can sic 文章進(jìn)入can sic技術(shù)社區(qū)

使用TI功能安全柵極驅(qū)動(dòng)器提高SiC牽引逆變器的效率

隨著電動(dòng)汽車(chē) (EV) 制造商競(jìng)相開(kāi)發(fā)成本更低、行駛里程更長(zhǎng)的車(chē)型，電子工程師面臨降低牽引逆變器功率損耗和提高系統(tǒng)效率的壓力，這樣可以延長(zhǎng)行駛里程并在市場(chǎng)中獲得競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。功率損耗越低則效率越高，因?yàn)樗鼤?huì)影響系統(tǒng)熱性能，進(jìn)而影響系統(tǒng)重量、尺寸和成本。隨著開(kāi)發(fā)的逆變器功率級(jí)別更高，每輛汽車(chē)的電機(jī)數(shù)量增加，以及卡車(chē)朝著純電動(dòng)的方向發(fā)展，人們將持續(xù)要求降低系統(tǒng)功率損耗。過(guò)去，牽引逆變器使用絕緣柵雙極晶體管 (IGBT)。然而，隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步，碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有比IGBT更高
關(guān)鍵字： TI 功能安全柵極驅(qū)動(dòng)器 SiC 逆變器

貿(mào)澤開(kāi)售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

2022年9月23日 – 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷(xiāo)商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics) 即日起備貨采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)D2PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān)DC/DC
關(guān)鍵字：貿(mào)澤 D2PAK-7L UnitedSiC SiC FET

CAN&485總線(xiàn)隔離方案多? 金升陽(yáng)有妙招！

CAN和485都是工業(yè)通信中常用的現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)，做好通信總線(xiàn)的隔離防護(hù)是產(chǎn)品可靠、穩(wěn)定的重要前提。那么該如何做好通信總線(xiàn)的隔離防護(hù)呢？隔離方案眾多，該如何選擇適合的方案呢？本文為您解答！一、通信總線(xiàn)為什么要隔離？目前大多數(shù)產(chǎn)品對(duì)外通訊部分可總結(jié)為：MCU+收發(fā)器+外部總線(xiàn)，其中大多數(shù)常用的MCU 都集成有CAN或UART鏈路層控制器。從MCU發(fā)出的電平信號(hào)一般為5V或3.3V，為達(dá)到與總線(xiàn)連接和遠(yuǎn)傳的目的，往往需要在MCU與總線(xiàn)間加收發(fā)器，它起到電平轉(zhuǎn)換的作用。采用總線(xiàn)通信方式必然涉及到外部通信走線(xiàn)，CAN和
關(guān)鍵字：金升陽(yáng) CAN&485 總線(xiàn)隔離

東芝推出面向更高效工業(yè)設(shè)備的第三代SiC MOSFET

東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出新款功率器件---第三代碳化硅（SiC）MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。該系列具有低導(dǎo)通電阻，可顯著降低開(kāi)關(guān)損耗。該系列10款產(chǎn)品包括5款1200V產(chǎn)品和5款650V產(chǎn)品，已于今日開(kāi)始出貨。新產(chǎn)品的單位面積導(dǎo)通電阻（RDS(ON)A）下降了大約43%[3]，從而使“漏源導(dǎo)通電阻×柵漏電荷（RDS(ON)×Qgd）”降低了大約80%[4]，這是體現(xiàn)導(dǎo)通損耗與開(kāi)關(guān)損耗間關(guān)系的重要指標(biāo)。這樣可以將開(kāi)關(guān)損耗減少大約
關(guān)鍵字：東芝 SiC MOSFET

CAN&485總線(xiàn)隔離方案多？金升陽(yáng)有妙招！

CAN和485都是工業(yè)通信中常用的現(xiàn)場(chǎng)總線(xiàn)，做好通信總線(xiàn)的隔離防護(hù)是產(chǎn)品可靠、穩(wěn)定的重要前提。那么該如何做好通信總線(xiàn)的隔離防護(hù)呢？隔離方案眾多，該如何選擇適合的方案呢？本文為您解答！一、通信總線(xiàn)為什么要隔離？目前大多數(shù)產(chǎn)品對(duì)外通訊部分可總結(jié)為：MCU+收發(fā)器+外部總線(xiàn)，其中大多數(shù)常用的MCU 都集成有CAN或UART鏈路層控制器。從MCU發(fā)出的電平信號(hào)一般為5V或3.3V，為達(dá)到與總線(xiàn)連接和遠(yuǎn)傳的目的，往往需要在MCU與總線(xiàn)間加收發(fā)器，它起到電平轉(zhuǎn)換的作用。采用總線(xiàn)通信方式必然涉及到外部通信走線(xiàn)，CAN和
關(guān)鍵字：金升陽(yáng) CAN

