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          保障下一代碳化硅 (SiC) 器件的供需平衡

          • 在工業(yè)、汽車和可再生能源應用中,基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件,比如 SiC,對提高能效至關重要。在本文中,安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展,從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸,并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言,建立穩(wěn)健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)(如電動汽車充電基礎設施)和可再生能源系統(tǒng)(如太陽能光伏 (PV))應用中,MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而,平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn),必須在不增加太陽
          • 關鍵字: 安森美  SiC  

          保障下一代碳化硅(SiC)器件的供需平衡

          • 在工業(yè)、汽車和可再生能源應用中,基于寬禁帶 (WBG) 技術的組件,比如 SiC,對提高能效至關重要。在本文中,安森美 (onsemi) 思考下一代 SiC 器件將如何發(fā)展,從而實現(xiàn)更高的能效和更小的尺寸,并討論對于轉用 SiC 技術的公司而言,建立穩(wěn)健的供應鏈為何至關重要。在廣泛的工業(yè)系統(tǒng)(如電動汽車充電基礎設施)和可再生能源系統(tǒng)(如太陽能光伏 (PV))應用中,MOSFET 技術、分立式封裝和功率模塊的進步有助于提高能效并降低成本。然而,平衡成本和性能對于設計人員來說是一項持續(xù)的挑戰(zhàn),必須在不增加太陽
          • 關鍵字: 碳化硅  SiC  

          意法半導體為博格華納提供SiC,“上車”沃爾沃?

          • 近日,意法半導體官微宣布,將為博格華納的Viper功率模塊提供最新的第三代750V碳化硅功率MOSFET芯片。博格華納將該功率模塊用于沃爾沃和未來多款純電動汽車設計電驅逆變器平臺。為了充分發(fā)揮意法半導體SiC MOSFET 芯片的優(yōu)勢,意法半導體和博格華納技術團隊密切合作,力爭讓意法半導體的芯片與博格華納的Viper功率開關匹配,最大限度提高逆變器性能,縮小電驅架構尺寸并提升經(jīng)濟效益。意法半導體汽車和分立器件產品部(ADG)總裁Marco Monti表示,意法半導體和博格華納合作有助于提升沃爾沃的車輛性能
          • 關鍵字: 意法半導體  博格華納  SiC  沃爾沃  

          特定幀喚醒CAN FD收發(fā)器芯片SIT1145AQ功能詳解

          • SIT1145AQ是芯力特研發(fā)的第三代CAN FD車載收發(fā)器接口芯片,與前兩代產品相比,在第二代CAN FD的基礎之上增加了SPI端口,此端口用于配置SIT1145AQ各種工作模式以及獲取網(wǎng)絡診斷信息,使SIT1145AQ控制靈活性更大,功能更全。同時SIT1145AQ支持最大5Mbps靈活數(shù)據(jù)速率,并支持在休眠/待機模式下特定幀喚醒,特定幀喚醒功能有助于使ECU長時間保持在低功耗運行狀態(tài),從而降低汽車的總功耗。同時SIT1145AQ也支持CAN總線網(wǎng)絡喚醒單個ECU或多個ECU組,而網(wǎng)絡的其余部分在低功
          • 關鍵字: 芯力特  特定幀喚醒  CAN  SIT1145AQ  

          基于STM32G474RBT6 MCU的數(shù)字控制3KW通信電源方案

          • STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源,使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。STDES-3KWTLCP參考設計針對5G通信應用的3 kW/53.5V AC-DC轉換器電源,使用完整的ST數(shù)字電源解決方案。電路設計包括前端無橋圖騰柱PFC和后端LLC全橋架構。前級圖騰柱PFC提供功率因數(shù)校正(PFC)和諧波失真(THD)抑制,后記全橋LLC轉換器提供安全隔離和穩(wěn)定的輸出電壓。該參考設計為高效率緊湊型解決方案,在230 VAC輸入時,測量峰值效率為96.3%
          • 關鍵字: ST  第三代半導體  SIC  GNA  圖騰柱PFC  無橋PFC  全橋LLC  數(shù)字電源  

