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手機(jī)需要多大RAM才夠用？看完結(jié)果恍然大悟
- 手機(jī)需要多大RAM才夠用？看完結(jié)果恍然大悟-RAM對(duì)性能的影響是非常巨大的，包括標(biāo)準(zhǔn)（DDR3或DDR4）容量、帶寬等等，目前至少8GB RAM對(duì)PC來說是非常基礎(chǔ)的。雖然硬件結(jié)構(gòu)并不完全相同，但智能手機(jī)RAM也越來越大，甚至達(dá)到了6GB，那么這究竟是必要的、還是矯枉過正的噱頭呢？
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詳細(xì)解讀Zynq的三種啟動(dòng)方式(JTAG,SD,QSPI)
- 詳細(xì)解讀Zynq的三種啟動(dòng)方式(JTAG,SD,QSPI)-本文介紹zynq上三種方式啟動(dòng)文件的生成和注意事項(xiàng)，包括只用片上RAM（OCM）和使用DDR3兩種情況。 JTAG方式 JTAG方式是調(diào)試中最常用的方式，在SDK中 在“Project Explorer”窗口工程上右鍵->Debug As->Debug Configurations可以看到以下窗口 首次打開左邊窗口中Xilinx C/C++ application(GDB)下沒有子項(xiàng)，這時(shí)雙擊Xilinx C/C++ application(GD
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機(jī)床數(shù)控系統(tǒng)中嵌入式plc的設(shè)計(jì)
- 機(jī)床數(shù)控系統(tǒng)中嵌入式plc的設(shè)計(jì)-在機(jī)床數(shù)控系統(tǒng)中，電氣設(shè)備的控制占有重要的地位。目前，一般采用可編程控制器（PLC）進(jìn)行機(jī)床電氣控制。PLC可靠性高，使用方便，對(duì)于復(fù)雜的，控制點(diǎn)數(shù)較多的應(yīng)用場(chǎng)合，可以在PLC基本單元外加上一定數(shù)目的擴(kuò)展單元，實(shí)現(xiàn)復(fù)雜的電氣控制功能。
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一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識(shí)
- 一招教你如何使用嵌入式參數(shù)代碼，入門必懂知識(shí)-如果有幾個(gè)設(shè)置參數(shù)需要存儲(chǔ)到Flash中，我們一般會(huì)怎么存儲(chǔ)呢？將不同的參數(shù)都存儲(chǔ)到不同的頁中，還是將這幾個(gè)參數(shù)捆綁成一種結(jié)構(gòu)體，每次修改都同時(shí)寫入一次呢？將參數(shù)存儲(chǔ)到固定的地址，則每個(gè)參數(shù)都將占用Flash的一個(gè)塊。而將全部參數(shù)捆綁一起存入Flash塊中，那么只有一個(gè)參數(shù)修改時(shí)，也需要將全部參數(shù)一起存一遍。那么有什么更好的方法嗎？
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行車記錄儀中的RAM存儲(chǔ)，你了解多少？
- 行車記錄儀中的RAM存儲(chǔ)，你了解多少？-作為FRAM（鐵電存儲(chǔ)器）產(chǎn)品與技術(shù)的全球領(lǐng)先提供商，富士通電子的FRAM產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于計(jì)量、RFID、醫(yī)療電子、工業(yè)……其實(shí)，F(xiàn)RAM還可在大多數(shù)汽車子系統(tǒng)中用于非易失性數(shù)據(jù)記錄，如智能安全氣囊、穩(wěn)定控制、動(dòng)力傳動(dòng)機(jī)構(gòu)、儀表盤儀表、電池管理、發(fā)動(dòng)機(jī)控制和娛樂信息節(jié)目應(yīng)用，且能夠承受更高級(jí)別的溫度范圍。
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【E問E答】聽說華為3GRAM比其他廠商4GB還要流暢，是真的嗎？
- 近期，筆者在網(wǎng)上看到一篇關(guān)于華為在中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)的發(fā)言，并也有人傳言稱華為的3GB運(yùn)存比其他廠商的4GB還要流暢。 筆者先做個(gè)普及，RAM也就是運(yùn)行內(nèi)存指的是運(yùn)行程序的內(nèi)存，由于開的應(yīng)用占得比例是固定的，要想在多開應(yīng)用下減少運(yùn)行內(nèi)存只能靠縮減應(yīng)用程序來實(shí)行，當(dāng)下做的最好的是Flyme，在小運(yùn)存的手機(jī)產(chǎn)品上卻能做到單一應(yīng)用的效果。 那么有人會(huì)說那華為是在吹嗎?不可否認(rèn)也有一定的成份，畢竟在相同的效果下壓縮其他程序達(dá)到短暫的流暢雖然可以但在實(shí)際運(yùn)用中想要超過多出1個(gè)G的產(chǎn)品顯然有些不切實(shí)際
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【E問E答】單片機(jī)RAM測(cè)試故障方法有幾種？
- 在各種單片機(jī)應(yīng)用系統(tǒng)中，芯片存儲(chǔ)器的正常與否直接關(guān)系到該系統(tǒng)的正常工作。為了提高系統(tǒng)的可靠性，對(duì)系統(tǒng)的可靠性進(jìn)行測(cè)試是十分必要的。通過測(cè)試可以有效地發(fā)現(xiàn)并解決因存儲(chǔ)器發(fā)生故障對(duì)系統(tǒng)帶來的破壞問題。本文針對(duì)性地介紹了幾種常用的單片機(jī)系統(tǒng)RAM測(cè)試方法，并在其基礎(chǔ)上提出了一種基于種子和逐位倒轉(zhuǎn)的RAM故障測(cè)試方法?！ ∫弧?nbsp;RAM測(cè)試方法回顧 方法1：一種測(cè)試系統(tǒng)RAM的方法是分兩步來檢查，先后向整個(gè)數(shù)據(jù)區(qū)送入#00H和#FFH，再先后讀出進(jìn)行比較，若不一樣，則說明出錯(cuò)?！ 》椒?：方法1并不
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