International Corporation宣布已與 IBM 達(dá)成代工服務(wù)協(xié)議,兩家企業(yè)計(jì)劃在 IBM 位于美國(guó) 佛蒙特 州伯靈頓市的先進(jìn)晶圓制造設(shè)施內(nèi)增設(shè) Ramtron 的 F-RAM 半導(dǎo)體工藝技術(shù),一旦安裝完畢,這一新代工服務(wù)將成為 Ramtron 推出高成本效益的新型高性能 F-RAM 半導(dǎo)體產(chǎn)品的基
- 關(guān)鍵字: Ramtron F-RAM 半導(dǎo)體
RAMTRON 4兆位并口F-RAM存儲(chǔ)器提供FBGA封裝選擇
- 全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布提供采用最新FBGA 封裝的4兆位 (Mb) F-RAM存儲(chǔ)器。FM22LD16 是采用48腳FBGA 封裝的3V、4Mb 并口非易失性FRAM,具有高訪問速度、幾乎無限的讀/寫次數(shù)以及低功耗等優(yōu)點(diǎn)。FM22LD16 與異步靜態(tài) RAM (SRAM) 在管腳上兼容,并適用于工業(yè)控制系統(tǒng)如機(jī)器人、網(wǎng)絡(luò)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用、多功能打印機(jī)、自動(dòng)導(dǎo)航系統(tǒng),以及許多
- 關(guān)鍵字: Ramtron F-RAM FBGA 封裝
Ramtron在V系列品線中增添串行512-Kb F-RAM
- 全球領(lǐng)先的非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出全新F-RAM系列產(chǎn)品中的第二款串行器件FM25V05,提供高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件特性。FM25V05是512Kb、2.0V至3.6V及具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM,采用8腳SOIC封裝,特點(diǎn)包括快速訪問、無延遲 (NoDelay™) 寫入、1E14讀/寫次數(shù)和低功耗。FM25V05是工業(yè)控制、儀表、醫(yī)
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 RAM Ramtron FM25V10
基于多個(gè)特征分塊貝葉斯分類器融合策略的人臉識(shí)別方法
- 摘要:提出一種基于奇異值分解和貝葉斯決策的人臉特征提取與識(shí)別算法。通過對(duì)人臉圖像樣本進(jìn)行幾何歸一化和灰度均衡化后,結(jié)合分塊與加權(quán),運(yùn)用奇異值分解,分別獲得特征臉和標(biāo)準(zhǔn)臉,然后采用多個(gè)基于特征分塊的貝葉斯分類器(FBBC)的融合策略進(jìn)行分類識(shí)別。實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證了該方法的有效性,具有良好的精煉和實(shí)時(shí)性品質(zhì)指標(biāo)。 關(guān)鍵詞:奇異值分解;貝葉斯決策;人臉特征;分類;圖像 引言 人臉識(shí)別是指利用計(jì)算機(jī)對(duì)人臉圖像進(jìn)行分析,從中提取有效的識(shí)別信息,用來鑒別身份的一種技術(shù),具有直接、友好、方便等優(yōu)點(diǎn)?;谄娈愔堤卣鞯娜?/li>
- 關(guān)鍵字: A Method of Face Recognition Based on the Fusion of Multiple Feature Block Bayesian Classifiers 200810
Ramtron推出1兆位串行F-RAM存儲(chǔ)器
- Ramtron International Corporation宣布推出新型F-RAM系列中的首款產(chǎn)品,具有高速讀/寫性能、低電壓工作和可選器件的特性。Ramtron的V系列F-RAM產(chǎn)品的首款器件FM25V10,是1兆位 (Mb)、2.0至3.6V、具有串行外設(shè)接口 (SPI) 的非易失性RAM,采用8腳SOIC封裝,其特點(diǎn)是快速訪問、無延遲(NoDelay?) 寫入、1E14讀/寫次數(shù)和低功耗。FM25V10是工業(yè)控制、計(jì)量、醫(yī)療、汽車、軍事、游戲及計(jì)算機(jī)等應(yīng)用領(lǐng)域1Mb串行閃存和串行EEPRO
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 F-RAM Ramtron 閃存
其陽科技選擇Ramtron的4兆位F-RAM存儲(chǔ)器用于游戲機(jī)解決方案
- Ramtron International Corporation宣布應(yīng)用工業(yè)計(jì)算平臺(tái)制造商其陽科技 (Aewin Technologies) 已在其以Intel為基礎(chǔ)的 GA-2000 及以AMD 為基礎(chǔ)的GA-3000游戲和高分辨率多媒體PC電路板中,設(shè)計(jì)使用Ramtron的FM22L16 4兆位 (Mb) F-RAM非易失性存儲(chǔ)器。4Mb F-RAM具有快速寫入、高耐用性和低功耗特點(diǎn),可在其陽科技的游戲機(jī)解決方案中替代電池供電的SRAM (BBSRAM),以確保數(shù)據(jù)的完整性,并能同時(shí)
