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          國內(nèi)8英寸SiC傳來新進(jìn)展

          • 近年來,汽車、太陽能和電動(dòng)汽車充電應(yīng)用及儲(chǔ)能系統(tǒng)等領(lǐng)域?qū)μ蓟璋雽?dǎo)體產(chǎn)品需求不斷增長,并推動(dòng)新興半導(dǎo)體材料的發(fā)展。在碳化硅襯底上,國內(nèi)廠商正加速研發(fā)步伐,如晶盛機(jī)電已完成了6英寸到8英寸的擴(kuò)徑和質(zhì)量迭代,實(shí)現(xiàn)8英寸拋光片的開發(fā),晶片性能參數(shù)與6英寸晶片相當(dāng),今年二季度將實(shí)現(xiàn)小批量生產(chǎn);天科合達(dá)計(jì)劃在2023年實(shí)現(xiàn)8英寸襯底產(chǎn)品的小規(guī)模量產(chǎn),同時(shí)該公司在5月與半導(dǎo)體大廠英飛凌簽訂碳化硅長期供應(yīng)協(xié)議。近期,科友半導(dǎo)體傳來了新消息。6月22日,科友半導(dǎo)體官微宣布其突破了8英寸SiC量產(chǎn)關(guān)鍵技術(shù),在晶體尺寸、厚度
          • 關(guān)鍵字: 8英寸  SiC  科友半導(dǎo)體  

          使用SiC的關(guān)鍵在于了解事實(shí)

          • 最近,碳化硅 (SiC) 及其在電力電子領(lǐng)域的潛在應(yīng)用受到了廣泛關(guān)注,但同時(shí)也引發(fā)了一些誤解。本文旨在澄清這些誤解,讓工程師們?cè)谖磥矸判牡厥褂?SiC器件。應(yīng)用圍繞SiC 產(chǎn)生的一些疑慮與其應(yīng)用范圍相關(guān)。例如,一些設(shè)計(jì)人員認(rèn)為SiC MOSFET 應(yīng)該用來替代IGBT,而硅MOSFET 的替代品應(yīng)該是氮化鎵 (GaN) 器件。然而,額定電壓為650 V 的SiC MOSFET 具有出色的性能,其RDS(ON)*Qg 品質(zhì)因數(shù)很有競爭力,反向恢復(fù)電荷也非常小。因此,在圖騰柱功率因數(shù)校正 (TPPFC) 或同
          • 關(guān)鍵字: 202306  SiC  

          羅姆與緯湃科技簽署SiC功率元器件長期供貨合作協(xié)議

          • SiC(碳化硅)功率元器件領(lǐng)域的先進(jìn)企業(yè)ROHM Co., Ltd. (以下簡稱“羅姆”)于2023年6月19日與全球先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)和電動(dòng)化解決方案大型制造商緯湃科技(以下簡稱“Vitesco”)簽署了SiC功率元器件的長期供貨合作協(xié)議。根據(jù)該合作協(xié)議,雙方在2024年至2030年間的交易額將超過1300億日元。?之所以能達(dá)成此次合作,是因?yàn)殡p方已于2020年建立了“電動(dòng)汽車電力電子技術(shù)開發(fā)合作伙伴關(guān)系”,并基于合作伙伴關(guān)系進(jìn)行了密切的技術(shù)合作,開展了適用于電動(dòng)汽車的SiC功率元器件和采用SiC芯
          • 關(guān)鍵字: 羅姆  緯湃  SiC  

          為什么所有的SiC肖特基二極管都不一樣

          • 在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體)如何將先進(jìn)的器件結(jié)構(gòu)與創(chuàng)新工藝技術(shù)結(jié)合在一起,以進(jìn)一步提高 SiC 肖特基二極管的性能。在高功率應(yīng)用中,碳化硅(SiC)的許多方面都優(yōu)于硅,包括更高的工作溫度以及更高效的高頻開關(guān)性能。但是,與硅快速恢復(fù)二極管相比,純 SiC 肖特基二極管的一些特性仍有待提高。本博客介紹Nexperia(安世半導(dǎo)體
          • 關(guān)鍵字: SiC  肖特基二極管  

