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          一文讀懂|CAN總線為何要加終端電阻

          • CAN總線為什么要加終端電阻?主要有兩個方面原因。信號發(fā)射在電路中,信號反射是指信號在傳輸線或電路中遇到阻抗不匹配導致部分信號被反射回去的現(xiàn)象。這種反射會引起信號的失真和干擾,對電路的性能和可靠性產(chǎn)生負面影響。至于為什么會反射,這里引用《信號完整性與電源完整性分析第三版》原文(有省略)的分析:為什么信號遇到阻抗突變時會發(fā)生反射?答案是:產(chǎn)生反射信號時為了滿足兩個重要的邊界條件。必須記住,信號到達瞬時阻抗不同的兩個區(qū)域(區(qū)域1,區(qū)域2)的交界面時,在信號-返回路徑的導體中僅存在一個電壓和一個電流回路。在交界
          • 關鍵字: CAN  總線  電阻  

          雜散電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響探究

          • IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感(DC?Link loop inductance)和柵極環(huán)路電感(Gate loop inductance)對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響,本文為第一部分,將主要討論直流鏈路環(huán)路電感影響分析。測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ,DPT) 采用不同的設置來分析SiC和IGBT模塊的開關特性
          • 關鍵字: 雜散電感  SiC  IGBT  開關特性  

          柵極環(huán)路電感對SiC和IGBT功率模塊開關特性的影響分析

          • IGBT和碳化硅(SiC)模塊的開關特性受到許多外部參數(shù)的影響,例如電壓、電流、溫度、柵極配置和雜散元件。本系列文章將重點討論直流鏈路環(huán)路電感(DC?Link loop inductance)和柵極環(huán)路電感(Gate loop inductance)對VE?Trac IGBT和EliteSiC Power功率模塊開關特性的影響,本文為第二部分,將主要討論柵極環(huán)路電感影響分析。(點擊查看直流鏈路環(huán)路電感分析)測試設置雙脈沖測試 (Double Pulse Test ,DPT) 采用不同的設置來分析S
          • 關鍵字: IGBT  SiC  開關特性  

          Qorvo SiC FET與SiC MOSFET優(yōu)勢對比

          • 在之前一篇題為《功率電子器件從硅(Si)到碳化硅(SiC)的過渡》的博文中,我們探討了碳化硅(SiC)如何成為功率電子市場一項“顛覆行業(yè)生態(tài)”的技術。如圖1所示,與硅(Si)材料相比,SiC具有諸多技術優(yōu)勢,因此我們不難理解為何它已成為電動汽車(EV)、數(shù)據(jù)中心和太陽能/可再生能源等許多應用領域中備受青睞的首選技術。圖1.硅與碳化硅的對比眾多終端產(chǎn)品制造商紛紛選擇采用SiC技術替代硅基工藝,來開發(fā)基于雙極結型晶體管(BJT)、結柵場效應晶體管(JFET)、金屬氧化物半導體場效應晶體管(MOSFET)和絕緣
          • 關鍵字: Qorvo  SiC  MOSFET  

          全面升級!安森美第二代1200V SiC MOSFET關鍵特性解析

          • 安森美(onsemi)發(fā)布了第二代1200V碳化硅 (SiC) MOSFET,命名為M3S,其中S代表開關。M3S 系列專注于提高開關性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET,除了降低特定電阻RSP (即RDS(ON)*Area) ,還針對工業(yè)電源系統(tǒng)中的高功率應用進行了優(yōu)化,如太陽能逆變器、ESS、UPS 和電動汽車充電樁等。幫助開發(fā)者提高開關頻率和系統(tǒng)效率。本應用筆記將描述M3S的一些關鍵特性,與第一代相比的顯著性能提升,以及一些實用設計技巧。本文為第一部分,將重點介紹M3S的一些關鍵特性以及與
          • 關鍵字: 碳化硅  SiC  MOSFET  

