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UnitedSiC（現(xiàn)已被 Qorvo收購）為功率設計擴展高性能且高效的750V SiC FET產(chǎn)品組合
- 移動應用、基礎設施與航空航天、國防應用中 RF 解決方案的領先供應商 Qorvo?, Inc.（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布推出 7 款采用表貼 D2PAK-7L 封裝的 750V 碳化硅 (SiC) FET。憑借該封裝方案，Qorvo 的 SiC FET 針對快速增長的車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）和 IT/服務器電源應用實現(xiàn)量身定制。它們采用熱性能增強型封裝，為需求最大效率、低傳導損失和高性價比的高功耗應用提供理想解決方案。在 650/750V 狀態(tài)下，第四
- 關鍵字： UnitedSiC Qorvo 750V SiC FET
瑞薩電子推出5V高性能RX660 32位MCU，為家電和工業(yè)應用提供卓越的噪聲容限
- 全球半導體解決方案供應商瑞薩電子（TSE：6723）今日宣布，推出RX 32位MCU產(chǎn)品家族的新成員——RX660微控制器（MCU）產(chǎn)品群。新產(chǎn)品支持5V工作電壓，為暴露在高電磁干擾下的家用電器和工業(yè)設備提供卓越的噪聲容限。RX660作為瑞薩高端RX通用MCU產(chǎn)品中首個支持5V的器件，也是RX產(chǎn)品家族中首款內(nèi)置CAN FD控制器的器件，可實現(xiàn)高速數(shù)據(jù)通信。全新RX660 MCU的高工作電壓可以省去目前許多3V MCU所需的外部噪聲抑制元件，讓用戶能夠減少開發(fā)時間與元件成本，提高系統(tǒng)質(zhì)量。近年來，由于功能安
- 關鍵字： 瑞薩電子 32位 MCU CAN FD
UnitedSiC（現(xiàn)為 Qorvo）針對電源設計擴展更高性能和效率的750V SiC FET 產(chǎn)品組合
- Qorvo?今天宣布推出采用表面貼裝 D2PAK-7L 封裝的七款 750V 碳化硅 (SiC) FET，借助此封裝選項，Qorvo 的 SiC FET可為車載充電器、軟開關 DC/DC 轉換器、電池充電（快速 DC 和工業(yè)）以及IT/服務器電源等快速增長的應用量身定制，能夠為在熱增強型封裝中實現(xiàn)更高效率、低傳導損耗和卓越成本效益的高功率應用提供更佳解決方案。Qorvo 的第四代 UJ4C/SC 系列在 650/750V 時具有9mΩ的業(yè)界更低 RDS(on)，其額定值分別為 9、11、18、23、33、
- 關鍵字： UnitedSiC Qorvo 電源 SiC FET
安森美: 打造可提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商
- 由于 SiC 具有更快的開關速度，因此對于某些拓撲結構，可縮減無源元器件如電感器的尺寸以降低系統(tǒng)尺寸和成本。光伏發(fā)電和大規(guī)模儲能變得越來越重要，最終將取代所有的污染性能源。由于可再生能源目前僅占全球總發(fā)電量的一小部分，因此 SiC 將有長遠的發(fā)展路向。隨著電動車采用率的增加，充電樁將大規(guī)模部署，另外，SiC 最終還將成為電動車主驅逆變器的首選材料，因為它可減少車輛的整體尺寸和重量，且能效更高，可延長電池使用壽命。安森美首席碳化硅專家，中國汽車OEM技術負責人 吳桐 博士安森美 (onsemi) 在收購上游
- 關鍵字： 202207 安森美 SiC
第三代半導體市場的“互補共生”
- 受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營銷組的應用經(jīng)理，負責工業(yè)和個人電子市場的定制電源設計。他的團隊每年負責500項設計，并在過去20年中設計了15000個電源。Robert于2002年加入TI，大部分時間都在擔任各種應用的電源設計師。Robert擁有佛羅里達大學的電氣工程學士學位和碩士學位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應用領域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？
- 關鍵字： TI 第三代半導體 GaN SiC
TrendForce：估今年車用SiC功率組件市場破10億
- 為進一步提升電動車動力性能，全球各大車企已將目光鎖定在新一代SiC（碳化硅）功率組件，并陸續(xù)推出了多款搭載相應產(chǎn)品的高性能車型。依TrendForce研究，隨著越來越多車企開始在電驅系統(tǒng)中導入SiC技術，預估2022年車用SiC功率組件市場規(guī)模將達到10.7億美元，2026年將攀升至39.4 億美元。 隨著越來越多車企開始在電驅系統(tǒng)中導入SiC技術，預估2022年車用SiC功率組件市場規(guī)模將達到10.7億美元。TrendForce指出，目前車用SiC功率組件市場主要由歐美IDM大廠掌控，關鍵供貨
- 關鍵字： TrendForce SiC 功率組件
SiC FET的起源及其向著完美開關發(fā)展的歷程
- 使用寬帶隙半導體作為高頻開關為實現(xiàn)更高的功率轉換效率提供了有力支持。一個示例是，碳化硅開關可以實施為SiC MOSFET或以共源共柵結構實施為SiC FET。本白皮書追溯了SiC FET的起源和發(fā)展，直至最新一代產(chǎn)品，并將其性能與替代技術進行了比較。白皮書當然，接近完美的電子開關已經(jīng)存在很長一段時間了，但是我們這里要談的不是機械開關。現(xiàn)代功率轉換依賴的是半導體開關，它們最好在打開時沒有電阻，在關閉時電阻和耐受電壓無限大，并能在簡單驅動下以任意快的速度在開關狀態(tài)間切換且沒有瞬時功率損耗。在這個重視能源與成本
- 關鍵字： UnitedSiC SiC
破解SiC、GaN柵極動態(tài)測試難題的魔法棒 — 光隔離探頭
- SiC、GaN 作為最新一代功率半導體器件具有遠優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時，SiC、GaN極快的開關速度也給工程師帶來了使用和測量的挑戰(zhàn)，稍有不慎就無法獲得正確的波形，從而嚴重影響到器件評估的準確、電路設計的性能和安全、項目完成的速度。SiC、GaN動態(tài)特性測量中，最難的部分就是對半橋電路中上橋臂器件驅動電壓VGS的測量，包括兩個部分：開關過程和Crosstalk。此時是無法使用無源探頭進行測量的，這會導致設備和人員危險，同時還會由
- 關鍵字： SiC GaN 柵極動態(tài)測試 光隔離探頭
安森美的VE-Trac SiC系列為電動車主驅逆變提供高能效、高功率密度和成本優(yōu)勢
- 雙碳目標正加速推進汽車向電動化發(fā)展，半導體技術的創(chuàng)新助力汽車從燃油車過渡到電動車，新一代半導體材料碳化硅(SiC)因獨特優(yōu)勢將改變電動車的未來，如在關鍵的主驅逆變器中采用SiC可滿足更高功率和更低的能效、更遠續(xù)航、更小損耗和更低的重量，以及向800 V遷移的趨勢中更能發(fā)揮它的優(yōu)勢，但面臨成本、封裝及技術成熟度等多方面挑戰(zhàn)。安森美(onsemi)提供領先的智能電源方案，在SiC領域有著深厚的歷史積淀，是世界上少數(shù)能提供從襯底到模塊的端到端SiC方案供應商之一，其創(chuàng)新的VE TracTM Direct SiC
- 關鍵字： 安森美 SiC 逆變器
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