          SiC 晶片的切片和表面精加工解決方案

          • 如今,碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用,如火車、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性,基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車、5G 和物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)等要求苛刻領(lǐng)域的進(jìn)步,但高質(zhì)量 SiC 基板的生產(chǎn)給晶圓制造商帶來了多重挑戰(zhàn)。如今,碳化硅用于要求苛刻的半導(dǎo)體應(yīng)用,如火車、渦輪機(jī)、電動(dòng)汽車和智能電網(wǎng)。由于其物理和電氣特性,基于SiC的器件適用于高溫、高功率密度和高工作頻率是常見要求的應(yīng)用。盡管 SiC 功率器件推動(dòng)了電動(dòng)汽車、5G 和物
          • 關(guān)鍵字: SiC  

          評(píng)估CAN收發(fā)器的正確系統(tǒng)級(jí)測試方法

          • 本文介紹了評(píng)估"控制器局域網(wǎng)"(CAN)收發(fā)器的正確系統(tǒng)級(jí)測試方法。通過展示在多CAN節(jié)點(diǎn)系統(tǒng)中執(zhí)行不同CAN節(jié)點(diǎn)之間的數(shù)據(jù)傳輸時(shí)如何避免實(shí)際數(shù)據(jù)傳輸問題,解釋了此種測試方法的優(yōu)越之處。CAN是一種穩(wěn)健的通信標(biāo)準(zhǔn),用于支持不同的傳感器、機(jī)器或控制器進(jìn)行相互通信。相比于一般接口,CAN接口更穩(wěn)定可靠,能夠有效處理總線爭用,因此被廣泛應(yīng)用于工業(yè)自動(dòng)化、家庭自動(dòng)化和汽車應(yīng)用中。舊版CAN2.0提供8字節(jié)有效載荷,最多支持2 Mbps的數(shù)據(jù)速率。有些情況下,2 Mbps的數(shù)據(jù)速率不足以應(yīng)對(duì)危急
          • 關(guān)鍵字: ADI  CAN  

          中國小型 SiC 廠商,難過 2023

          • 2018 年,特斯拉在 Model 3 中首次將 IGBT 模塊換成了 SiC 模塊,成為第一家在量產(chǎn)汽車中使用 SiC 芯片的電動(dòng)汽車公司。特斯拉的使用結(jié)果表明,在相同功率等級(jí)下,SiC 模塊的封裝尺寸明顯小于硅模塊,并且開關(guān)損耗降低了 75%。換算下來,采用 SiC 模塊替代 IGBT 模塊,其系統(tǒng)效率可以提高 5%左右。一場特斯拉的大風(fēng),引燃了 SiC。然而,就在剛剛過去的 3 月份,特斯拉卻突然宣布,下一代的電動(dòng)車傳動(dòng)系統(tǒng) SiC 用量大減 75%,因借創(chuàng)新技術(shù)找到下一代電動(dòng)車動(dòng)力系統(tǒng)減少使用 S
          • 關(guān)鍵字: SiC  

          第三代半導(dǎo)體高歌猛進(jìn),誰將受益?

          • “現(xiàn)在的新車,只要能用碳化硅的地方,便不會(huì)再用傳統(tǒng)功率器件”。功率半導(dǎo)體大廠意法半導(dǎo)體(ST)曾以此言表達(dá)碳化硅于新能源汽車市場的重要性。當(dāng)下,在全球半導(dǎo)體行業(yè)的逆流中,第三代半導(dǎo)體正閃爍著獨(dú)特的光芒,作為其代表物的碳化硅和氮化鎵順勢成為耀眼的存在。在此賽道上,各方紛紛加大馬力,堅(jiān)定下注,一部關(guān)于第三代半導(dǎo)體的爭奪劇集已經(jīng)開始上演。一、三代半方興未艾產(chǎn)業(yè)進(jìn)入高速成長期近日,科學(xué)技術(shù)部黨組成員、副部長相里斌在2023中關(guān)村論壇上表示,2022年在全球疫情和需求端疲軟等多重因素影響下,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入下行周
          • 關(guān)鍵字: 第三代半導(dǎo)體  SiC  GaN  