基于 Microchip PIC16F1779 onsemi NCV78343 和 OSRAM LED 的 CAN/LIN 通訊矩陣式大燈方案

針對(duì)LED智能照明解決方案，Microchip 的MCU集成了獨(dú)立于內(nèi)核的外設(shè)模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)開(kāi)關(guān)電源控制、邏輯控制和通信功能。相比于純模擬或ASIC實(shí)現(xiàn)方案，可顯著提升靈活性。本方案加入安森美NCV78343矩陣控制芯片，實(shí)現(xiàn)CAN/LIN通訊矩陣大燈方案。PIC16F1779可獨(dú)立控制多達(dá)四個(gè)LED通道，這是大多數(shù)現(xiàn)成LED驅(qū)動(dòng)器控制器所不具備的一項(xiàng)獨(dú)特能力，特別適合組合式大燈/尾燈的設(shè)計(jì)。LED調(diào)光引擎由單片機(jī)中集成的模擬外設(shè)組成，通過(guò)MCC配置將這些模塊連接起來(lái)，構(gòu)成四個(gè)獨(dú)立的LED調(diào)光驅(qū)動(dòng)器。一旦配置
關(guān)鍵字： Microchip SAC CAN Matrix Headlight PIC16F1779 NCV78343

安森美慶祝在新罕布什爾州擴(kuò)張?zhí)蓟韫S(chǎng)

領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，昨天美國(guó)時(shí)間舉行了剪彩儀式，慶祝其位于新罕布什爾州哈德遜 (Hudson, New Hampshire) 的碳化硅 (SiC) 工廠(chǎng)的落成。該基地將使安森美到2022年底的SiC晶圓產(chǎn)能同比增加五倍，在哈德遜的員工人數(shù)幾乎翻兩番。此擴(kuò)張使安森美能完全控制其SiC制造供應(yīng)鏈，從SiC粉末和石墨原料的采購(gòu)，到封裝好的SiC器件的交付。這使安森美能為其客戶(hù)提供必要的供應(yīng)保證，以滿(mǎn)足對(duì)基于SiC的方案迅速增長(zhǎng)的需求。SiC對(duì)于提高電
關(guān)鍵字：安森美碳化硅工廠(chǎng) SiC

UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購(gòu)）為功率設(shè)計(jì)擴(kuò)展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對(duì)快速增長(zhǎng)的車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務(wù)器電源應(yīng)用實(shí)現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強(qiáng)型封裝，為需求最大效率、低傳導(dǎo)損失和高性?xún)r(jià)比的高功耗應(yīng)用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET

瑞薩電子推出5V高性能RX660 32位MCU，為家電和工業(yè)應(yīng)用提供卓越的噪聲容限

全球半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出RX 32位MCU產(chǎn)品家族的新成員——RX660微控制器（MCU）產(chǎn)品群。新產(chǎn)品支持5V工作電壓，為暴露在高電磁干擾下的家用電器和工業(yè)設(shè)備提供卓越的噪聲容限。RX660作為瑞薩高端RX通用MCU產(chǎn)品中首個(gè)支持5V的器件，也是RX產(chǎn)品家族中首款內(nèi)置CAN FD控制器的器件，可實(shí)現(xiàn)高速數(shù)據(jù)通信。全新RX660 MCU的高工作電壓可以省去目前許多3V MCU所需的外部噪聲抑制元件，讓用戶(hù)能夠減少開(kāi)發(fā)時(shí)間與元件成本，提高系統(tǒng)質(zhì)量。近年來(lái)，由于功能安
關(guān)鍵字：瑞薩電子 32位 MCU CAN FD

UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對(duì)電源設(shè)計(jì)擴(kuò)展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合

Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項(xiàng)，Qorvo 的 SiC FET可為車(chē)載充電器、軟開(kāi)關(guān) DC/DC 轉(zhuǎn)換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務(wù)器電源等快速增長(zhǎng)的應(yīng)用量身定制，能夠?yàn)樵跓嵩鰪?qiáng)型封裝中實(shí)現(xiàn)更高效率、低傳導(dǎo)損耗和卓越成本效益的高功率應(yīng)用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時(shí)具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
關(guān)鍵字： UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET

安森美: 打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商

由于 SiC 具有更快的開(kāi)關(guān)速度，因此對(duì)于某些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可縮減無(wú)源元器件如電感器的尺寸以降低系統(tǒng)尺寸和成本。光伏發(fā)電和大規(guī)模儲(chǔ)能變得越來(lái)越重要，最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發(fā)電量的一小部分，因此 SiC 將有長(zhǎng)遠(yuǎn)的發(fā)展路向。隨著電動(dòng)車(chē)采用率的增加，充電樁將大規(guī)模部署，另外，SiC 最終還將成為電動(dòng)車(chē)主驅(qū)逆變器的首選材料，因?yàn)樗蓽p少車(chē)輛的整體尺寸和重量，且能效更高，可延長(zhǎng)電池使用壽命。安森美首席碳化硅專(zhuān)家，中國(guó)汽車(chē)OEM技術(shù)負(fù)責(zé)人吳桐博士安森美 (onsemi) 在收購(gòu)上游
關(guān)鍵字： 202207 安森美 SiC

安森美：打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應(yīng)商

受訪(fǎng)人：安森美首席碳化硅專(zhuān)家，中國(guó)汽車(chē)OEM技術(shù)負(fù)責(zé)人吳桐博士1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)具有較高的電子遷移率和較高的能帶隙，用它們制成的晶體管具有比硅基晶體管更高的擊穿電壓和更耐受高溫，可以突破硅基器件的應(yīng)用極限，開(kāi)關(guān)速度更快，導(dǎo)通電阻更低，損耗更小，能效更高。　　GaN的開(kāi)關(guān)頻率比SiC高得多，而SiC的可靠
關(guān)鍵字：安森美 SiC

第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)的“互補(bǔ)共生”

　　受訪(fǎng)人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營(yíng)銷(xiāo)組的應(yīng)用經(jīng)理，負(fù)責(zé)工業(yè)和個(gè)人電子市場(chǎng)的定制電源設(shè)計(jì)。他的團(tuán)隊(duì)每年負(fù)責(zé)500項(xiàng)設(shè)計(jì)，并在過(guò)去20年中設(shè)計(jì)了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI，大部分時(shí)間都在擔(dān)任各種應(yīng)用的電源設(shè)計(jì)師。Robert擁有佛羅里達(dá)大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　
關(guān)鍵字： TI 第三代半導(dǎo)體 GaN SiC

TrendForce：估今年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)破10億

為進(jìn)一步提升電動(dòng)車(chē)動(dòng)力性能，全球各大車(chē)企已將目光鎖定在新一代SiC（碳化硅）功率組件，并陸續(xù)推出了多款搭載相應(yīng)產(chǎn)品的高性能車(chē)型。依TrendForce研究，隨著越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元，2026年將攀升至39.4 億美元。隨著越來(lái)越多車(chē)企開(kāi)始在電驅(qū)系統(tǒng)中導(dǎo)入SiC技術(shù)，預(yù)估2022年車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到10.7億美元。TrendForce指出，目前車(chē)用SiC功率組件市場(chǎng)主要由歐美IDM大廠(chǎng)掌控，關(guān)鍵供貨
關(guān)鍵字： TrendForce SiC 功率組件

ROHM SiC技術(shù)助力SEMIKRON功率模塊打造次世代電動(dòng)車(chē)

SEMIKRON和半導(dǎo)體制造商ROHM在開(kāi)發(fā)碳化硅（SiC）功率模塊方面已經(jīng)有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運(yùn)用于SEMIKRON車(chē)規(guī)級(jí)功率模塊「eMPack」，開(kāi)啟了雙方合作的全新里程碑。合作儀式留影，SEMIKRON CEO兼CTO Karl-Heinz Gaubatz先生（左），ROHM德國(guó)公司社長(zhǎng) Wolfram Harnack（中），SEMIKRON CSO Peter Sontheimer先生（右）此外，SEMIKRON宣布已與德國(guó)一家大型汽車(chē)制造商簽
關(guān)鍵字： ROHM SiC SEMIKRON 功率模塊