          具有可切換端接和遠程喚醒功能的隔離信號和電源CAN FD

          • 具有靈活數(shù)據(jù)速率的控制器局域網(wǎng)(CAN FD)支持更高帶寬通信,從而滿足工業(yè)自動化、HVAC、農業(yè)和醫(yī)療健康領域的多節(jié)點網(wǎng)絡應用需求。圖1所示的電路通過與現(xiàn)有串行外設接口(SPI)總線連接,能夠在Arduino Uno型平臺上實現(xiàn)高達8 Mbps的CAN FD總線連接數(shù)據(jù)速率。評估和設計支持電路評估板CN-0401電路評估板(EVAL-ADM3055E-ARDZ)超低功耗Arduino尺寸開發(fā)板(EVAL-ADICUP3029)設計和集成文件原理圖、布局文件、物料清單與軟件電路功能與優(yōu)勢具有靈活數(shù)據(jù)速率的
          • 關鍵字: ADI  CAN  隔離信號  

          電路筆記CN-0401

          • Circuits from the Lab?參考設計是經(jīng)過測試的參考設計,有助于加速設計,同時簡化系統(tǒng)集成,幫助解決當今的模擬、混合信號和RF設計挑戰(zhàn)。如需更多信息和/或技術支持,請訪問:www.analog.com/CN0401。連接/參考器件ADM3055E5 ? kV rms信號和電源隔離CAN收發(fā)器,適用于CAN FD具有可切換端接和遠程喚醒功能的隔離信號和電源CAN FD評估和設計支持電路評估板CN-0401電路評估板(EVAL-ADM3055E-ARDZ)超低功耗Arduino尺寸開
          • 關鍵字: 隔離信號  CAN FD  ADI  

          意法半導體SiC技術助力博格華納Viper功率模塊設計

          • ●? ?意法半導體為博格華納的Viper功率模塊提供碳化硅(SiC)功率MOSFET,支持沃爾沃汽車在2030年前全面實現(xiàn)電動化目標●? ?博格華納將采用意法半導體碳化硅芯片為沃爾沃現(xiàn)有和未來的多款純電動汽車設計電驅逆變器平臺服務多重電子應用領域、全球排名前列的半導體公司意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)將與提供創(chuàng)新和可持續(xù)移動解決方案的全球領導者博格華納公司(紐約證券交易所股票代碼:BWA)合作,為博格華納專有的基于 Viper 功率模塊
          • 關鍵字: 意法半導體  SiC  博格華納  功率模塊  沃爾沃  電動汽車  

          自動執(zhí)行寬禁帶SiC/GaN器件的雙脈沖測試

          • _____減少碳排放的迫切需求推動了對電氣技術的投資,特別是數(shù)據(jù)中心和電動汽車領域。根據(jù)彭博社最新的電動汽車展望報告,到 2050 年,幾乎所有道路運輸都將實現(xiàn)電氣化,預計將導致全球電力需求激增 27%。這一趨勢凸顯了電氣解決方案在遏制溫室氣體排放和塑造更具可持續(xù)性的未來方面的重要意義。越來越多的氮化鎵 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 等寬帶隙 (WBG) 半導體取代開關模式電源和電機驅動器中的硅基功率 MOSFET 和 IGBT。這種轉變是由 GaN 和 SiC 器件的出色性能帶來的,包括比硅器件更快
          • 關鍵字: 寬禁帶  SiC  GaN  雙脈沖測試  

          碳化硅芯片是否即將主宰市場?阿斯麥臉色不再重要!

          • 在科技領域中,碳化硅芯片正如一顆閃耀的明星,逐漸嶄露頭角。隨著移動互聯(lián)網(wǎng)、人工智能和物聯(lián)網(wǎng)等領域的迅速發(fā)展,芯片技術也不斷突破創(chuàng)新。而在這股技術浪潮中,碳化硅芯片憑借其獨特的優(yōu)勢正愈發(fā)引起人們的矚目。伴隨著阿斯麥這位傳統(tǒng)芯片巨頭的重磅投資,人們開始紛紛關注,碳化硅芯片是否即將主宰市場?更高的溫度耐受性碳化硅芯片,作為一種新興的半導體材料,因其出色的性能和優(yōu)異的耐受性而備受關注。其中,其更高的溫度耐受性是其最大的優(yōu)勢之一。碳化硅芯片的高溫耐受性是由其特殊的晶格結構決定的。碳化硅是由碳原子和硅原子組成的晶體,
          • 關鍵字: 碳化硅芯片  SiC  阿斯麥  