          LED智能照明解決方案

          • 針對(duì)LED智能照明解決方案,Microchip 的MCU集成了獨(dú)立于內(nèi)核的外設(shè)模塊來實(shí)現(xiàn)開關(guān)電源控制、邏輯控制和通信功能。相比于純模擬或ASIC實(shí)現(xiàn)方案,可顯著提升靈活性。本方案加入安森美NCV78343矩陣控制芯片,實(shí)現(xiàn)CAN/LIN通訊矩陣大燈方案。PIC16F1779可獨(dú)立控制多達(dá)四個(gè)LED通道,這是大多數(shù)現(xiàn)成LED驅(qū)動(dòng)器控制器所不具備的一項(xiàng)獨(dú)特能力,特別適合組合式大燈/尾燈的設(shè)計(jì)。LED調(diào)光引擎由單片機(jī)中集成的模擬外設(shè)組成,通過MCC配置將這些模塊連接起來,構(gòu)成四個(gè)獨(dú)立的LED調(diào)光驅(qū)動(dòng)器。一旦配置
          • 關(guān)鍵字: Microchip  SAC  CAN  Matrix  Headlight  PIC16F1779  NCV78343  

          如何通過實(shí)時(shí)可變柵極驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度更大限度地提高 SiC 牽引逆變器的效率

          • 牽引逆變器是電動(dòng)汽車 (EV) 中消耗電池電量的主要零部件,功率級(jí)別可達(dá) 150kW 或更高。牽引逆變器的效率和性能直接影響電動(dòng)汽車單次充電后的行駛里程。因此,為了構(gòu)建下一代牽引逆變器系統(tǒng),業(yè)界廣泛采用碳化硅 (SiC) 場效應(yīng)晶體管 (FET) 來實(shí)現(xiàn)更高的可靠性、效率和功率密度。圖 1 所示的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器集成電路 (IC) 提供從低電壓到高電壓(輸入到輸出)的電隔離,驅(qū)動(dòng)逆變器每相的高邊和低邊功率模塊,并監(jiān)測和保護(hù)逆變器免受各種故障的影響。根據(jù)汽車安全完整性等級(jí) (ASIL) 功能安全要求,柵極驅(qū)
          • 關(guān)鍵字: SiC  牽引逆變器  

          緯湃科技和安森美簽署碳化硅(SiC)長期供應(yīng)協(xié)議

          • ?·?????? 緯湃科技正在鎖定價(jià)值19億美元(17.5億歐元)的碳化硅(SiC)產(chǎn)能·?????? 緯湃科技通過向安森美提供2.5億美元(2.3億歐元)的產(chǎn)能投資,獲得這一關(guān)鍵的半導(dǎo)體技術(shù),以實(shí)現(xiàn)電氣化的強(qiáng)勁增長·?????? 除了產(chǎn)能投資外,兩家公司還將在進(jìn)一步優(yōu)化主驅(qū)逆變器系統(tǒng)方面達(dá)成合作?2023年
          • 關(guān)鍵字: 緯湃  安森美  碳化硅  SiC  

          泰克推出基于示波器的雙脈沖測試解決方案, 加快SiC和GaN技術(shù)驗(yàn)證速度

          • 中國北京,2023年5月31日—— 全球領(lǐng)先的測試測量解決方案提供商泰克科技公司日前宣布,推出最新雙脈沖測試解決方案 (WBG-DPT解決方案)。各種新型寬禁帶開關(guān)器件正推動(dòng)電動(dòng)汽車、太陽能、工控等領(lǐng)域快速發(fā)展,泰克WBG-DPT解決方案能夠?qū)捊麕骷ㄈ鏢iC和GaN MOSFETs)提供自動(dòng)可重復(fù)的、高精度測量功能。下一代功率轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)師現(xiàn)在能夠利用WBG-DPT解決方案,滿懷信心地迅速優(yōu)化自己的設(shè)計(jì)。WBG-DPT解決方案能夠在泰克4系、5系、6系MSO示波器上運(yùn)行,并能夠無縫集成到示波器測量系統(tǒng)
          • 關(guān)鍵字: 泰克  示波器  雙脈沖測試  SiC  GaN  