          基礎知識之CAN總線

          • CAN - 英文Controller Area Network(控制器局域網(wǎng))的縮寫,是一種串行的車輛總線標準,旨在允許微控制器和設備在沒有主機的情況下與彼此的應用程序進行通信。它專為比較惡劣的環(huán)境下還能夠保持可靠且靈活的性能而設計,比較適合于工業(yè)和汽車領域。CAN總線最早是由Bosch發(fā)明,后成了標準ISO11898-1,它定義了開放系統(tǒng)互聯(lián)模型(OSI)中的數(shù)據(jù)鏈路和物理層,為高速車內(nèi)通信提供了一種底層的網(wǎng)絡方案。值得一提的是,CAN被設計為減少電纜的連線,因此車內(nèi)不同的電氣控制單元(ECUs)可以通
          • 關鍵字: CAN  總線  

          SiC邁入8英寸時代,國際大廠量產(chǎn)前夕國內(nèi)廠商風口狂追

          • 近日,包括Wolfspeed、韓國釜山政府、科友等在第三代半導體SiC/GaN上出現(xiàn)新進展。從國內(nèi)外第三代化合物進展看,目前在碳化硅領域,國際方面8英寸SiC晶圓制造已邁向量產(chǎn)前夕,國產(chǎn)廠商方面則有更多廠家具備量產(chǎn)能力,產(chǎn)業(yè)鏈條進一步完善成熟,下文將進一步說明最新情況。SiC/GaN 3個項目最新動態(tài)公布Wolfspeed德國8英寸SiC工廠或將延遲至明年建設近日,據(jù)外媒消息,Wolfspeed與采埃孚聯(lián)合投資建設的德國8英寸SiC晶圓廠建設計劃或被推遲,最早將于2025年開始。據(jù)悉,該工廠由Wolfsp
          • 關鍵字: SiC  8英寸  

          將達100億美元,SiC功率器件市場急速擴張

          • SiC 市場的快速擴張主要得益于電動汽車的需求,預計 2023 年市場將比上年增長 60%。
          • 關鍵字: GaN  SiC  

          Wolfspeed 8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程封頂

          • 3月28日消息,當?shù)貢r間3月26日,Wolfspeed宣布第三座工廠——8英寸SiC襯底產(chǎn)線一期工程舉行了封頂儀式。據(jù)了解,該工廠位于貝卡萊納州查塔姆縣,總投資50億美元(約合人民幣356億元),占地面積445英畝,主要生產(chǎn)8英寸SiC單晶襯底。目前,該工廠已有一些長晶爐設備進場,預計2024年底將完成一期工程建設,2025年上半年開始生產(chǎn),預計竣工達產(chǎn)后Wolfspeed的SiC襯底產(chǎn)量將擴大10倍。近期,Wolfspeed與瑞薩電子、英飛凌等公司簽署了客戶協(xié)議,查塔姆工廠的投建將為這些協(xié)議提供支持,同
          • 關鍵字: 碳化硅  Wolfspeed  SiC  瑞薩  英飛凌  

          近年來對碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增

          • 隨著近年來對碳化硅(SiC)襯底需求的持續(xù)激增,市場研究公司TrendForce表示,對于SiC的成本降低呼聲越來越高,因為最終產(chǎn)品價格仍然是消費者的關鍵決定因素。SiC襯底的成本占整個成本結構的比例最高,約占50%。因此,襯底部分的成本降低和利用率提高尤為關鍵。由于其成本優(yōu)勢,大尺寸襯底逐漸開始被采用,市場對其寄予了很高的期望。中國SiC襯底制造商天科藍半導體計算,從4英寸升級到6英寸可以使單位成本降低50%,從6英寸升級到8英寸可以再次降低35%。與此同時,8英寸襯底可以生產(chǎn)更多的芯片,從而減少邊緣浪
          • 關鍵字: SiC  碳化硅  

          如何通過SiC增強電池儲能系統(tǒng)?