          東芝開發(fā)出業(yè)界首款2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊

          • 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(“東芝”)近日宣布,推出業(yè)界首款[1]2200V雙碳化硅(SiC)MOSFET模塊---“MG250YD2YMS3”。新模塊采用東芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏極電流(DC)額定值為250A,適用于光伏發(fā)電系統(tǒng)和儲能系統(tǒng)等使用DC 1500V的應用。該產品于今日開始支持批量出貨。類似上述的工業(yè)應用通常使用DC?1000V或更低功率,其功率器件多為1200V或1700V產品。然而,預計未來幾年內DC?1500V將得到廣泛應用,因此東芝發(fā)布了業(yè)界首款
          • 關鍵字: 東芝  2200V  雙碳化硅  SiC  MOSFET模塊  

          大功率、高性能汽車類 SiC 牽引逆變器參考設計

          • TIDM-02014 是一款由德州儀器 (TI) 和 Wolfspeed 開發(fā)的基于 SiC 的 800V、300kW 牽引逆變器系統(tǒng)參考設計,該參考設計為 OEM 和設計工程師創(chuàng)建高性能、高效率的牽引逆變器系統(tǒng)并更快地將其推向市場提供了基礎。該解決方案展示了 TI 和 Wolfspeed 的牽引逆變器系統(tǒng)技術(包括用于驅動 Wolfspeed SiC 電源模塊、具有實時可變柵極驅動強度的高性能隔離式柵極驅動器)如何通過降低電壓過沖來提高系統(tǒng)效率。隔離式柵極驅動器與 TI 的隔離式輔助電源解決方案配合使用
          • 關鍵字: SiC  牽引逆變器  

          適用于高性能功率器件的 SiC 隔離解決方案

          • 隨著設備變得越來越小,電源也需要跟上步伐。因此,當今的設計人員有一個優(yōu)先目標:化單位體積的功率(W/mm 3)。實現(xiàn)這一目標的一種方法是使用高性能電源開關。盡管需要進一步的研發(fā)計劃來提高性能和安全性,并且使用這些寬帶隙 (WBG) 材料進行設計需要在設計過程中進行額外的工作,但氮化鎵 (GaN) 和 SiC 已經(jīng)為新型電力電子產品鋪平了道路階段。使用 SiC 柵極驅動器可以減少 30% 的能量損耗,同時限度地延長系統(tǒng)正常運行時間。Maxim Integrated 推出了一款碳化硅 (SiC) 隔離式柵極驅
          • 關鍵字: SiC  

          汽車電機控制:全新MOTIX MCU嵌入式功率IC系列配備CAN FD接口

          • 英飛凌科技股份公司近日推出TLE988x和TLE989x系列,進一步擴大其全面且成熟的MOTIX? MCU嵌入式功率IC產品組合。英飛凌的系統(tǒng)級芯片解決方案將柵極驅動器、微控制器、通信接口和電源集成到一顆芯片上,實現(xiàn)了最小的占板面積。全新TLE988x 和TLE989x 系列具有更高的性能,其特點是以CAN(FD)作為通信接口。新型IC已通過 AEC Q-100 認證,是車身、舒適性和熱管理應用中的車用有刷直流電機和無刷直流電機控制應用的理想選擇。英飛凌科技高級副總裁兼智能電源產品線總經(jīng)理Andreas
          • 關鍵字: 汽車電機控制  MOTIX  MCU  嵌入式功率IC  CAN FD接口  

          全球SiC爭霸賽,誰在豪擲千金?

          • “能夠優(yōu)先掌握SiC這種領先技術的國家,將能夠改變游戲規(guī)則,擁有SiC將對美國具有深遠的影響?!?Alan Mantooth 接受媒體采訪時坦言道。2021年10月,由Alan Mantooth 領導的工程研究人員從美國國家科學基金(NSF)獲得了1787萬美元的資助,用于在阿肯色大學開始建設一個國家級SiC研究和制造中心。該SiC研究與制造中心一方面為美國學生提供SiC相關技術的培訓和教育,以達到鼓勵美國新一代在該領域發(fā)展的目的,此外其部署的SiC晶圓生產線,能夠讓美國大學,企業(yè)以及政府研究人員進行長期
          • 關鍵字: SiC  MOSFET  功率損耗  碳中和  
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