          投身車電領(lǐng)域的入門課:IGBT和SiC功率模塊

          • 2020 年初,疫情期間的封鎖政策并未對(duì)電動(dòng)汽車行業(yè)造成太大影響。2021 年,由于疫情期間人們對(duì)電動(dòng)汽車的需求上升,再加上全球各國政府紛紛采取激勵(lì)措施,電動(dòng)汽車充電站的需求量開始增加。在過去的三年里,電動(dòng)車領(lǐng)導(dǎo)品牌的銷量紛紛呈現(xiàn)巨幅成長的趨勢。 低成本、低排放汽車的不斷發(fā)展,將推動(dòng)整個(gè)亞太地區(qū)的電動(dòng)汽車市場實(shí)現(xiàn)穩(wěn)步擴(kuò)張。同時(shí),不斷加碼的政府激勵(lì)措施和持續(xù)擴(kuò)張的高性能車市場也推動(dòng)著北美和歐洲地區(qū)電動(dòng)汽車市場的快速增長。因此,根據(jù)MarketsandMarkets 市調(diào)數(shù)據(jù)估計(jì),全球電動(dòng)汽車市場規(guī)模將從 2
          • 關(guān)鍵字: 車用  電能轉(zhuǎn)換  車電領(lǐng)域  IGBT  SiC  功率模塊  

          采用增強(qiáng)互連封裝技術(shù)的1200 V SiC MOSFET單管設(shè)計(jì)高能效焊機(jī)

          • “引言”近年來,為了更好地實(shí)現(xiàn)自然資源可持續(xù)利用,需要更多節(jié)能產(chǎn)品,因此,關(guān)于焊機(jī)能效的強(qiáng)制性規(guī)定應(yīng)運(yùn)而生。經(jīng)改進(jìn)的碳化硅CoolSiC? MOSFET 1200 V采用基于.XT擴(kuò)散焊技術(shù)的TO-247封裝,其非常規(guī)封裝和熱設(shè)計(jì)方法通過改良設(shè)計(jì)提高了能效和功率密度。?逆變焊機(jī)通常是通過功率模塊解決方案設(shè)計(jì)來實(shí)現(xiàn)更高輸出功率,從而幫助降低節(jié)能焊機(jī)的成本、重量和尺寸[1]。?在焊機(jī)行業(yè),諸如提高效率、降低成本和增強(qiáng)便攜性(即,縮小尺寸并減輕重量)等趨勢一直是促進(jìn)持續(xù)發(fā)展的推動(dòng)力。譬如,多
          • 關(guān)鍵字: 增強(qiáng)互連封裝技術(shù)  SiC MOSFET單管  焊機(jī)  

          目標(biāo) 2027 年占領(lǐng) 40% 的汽車 SiC 芯片市場,安森美半導(dǎo)體投資 20 億美元擴(kuò)建工廠

          • IT之家 5 月 18 日消息,安森美半導(dǎo)體表示將投資 20 億美元,用于擴(kuò)展現(xiàn)有工廠,目標(biāo)在全球汽車碳化硅(SiC)芯片市場中,占據(jù) 40% 的份額。安森美半導(dǎo)體目前在安森美半導(dǎo)體美國、捷克共和國和韓國都設(shè)有工廠,其中韓國工廠已經(jīng)在生產(chǎn) SiC 芯片了。報(bào)道中并未提及安森美半導(dǎo)體具體會(huì)擴(kuò)建哪家工廠,安森美半導(dǎo)體計(jì)劃構(gòu)建完整產(chǎn)業(yè)鏈,實(shí)現(xiàn)從 SiC 粉末到成品的全流程自主控制。安森美半導(dǎo)體預(yù)估到 2027 年占領(lǐng)全球碳化硅汽車芯片市場 40% 的份額。專家還表示到 2027 年,安森美半導(dǎo)體的銷售
          • 關(guān)鍵字: 汽車電子  安森美  SiC  
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