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 Ramtron F-RAM Aewin
恒憶推出低價(jià)低功耗DDR接口非揮發(fā)性RAM產(chǎn)品
- 恒憶 (Numonyx) 今日宣布推出 Velocity LPTM NV-RAM 產(chǎn)品系列,此系列是業(yè)界最快速的低功耗雙倍數(shù)據(jù)傳輸速率 (LPDDR) 非揮發(fā)性存儲(chǔ)器,不但可以給手機(jī)和消費(fèi)性電子產(chǎn)品廠商提供更高的存儲(chǔ)性能,而且比目前其他解決方案價(jià)格更低。這些裝置在提供高動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(DRAM)內(nèi)容平臺(tái)低成本解決方案的同時(shí),還可達(dá)到比傳統(tǒng)NOR Flash存儲(chǔ)器快兩到三倍讀取頻寬的性能。恒憶 Velocity LP NV-RAM 系列的推出為該公司未來相變存儲(chǔ)器 (PCM) 產(chǎn)品提供了無縫的絕佳架構(gòu)途
- 關(guān)鍵字: 存儲(chǔ)器 恒憶 Numonyx RAM
IDT推出針對(duì)工控、醫(yī)療成像和通信應(yīng)用的下一代雙口RAM
- IDT® 公司(Integrated Device Technology, Inc.)日前宣布,其不斷擴(kuò)大的多口RAM系列又添兩個(gè)新型雙口RAM器件。從工業(yè)控制到醫(yī)療成像和通信,新的 9Mb 和 4Mb 雙端口器件可實(shí)現(xiàn)高達(dá) 200MHz 的性能,以滿足苛刻的存儲(chǔ)器緩沖要求。這兩款器件采用 1.8V 內(nèi)核電壓,比現(xiàn)有解決方案的功耗更低。 雙端口器件集成了存儲(chǔ)器和控制邏輯,可以通過獨(dú)立端口實(shí)現(xiàn)對(duì)通用中央存儲(chǔ)器的同時(shí)存取。該IDT 解決方案有助于客戶通過解決芯片間連接問題,增加帶寬并降低設(shè)計(jì)
- 關(guān)鍵字: IDT RAM 雙端口 低功耗
Ramtron升級(jí)FM31x Processor Companion系列
- 非易失性鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布升級(jí)其FM31x Processor Companion (處理器伴侶) 系列。升級(jí)產(chǎn)品融入了更高效的涓流充電器和標(biāo)準(zhǔn)12.5pF外部晶振實(shí)時(shí)時(shí)鐘 (RTC)。新型 FM3127x/L27x Processor Companion具有4、16、64或256Kb非易失性F-RAM存儲(chǔ)器、高速雙線接口及高度集成的支持與外設(shè)功能,適用于基于處理器的先進(jìn)系統(tǒng)。
- 關(guān)鍵字: Ramtron F-RAM 存儲(chǔ)器 處理器伴侶
Ramtron推出帶有集成F-RAM存儲(chǔ)器的事件數(shù)據(jù)記錄儀
- 非易失性鐵電存儲(chǔ)器 (F-RAM) 和集成半導(dǎo)體產(chǎn)品開發(fā)商及供應(yīng)商Ramtron International Corporation宣布推出基于F-RAM的事件數(shù)據(jù)記錄儀 (EDR) -- FM6124,這是集成式的事件監(jiān)控解決方案,能夠連續(xù)監(jiān)控狀態(tài)的變化,將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在F-RAM中并向系統(tǒng)提出有關(guān)變化的報(bào)警。FM6124與可編程邏輯控制器 (PLC) 類似,具有簡(jiǎn)單的器件設(shè)置和資料檢索功能,便于系統(tǒng)集成和縮短設(shè)計(jì)周期。 FM6124是針對(duì)工業(yè)控制、醫(yī)療和計(jì)量等廣泛的工業(yè)應(yīng)用而設(shè)計(jì)。EDR能夠?qū)崿F(xiàn)
- 關(guān)鍵字: Ramtron F-RAM 存儲(chǔ)器 數(shù)據(jù)記錄儀 EDR
block ram介紹
您好,目前還沒有人創(chuàng)建詞條block ram!
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)block ram的理解,并與今后在此搜索block ram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條,闡述對(duì)block ram的理解,并與今后在此搜索block ram的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國(guó)際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號(hào)-2 北京市公安局備案:1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473