          • 電池可以用來儲存太陽能和風能等可再生能源在高峰時段產(chǎn)生的能量,這樣當環(huán)境條件不太有利于發(fā)電時,就可以利用這些儲存的能量。本文回顧了住宅和商用電池儲能系統(tǒng) (BESS) 的拓撲結構,然后介紹了安森美 (onsemi) 的EliteSiC方案,可作為硅MOSFET或IGBT開關的替代方案,改善BESS的性能。圖1:BESS 實施概覽BESS 的優(yōu)勢最常用的儲能方法有四種,分別是電化學儲能、化學儲能、熱儲能和機械儲能。鋰離子電池是家喻戶曉的電化學儲能系統(tǒng),具有高功率密度、高效率、外形緊湊、模塊化等特點
          • 關鍵字: 安森美  SiC  電池儲能  

          SiC是如何「拯救」降價車企的?

          • 進入 2024 年,10 多家車企紛紛宣布降價。車企給供應商的降價壓力更大,普遍要求降價 20%,過去一般是每年降 3%-5%。有觀點認為,車市降價是由于新技術帶來的成本下降,但從大背景來看,2 月銷量下滑,或是更多企業(yè)加入價格戰(zhàn)的不得已選擇。但從另一個角度來看,成本的下降確實會緩解降價的壓力,SiC(碳化硅)會不會是出路呢?降價風波始末2 月 19 日,可以說是一切的開始。降價潮是由比亞迪掀起的,從 2 月 19 日到 3 月 6 日,在春節(jié)假期結束后的 17 天里,比亞迪密集推出了 13 款主力車型的
          • 關鍵字: SiC  

          泰克推出支持智能交通網(wǎng)絡CAN XL協(xié)議解碼、觸發(fā)和搜索功能的新品

          • _____技術領先的測試和測量解決方案提供商泰克今日宣布推出泰克CAN XL(控制器局域網(wǎng)擴展長度)協(xié)議解碼軟件,支持工程師整合最新一代CAN通信技術,并幫助泰克客戶在技術日新月異的當今時代保持競爭優(yōu)勢。泰克CAN XL協(xié)議解碼軟件能夠解析使用CAN XL幀在CAN網(wǎng)絡中傳輸?shù)臄?shù)據(jù)包信號,可在當前的4、5、6系列MSO示波器上運行。該解碼軟件還提供錯誤檢測、時序和協(xié)議頭部分析與調(diào)試等重要功能。新版產(chǎn)品的發(fā)布將加快泰克的CAN XL設計和調(diào)試工作流程,此外,4、5和6系列MSO具有直觀的用戶界面,能夠幫助泰
          • 關鍵字: 泰克  智能交通網(wǎng)絡  CAN XL  

          納微半導體與您相約亞洲充電展,最新GaN+SiC技術展望快充未來

          • 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領導者——納微半導體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會展中心舉辦的亞洲充電展,邀請觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術打造,象征著全電氣化未來的“納微芯球”展臺。納微半導體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應用及解決方案,包括:●? ?功率水平更高、以應用為導向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術●? &
          • 關鍵字: 納微半導體  亞洲充電展  GaN+SiC  快充  

          納芯微推出基于創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC: NCA1462-Q1

          • 納芯微宣布推出基于其自研創(chuàng)新型振鈴抑制專利的車規(guī)級CAN SIC(信號改善功能,Signal Improvement Capability)NCA1462-Q1。相比當前主流的CAN FD車載通信方案,NCA1462-Q1在滿足ISO 11898-2:2016標準的前提下,進一步兼容CiA 601-4標準,可實現(xiàn)≥8Mbps的傳輸速率。憑借納芯微專利的振鈴抑制功能,即使在星型網(wǎng)絡多節(jié)點連接的情況下,NCA1462-Q1仍具有良好的信號質(zhì)量;此外,超高的EMC表現(xiàn),更加靈活、低至1.8V的VIO可有效助力工
          • 關鍵字: 納芯微  振鈴抑制  CAN SIC  
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          can sic介紹

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